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正文內(nèi)容

單端a類放大器及場效應(yīng)管(編輯修改稿)

2024-09-13 08:27 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 (2) 選用VMOS 管子源漏耐壓BV DSS 不要過高,能達(dá)到要求即可, 因?yàn)锽V DSS 大的管子飽和壓降也大,會影響效率。結(jié)型場效應(yīng)管則要盡可能高些,因?yàn)樗麄儽緛砭筒桓撸话鉈V DSS 為30~50 V,BV GSS 為20 V?! ?3)VMOS 管子的BV GSS 盡可能高些,因?yàn)閂MOS管子?xùn)艠O很嬌氣,很容易被擊穿,儲存或操作要慎之又慎,防止帶靜電的物體接觸管腳。在儲存中要將
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