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正文內(nèi)容

圖解三極管的工作原理(編輯修改稿)

2024-09-01 04:40 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 管相同,須加 ),基極電流IB=0,因?yàn)镮C=β IB,所以IC=IE=0,此時CE極之間相當(dāng)于斷路,負(fù)載無電流。 a)基極(B)不加偏壓使基極電流IB等于零(b)基極(B)加上反向偏壓使基極電流IB等于零(c)此時集極(C)與射極(E) 之間形同段路,負(fù)載無電流通過圖5 三極管截止?fàn)顟B(tài)飽合狀態(tài)飽合(saturation)狀態(tài):如圖6所示,當(dāng)三極管之基極加入駛 大的電流時,因?yàn)镮C≒IE=βIB,射極和集極的電流亦非常大,此 時,集極與射極之間的電壓降非常低(),其意義相 當(dāng)于集極與射極之間完全導(dǎo)通,此一狀態(tài)稱為三極管飽合。 圖6 (a)基極加上足夠的順向 (b)此時CE極之間視同 偏壓使IB足夠大 導(dǎo)通狀態(tài)晶體管的電路符號和各三個電極的名稱如下圖7 PNP型三極管 圖8 NPN型三極管 三極管的特性曲線 輸入特性 圖2 (b)是三極管的輸入特性曲線,它表示Ib隨Ube的變化關(guān)系,其特點(diǎn)是:1)當(dāng)Uce在02伏范圍內(nèi),曲線位置和形狀與Uce有關(guān),但當(dāng)Uce高于2伏后,曲線Uce基本無關(guān)通常輸入特性由兩條曲線(Ⅰ和Ⅱ)表示即可。 2)當(dāng)Ube<UbeR時,Ib≈O稱(0~UbeR)的區(qū)段為“死區(qū)”當(dāng)Ube>UbeR時,Ib隨Ube增加而增加,放大時,三極管工作在較直線的區(qū)段。 3)三極管輸入電阻,定義為: rbe=(△Ube/△Ib)Q點(diǎn),其估算公式為: rbe=rb+(β+1)(26毫伏/Ie毫伏) rb為三極管的基區(qū)電阻,對低頻小功率管,rb約為300歐。 輸出特性 輸出特性表示Ic隨Uce的變化關(guān)系(以Ib為參數(shù))從圖9(C)所示的輸出特性可見,它分為三個區(qū)域:截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。 截止區(qū)當(dāng)Ube<0時,則Ib≈0,發(fā)射區(qū)沒有電子注入基區(qū),但由于分子的熱運(yùn)動,集電集仍有小量電流通過,即Ic=Iceo稱為穿透電流,常溫時Iceo約為幾微安,鍺管約為幾十微安至幾百微安,它與集電極反向電流Icbo的關(guān)系是: Icbo=(1+β)Icbo 常溫時硅管的Icbo小于1微安,鍺管的Icbo約為10微安,對于鍺管,溫度每升高12℃,Icbo數(shù)值增加一倍,而對于硅管溫度每升高8℃, Icbo數(shù)值增大一倍,雖然硅管的Icbo隨溫度變化更劇烈,但由于鍺管的Icbo值本身比硅管大,所以鍺管仍然受溫度影響較嚴(yán)重的管,放大區(qū),當(dāng)晶體三極管發(fā)射結(jié)處于正偏而集電結(jié)于反偏工作時,Ic隨Ib近似作線性變化,放大區(qū)是三極管工作在放大狀態(tài)的區(qū)域。 飽和區(qū)當(dāng)發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均處于正偏狀態(tài)時,Ic基本上不隨Ib而變化,失去了放大功能。根
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