醫(yī)療器械有效期驗證報告(編輯修改稿)
2024-09-04 08:19 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 的壽命，Tnormal為室溫絕對溫度，Tstress為高溫下的絕對溫度，Ea為失效反應(yīng)的活化能(eV)，k為Boltzmann常數(shù)，105eV/K，實踐表明絕大多數(shù)電子元器件的失效符合Arrhenius模型，表1給出了半導體元器件常見的失效反應(yīng)的活化能。表1 半導體元器件常見失效類型的活化能設(shè)備名稱失效類型失效機理活化能（eV）IC斷開AuAl金屬間產(chǎn)生化合物IC斷開Al的電遷移IC（塑料）斷開Al腐蝕MOS IC（存貯器）短路氧化膜破壞二極管短路PN結(jié)破壞（AuSi 固相反應(yīng)）晶體管短路Au的電遷移MOS 器件閾值電壓漂移發(fā)光玻璃極化MOS 器件閾值電壓漂移Na離子漂移至Si氧化膜MOS 器件閾值電壓漂移SiSi氧化膜的緩慢牽引 電壓加速因子電壓的加速因子由Eyring 模型計算其中，Vstress為加速試驗電壓，Vnormal為正常工作電壓，β為電壓的加速率常數(shù)。 濕度加速因子 濕度的加速因子由Hallberg和Peck 模型計算其中，RHstress為加速試驗相對濕度，RHnormal為正常工作相對濕度，n為濕度的加速率常數(shù)，不同的失效類型對應(yīng)不同的值，一般介于23之間。
溫度變化加速因子溫度變化的加速因子由 CoffinMason公式計算其中，△Tsress為加速試驗下的溫度變化，△Tnormal為正常應(yīng)力下的溫度變化，n為溫度變化的加速率常數(shù)，不同
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