半導(dǎo)體薄膜的制備實(shí)驗(yàn)的特殊性及教學(xué)嘗試(編輯修改稿)
2025-10-27 15:55 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 理； 簡(jiǎn)述熱電偶規(guī)工作原理及使用注意事項(xiàng)； 簡(jiǎn)述熱陰極電離規(guī)工作原理及使用注意事項(xiàng)； 簡(jiǎn)述在濺射過(guò)程中所通氣體的作用； 簡(jiǎn)述在濺射過(guò)程中濺射功率的調(diào)節(jié)及注意事項(xiàng)； 簡(jiǎn)述化學(xué)清洗的方法及一般程序； 簡(jiǎn)述靶材的技術(shù)要求及制備工藝過(guò)程。 半導(dǎo)體薄膜的制備和性能測(cè)試實(shí)驗(yàn)的特殊性及教學(xué)嘗試 23 場(chǎng)景對(duì)話：實(shí)驗(yàn)過(guò)程的一般描述及問(wèn)答 (多數(shù)未列入實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)書(shū)和計(jì)算機(jī)演示中） ? 描述一：打開(kāi)裝置說(shuō)明各部分的用途 問(wèn)物理原理，請(qǐng)自己總結(jié)問(wèn)題 ? 描述二：調(diào)節(jié)儀器說(shuō)明其作用 請(qǐng)紀(jì)錄和自己總結(jié)問(wèn)題 ? 描述三：提示學(xué)生觀察實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象 請(qǐng)紀(jì)錄和自己總結(jié)問(wèn)題 ? 以上三部分的描述必須體現(xiàn)在實(shí)驗(yàn)報(bào)告中。 半導(dǎo)體薄膜的制備和性能測(cè)試實(shí)驗(yàn)的特殊性及教學(xué)嘗試 24 描述一： ? A、金屬電極的制備： 為何要用兩級(jí)真空系統(tǒng)？ 兩級(jí)真空系統(tǒng)的測(cè)量、熱偶規(guī)與電離規(guī)的工作原理？ 擴(kuò)散泵及旋片機(jī)械泵的工作原理？通冷卻水的作用 鍍膜時(shí)為何要對(duì)襯底加熱？ 熱蒸發(fā)原理及其要注意的事項(xiàng)（蒸發(fā)器與襯底之間 為何加擋板？金屬樣品及加熱絲的清洗 ） 襯底基片（硅片、玻璃片及其它）的清洗 半導(dǎo)體薄膜的制備和性能測(cè)試實(shí)驗(yàn)的特殊性及教學(xué)嘗試 25 ? B、 ZnO薄膜的制備 為何要用分子泵 — 機(jī)械泵兩級(jí)真空系統(tǒng)？ 分子泵的工作 原理？它與擴(kuò)散泵的差別？ 磁控濺射原理及問(wèn)題 （ 1）直流磁控與射頻磁控濺射的差別 （ 2）磁控濺射中磁場(chǎng)與電場(chǎng)的共同作用下帶電粒 子的運(yùn)動(dòng)方式 半導(dǎo)體薄膜的制備和性能測(cè)試實(shí)驗(yàn)的特殊性及教學(xué)嘗試 26 描述二 ： A、金屬電極的制備： 注意真空蒸發(fā)調(diào)節(jié)中的細(xì)節(jié) 真空泵及測(cè)量 裝置的開(kāi)啟流程： 檢查系統(tǒng)的漏氣情況，尤其檢查鐘罩密封圈有 無(wú)纖維等異物，密封圈有無(wú)縱向劃痕？ 檢查電路及供水系統(tǒng)是否完好？ 注意擴(kuò)散泵的開(kāi)機(jī)時(shí)機(jī)，并相應(yīng)調(diào)節(jié)各真空閥 真空計(jì)測(cè)量時(shí)間的選擇 加熱鎢絲蒸發(fā)源時(shí)的注意事項(xiàng) 開(kāi)啟蒸發(fā)源前為何要關(guān)閉真空計(jì)？ 蒸發(fā)電流為何要慢慢增加？ 半導(dǎo)體薄膜的制備和性能測(cè)試實(shí)驗(yàn)的特殊性及教學(xué)嘗試 27 ? B ZnO薄膜的制備 真空泵及測(cè)量 裝置的開(kāi)啟流程： 檢查系統(tǒng)的漏氣情況，尤其檢查鐘罩密封圈有 無(wú)纖維等異物 檢查電路及供水系統(tǒng)是否完好 注意分子泵的開(kāi)機(jī)時(shí)機(jī)，并相應(yīng)調(diào)節(jié)各真空閥 氣體流量的設(shè)定 根據(jù)實(shí)驗(yàn)要求設(shè)定濺射氣體與反應(yīng)氣體及其質(zhì) 量流量比 , 本實(shí)驗(yàn)中用氧化鋅粉末靶，為 什麼還要加氧氣作為反應(yīng)氣體？ 實(shí)驗(yàn)控制參數(shù)的設(shè)定 濺射功率、
試題試卷相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1