高效sic技術(shù)的介紹和分析(編輯修改稿)
2024-09-19 21:58 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 Ω/1200 V SiC MOSFET + 4x10 A/1200 V SiC 二極管接下來(lái)我們來(lái)看一下它們的效率對(duì)比。首先把Si二極管改成SiC二極管。圖2是兩者不同功率時(shí)效率的對(duì)比曲線。當(dāng)開關(guān)頻率大于4Khz時(shí)，SiC二極管對(duì)效率的改善就顯現(xiàn)出來(lái)。當(dāng)開關(guān)頻率16Khz，電流5A時(shí)，損耗下降50%，%%。如果進(jìn)一步把IGBT也改成SiC MOSFET的話，損耗進(jìn)一步下降37%%。如圖3. 當(dāng)開關(guān)頻率進(jìn)一步提高，大于32Khz時(shí)，SiC MOSFET的效果將會(huì)更加明顯。保持輸入電流不變，進(jìn)一步提升開關(guān)頻率由16khz到64Khz，損耗相對(duì)下降35%。從這里可以看出，SiC MOSFET非常適合高頻化的應(yīng)用，甚至是在大電流輸入的時(shí)候，只要能保證有較好的散熱系統(tǒng)。以上的這些仿真是基于散熱器溫度80度。Si器件由于其自身的限制，在高頻、高效的應(yīng)用中會(huì)有很多局限，而SiC不同，正是其自身的屬性，剛好可以滿足更高效率、更高開關(guān)頻率的應(yīng)用?！ D2：IGBT+ Si 或者SiC二極管，4到16Khz時(shí)不同電流的效率對(duì)比曲線 圖3：IGBT+ SiC二極管和SiC MOSFET+ SiC二極管，16到64Khz，不同電流的效率對(duì)比曲線 下面的幾幅圖從輸出電流能力的角度來(lái)說(shuō)明SiC器件相對(duì)Si器件的優(yōu)勢(shì)。例如，假設(shè)50W總損耗，開關(guān)頻率16Khz，如圖4所示，IGBT+SiC二極管的組合，輸出電流能力比IGBT+Si二極管的組合大85%?！ ”３諷iC二極管不變，對(duì)比IGBT和SiC MOSF
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