電子信息材料(編輯修改稿)
2024-09-01 16:34 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 破，即將進人顛覆性技術創(chuàng)新和應用的階段。第3代半導體材料科學的基礎性研究和產(chǎn)業(yè)化技術已經(jīng)在美國、日本、歐盟3大區(qū)域初步發(fā)展成熟。第3代半導體科技的發(fā)展，不僅表現(xiàn)在襯底及外延材料尺寸不斷由小直徑向大直徑發(fā)展，也體現(xiàn)在材料質量與器件性能的不斷飛躍。與此同時成本和價格不斷下降，推動了相關產(chǎn)業(yè)的升級發(fā)展。我國開展第3代半導體的研究工作雖然起步比發(fā)達國家稍晚，但在國家科技計劃項目多年連續(xù)支持下，在技術和人才方面形成了良好的積累和基礎，并在國防、電動汽車等領域已開始相關器件的應用。依托我國巨大的潛在應用市場，通過需求牽引，有望帶領我國第3代半導體在新時期實現(xiàn)“彎道超車”，搶占第3代半導體戰(zhàn)略制高點。在微波射頻領域，GaN器件在民用市場和軍用市場都已經(jīng)實現(xiàn)規(guī)?；瘧谩Ｔ诿裼檬袌?，GaN射頻器件在5G通信領域需求顯著。5G通信的數(shù)據(jù)流量需求將是現(xiàn)有技術流量的1000倍以上，屆時對GaN射頻器件的使用量將為現(xiàn)有GaAs器件的100倍以上。日本松下公司已推出業(yè)界最小的增強型600V一GaN功率晶體管。在軍用市場，GaN射頻器件需求快速增長，僅戰(zhàn)斗機雷達對GaN射頻功率模塊的需求就將達到7 500萬只。目前，美國海軍新一代干擾機吊艙及空中和導彈防御雷達(AMDR)已采用GaN射頻功放器件替代GaAs器件。據(jù)Yole預測，2020年末，GaN射頻器件市場規(guī)模將擴大至目前的2倍，年均復合增長率20% 。我國4G和5G網(wǎng)絡建設對GaN射頻器件需求同樣巨大。CSA Research預測，到2020年，我國GaN射頻器件產(chǎn)業(yè)的將達到104億元，較現(xiàn)有市場規(guī)模翻2番(詳見圖2)。僅在移動通訊基站應用領域
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