cmos集成門(mén)電路powerpoint演示文(編輯修改稿)
2025-01-15 18:41 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 T N1 T P2 T N2 A B Y A B Y AB?+VDD B1 G1 D1 S1 A TN TP B2 D2 S2 G2 VSS AY ? AB?2. CMOS 或門(mén) Y 1 BABAY ????BA??+VDD B1 G1 D1 S1 A TN TP B2 D2 S2 G2 VSS AY ?A B ≥1 A B Y ≥1 +VDD V SS T P1 T N1 T N2 T P2 A B Y BA ??四、帶緩沖的 CMOS 與非門(mén)和或非 門(mén) 1. 基本電路的主要缺點(diǎn) (1) 電路的輸出特性不對(duì)稱： 當(dāng)輸入狀態(tài)不同時(shí)，輸出等效電阻不同。 (2) 電壓傳輸特性發(fā)生偏移，導(dǎo)致噪聲容限下降。 2. 帶緩沖的門(mén)電路 在原電路的輸入端和輸出端加反相器。 1 A B Y BAY ?? BA ?? B??與非門(mén) 或非門(mén) 同理 緩沖 或非門(mén) 與非門(mén) 緩沖 1 1 2. 3. 3 CMOS 與或非門(mén)和異或門(mén) 一、 CMOS 與或非門(mén) 1. 電路組成： A B C D ≥1 Y A B C D Y 1 2. 工作原理： CDABY ?? CDAB ?? CD?ABCD CDAB ? 由 CMOS 基本電路 (與非門(mén)和反相器 )組成。 二、 CMOS 異或門(mén) 1. 電路組成： A B Y 2. 工作原理： BABABAY ???? BABABA ???? BA ??AB ABA? BAB ?BAB ?? Y A B =1 由 CMOS 基本電路 (與非門(mén) )組成。 2. 3. 4 CMOS 傳輸門(mén)、三態(tài)門(mén)和漏極開(kāi)路門(mén) 一、 CMOS傳輸門(mén) (雙向模擬開(kāi)關(guān) ) 1. 電路組成： TP C VSS +VDD I O /
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