ht7托卡馬克歐姆放電時(shí)的電子熱輸運(yùn)分析(編輯修改稿)
2025-01-16 19:29 本頁面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 質(zhì)輸運(yùn)程序擬合實(shí)驗(yàn)測(cè)量的雜質(zhì)離子體發(fā)射系數(shù)。熱對(duì)流損失計(jì)算（熱對(duì)流損失計(jì)算（ 1））以典型炮號(hào) 34258的 時(shí)刻為例(?Ne(0)＝ ?1013/cm3， Ip=140kA）熱對(duì)流損失計(jì)算（熱對(duì)流損失計(jì)算（ 2）－擬合結(jié)果）－擬合結(jié)果擬合 OV體發(fā)射系數(shù)的峰值擬合 CIII體發(fā)射系數(shù)的峰值熱對(duì)流損失計(jì)算（熱對(duì)流損失計(jì)算（ 3））+PoHoPconv?100電子各能量損失項(xiàng)占總歐姆輸入功率比例電子各能量損失項(xiàng)占總歐姆輸入功率比例? 熱輸運(yùn)項(xiàng) (主要是傳導(dǎo)項(xiàng)）占 64％左右；? 輻射損失約占 20％；? 與離子碰撞轉(zhuǎn)移給離子的約 16％。?e的分布及誤差分析（的分布及誤差分析（ 1））? 假設(shè)環(huán)電壓 5％的誤差， Zeff有 20％的誤差，密度有 10％的誤差，溫度有 10％的誤差 時(shí)計(jì)算的結(jié)果。其中 1/2a處約為 25％。? 通過改變各參量誤差大小，結(jié)果發(fā)現(xiàn) ?e對(duì)電子溫度的誤差最敏感。在同一炮放電的平頂段， ?e值也比較平穩(wěn)。?e的分布及誤差分析（的分布及誤差分析（ 2））不同的離子溫度分布對(duì) ?e的分布影響不大。?e的分布及誤差分析（的分布及誤差分析（ 3））硅化硅化 前后前后 ?e行為的比較行為的比較硅化后 ,?e主要在r。硼化前后硼化前后 ?e行為行為 的比較的比較硼化后， ?e在整個(gè)等離子體內(nèi)均降低。?e(r=)隨隨 ?Ne(0)的增大而降低的增大而降低 (Ip=140kA,Bt=)(?Ne(0)=,Bt=)?e(r=)隨隨 ?Ip的增大而增大的增大而增大?e(r=)隨隨 Bt的增大而降低的增大而降低?e與歐姆情況下的定標(biāo)比較與歐姆情況下的定標(biāo)比較? INTOR定標(biāo)? Merezhkin定標(biāo) ? CoppiMazzucato定標(biāo) 能量約束時(shí)間能量約束時(shí)間 隨隨 ?Ne(0)和和 Ip的變化的變化能量約束時(shí)間實(shí)驗(yàn)值與忽略輻射損失后由經(jīng)驗(yàn)公式估算值的比較 。（ ?為實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)計(jì)算的的值， o由 估算的值 ） ?e與新經(jīng)典理論模型的比較與新經(jīng)典理論模型的比較反常輸運(yùn)目前提出的主要原因及模型反常輸運(yùn)目前提出的主要原因及模型漂移波不穩(wěn)定性靜電漂移波模型在低 ?條件下，磁場(chǎng)擾動(dòng) B1～ 0，這時(shí)的漂移波是靜電型 ；包括通行粒子的漂移不穩(wěn)定性和捕獲粒子不穩(wěn)定性 電磁漂移波模型一般地，當(dāng) 時(shí)電磁漂移波比較重要起來；如 Horton電磁漂移波模型， Parail電磁漂移波模型等。磁擾動(dòng)引起的不穩(wěn)定性比較大的徑向磁擾動(dòng)使磁場(chǎng)結(jié)構(gòu)的破壞，引起比較大的橫向輸運(yùn)；模式主要有：微撕裂模、電阻性壓強(qiáng)梯度模 (氣球模 )等。硅化前硅化前 ?e與理論模型的比較與理論模型的比較等離子體中心比較符合Horton電磁漂移波模型：?e~在邊界比較符合 Parail電磁漂移波 模型：?e~硅化后硅化后 ?e與理論模型的比較與理論模型的比較在等離子體中心 仍然比較符合 Horton模；在 r區(qū)域， Waltz 靜電漂移波比較符合實(shí)驗(yàn)值。 ?e~硼化后硼化后 ?e與理論模型的比較與理論模型的比較在 ra區(qū)域內(nèi)均比較符合 Horton電磁漂移波模型。硅化后硅化后 ?e實(shí)驗(yàn)值與實(shí)驗(yàn)值與 Waltz 模型得到的值模型得到的值 隨密隨密度、電流變化比較度、電流變化比較符號(hào) ‘?’,‘o’為能量平衡分析得到的值，實(shí)線為 Waltz模型計(jì)算得到的值 三、三、 HT－－ 7托卡馬克等離子體中自托卡馬克等離子體中自舉電流的研究舉電流的研究有關(guān)自舉電流從以下幾點(diǎn)來討論：其它裝置上自舉電流的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證自舉電流的估算公式HT7裝置硅化后自舉電流的研究HT7裝置硼化后自舉電流的研究其它裝置上自舉電流的實(shí)驗(yàn)證實(shí)其它裝置上自舉電流的實(shí)驗(yàn)證實(shí)TFTR在高 ?p值放電時(shí)等離子體表面環(huán)電壓隨時(shí)間的變化與 TRANSP程序預(yù)言的值的比較。(a)僅有歐姆電流，(b)包括束電流加歐姆電流，(c)包括束電流、歐姆電流加自舉電流。
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