氧化鎳薄膜電性及光學(xué)穿透之研究(編輯修改稿)
2024-10-22 21:52 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 1 .01 .52 .02 .53 .03 .54 .0 Carrier concentration (Nx1018cm3)T i m e(m i n)NiO薄膜在空氣中導(dǎo)電度會(huì)隨時(shí)間增加而下降，藉由霍耳量測得其載子遷移率並沒有太大的改變，而載子濃度會(huì)明顯的隨時(shí)間而下降，因此可以推測時(shí)效機(jī)構(gòu)是因薄膜和空氣中的氣氛反應(yīng)抵消電洞所致。 氣氛對 NiO薄膜電性的影響 0 1000 2022 3000 4000 50000202200400000600000800000O2CO2N2ArCOH2 Resistance change (ohm)T i m e ( m i n)NiO薄膜在各種氣氛下電阻隨時(shí)間的變化情形，由圖可知，還原性氣氛 H2及 CO對 NiO薄膜電阻的影響最明顯。 濕度對 NiO薄膜電性的影響 0 1000 2022 3000 4000010000020220030000040000050000060000070000080000010 ? R H2 ? R H Resistance change (ohm)T i m e ( m i n) 40 ? R H 30 ? R H 20 ? R HNiO薄膜在不同濕度下電阻隨時(shí)間的變化情形，由圖可知，當(dāng)濕度在 2~20RH時(shí)，電阻的變化率會(huì)隨濕度的增加而增加，而濕度超過 20RH後，電阻隨時(shí)間的增加率達(dá)到最大值不再增加。 0 1000 2022 30000100000202200300000400000500000600000700000800000900000 N i O N i O (2 . 9 a t % L i ) N i O (3 . 5 a t % L i ) N i O (7 . 4 a t % L i )T i m e ( m i n)Resistance (ohm)NiO薄膜
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