圖解三極管的工作原理-免費(fèi)閱讀
【正文】 晶體三極管的放大作用晶體管是一個(gè)電流控制組件，其集極電流 IC可以由基極電流IB控制，只需輕微的改變基流IB就可以引起很大的集流變化IC。晶體三極管偏置使用晶體管作放大用途時(shí)，必須在它的各電極上加上適當(dāng)極性的電壓，稱為“偏置電壓”簡稱“偏壓”， 又“偏置偏流”。所以當(dāng)Ic超過ICM時(shí)，雖然不致使管子損壞，但β值顯著下降，影響放大品質(zhì)。良好的三極管，Icbo很小，小功率鍺管的Icbo約為1～10微安，大功率鍺管的Icbo可達(dá)數(shù)毫安培，而硅管的Icbo則非常小，是毫微安級。 圖6 (a)基極加上足夠的順向 (b)此時(shí)CE極之間視同 偏壓使IB足夠大 導(dǎo)通狀態(tài)晶體管的電路符號和各三個(gè)電極的名稱如下圖7 PNP型三極管 圖8 NPN型三極管 三極管的特性曲線 輸入特性 圖2 （b)是三極管的輸入特性曲線，它表示Ib隨Ube的變化關(guān)系，其特點(diǎn)是：1）當(dāng)Uce在02伏范圍內(nèi)，曲線位置和形狀與Uce有關(guān)，但當(dāng)Uce高于2伏后，曲線Uce基本無關(guān)通常輸入特性由兩條曲線（Ⅰ和Ⅱ）表示即可。 圖3 (a) pnp三極管在正向活性區(qū)時(shí)主要的電流種類；(b)電洞電位能分布及 注入的情形；(c)電子的電位能分布及注入的情形。 三極管和兩個(gè)反向相接的pn二極管有什么差別呢？其間最大的不同部分就在 于三極管的兩個(gè)接面相當(dāng)接近。三個(gè)接出來的端點(diǎn)依序稱為射極（emitter, E）、基極（base, B）和集 極（collector, C），名稱來源和它們在三極管操作時(shí)的功能有關(guān)。這就是三極管中的截止區(qū)。 假設(shè)三極管是個(gè)大壩，這個(gè)大壩奇怪的地方是，有兩個(gè)閥門，一個(gè)大閥門，一個(gè)小閥門。小閥門可以用人力打開，大閥門很重，人力是打不開的，只能通過小閥門的水力打開。 飽和區(qū)是一樣的，因?yàn)榇藭r(shí)江水達(dá)到了很大很大的程度，管理員開的閥門大小已經(jīng)沒用了。圖中也顯示出 npn與pnp三極管的電路符號，射極特別被標(biāo)出，箭號所指的極為n型半導(dǎo)體， 和二極體的符號一致。以上述之偏壓在正向活性區(qū)之pnp三極管為例， 射極的電洞注入基極的n型中性區(qū)，馬上被多數(shù)載體電子包圍遮蔽，然后朝集電極 方向擴(kuò)散，同時(shí)也被電子復(fù)合。一般三極管設(shè)計(jì)時(shí)，射極的摻雜濃度較基極的高許多，如此由射極注入基極 的射極主要載體電洞（也就是基極的少數(shù)載體）IpE? B電流會比由基極注入射極 的載體電子電流InB? E大很多，三極管的效益比較高。 2）當(dāng)Ube＜UbeR時(shí)，Ib≈O稱（0～UbeR)的區(qū)段為“死區(qū)”當(dāng)Ube＞UbeR時(shí)，Ib隨Ube增加而增加，放大時(shí)，三極管工作在較直線的區(qū)段。 （2）集電極一發(fā)射極反向電流Ice
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