[高等教育]8_擴(kuò)展電阻法測硅片微區(qū)電阻率變化(編輯修改稿)
2024-09-17 16:12 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 ，壓痕是許多接觸點(diǎn)集合組成的。另外，上面的討論建立在金屬探針與半導(dǎo)體完全歐姆接觸的理想情況上，實(shí)際上金屬于半導(dǎo)體接觸后，由于它們之間功函數(shù)的差別，都程度不同的存在接觸電勢差，在探針與半導(dǎo)體接觸出會(huì)形成勢壘。此時(shí)，金屬探針與半導(dǎo)體之間的總電阻，即實(shí)際測得的擴(kuò)展電阻可表示為 （）式中，Rb0是接觸電阻，無法從理論上計(jì)算。因此由于實(shí)際接觸不是理想的平面歐姆接觸，需對（）式用實(shí)驗(yàn)的校正因子K進(jìn)行校正，既 （）式中K值和無法求出的值都是關(guān)系的比例系數(shù)，K還是樣品電阻率的函數(shù)，所以一般通過實(shí)驗(yàn)來確定校正曲線。有了校正曲線，只要測擴(kuò)展電阻值，就可以從校正曲線上查處對應(yīng)的電阻率。確定校正曲線的方法如下：（1）先選電阻率處于測量范圍的單晶片作標(biāo)準(zhǔn)樣品。在每個(gè)樣品上進(jìn)行20次以上的擴(kuò)展電阻測量，檢驗(yàn)其電阻率的均勻性。標(biāo)準(zhǔn)偏差小于10%則認(rèn)為該標(biāo)準(zhǔn)樣品可用。標(biāo)準(zhǔn)樣品應(yīng)與被測有相同的表面狀態(tài)、導(dǎo)電類型和晶向。（2）用四探針準(zhǔn)確測量標(biāo)定個(gè)標(biāo)準(zhǔn)樣品的電阻率。（3）四探針測量區(qū)域內(nèi)，至少作20次擴(kuò)展電阻測量，計(jì)算擴(kuò)展電阻的平均值。（4）在雙對數(shù)坐標(biāo)紙上畫出定
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