圖解三極管的工作原理-wenkub.com
2025-08-02 04:40 本頁面
【正文】 簡單來說，晶體管的放大原理是把微弱的電信號(hào) (微弱的電壓信號(hào) Vi) 加在基極上，使基極電流按電信號(hào)變化，通過晶體管的電流控制作用，就可以在負(fù)載上得到與原信號(hào)變化一樣，但增強(qiáng)了的電信號(hào) (較大的電壓信號(hào) Vo)。 按晶體管公共電極的不同選擇，晶體管放大電路有三種：共基極電路( Common base circuit)、共射極電路(Common emitter circuit) 和共集極電路(Common collector circuit)，如下圖示。晶體管各電極加上適當(dāng)?shù)钠秒妷褐螅麟姌O上便有電流流動(dòng)。 PCM與散熱條件有關(guān)，增加散熱片可提高PCM。 （3）發(fā)射極基極反向擊穿電壓BVEBO當(dāng)集電極開路時(shí)，發(fā)射結(jié)的反向擊穿電壓稱為BVEBO。高頻三極管的α＞ α與β之間的關(guān)系： α= β/（1+β） β= α/（1α）≈1/（1α） （3）截止頻率fβ、就什發(fā)射極的截止頻率fβ；，就什基極的截止頻率fαo fβ、 fα是表明管子頻率特性的重要參數(shù)，它們之間的關(guān)系為： fβ≈（1α）fα （4）特征頻率fT因?yàn)轭l率f上升時(shí)，β就下降，當(dāng)β下降到1時(shí)，對(duì)應(yīng)的fT是全面地反映電晶體的高頻放大性能的重要參數(shù)。 Iceo大約是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)Icbo o Icbo和Iceo受溫度影響極大，它們是衡量管子熱穩(wěn)定性的重要參數(shù)，其值越小，性能越穩(wěn)定，小功率鍺管的Iceo比硅管大。根據(jù)三極管發(fā)射結(jié)和集電結(jié)偏置情況，可能判別其工作狀態(tài)。 3）三極管輸入電阻，定義為: rbe=(△Ube/△Ib)Q點(diǎn)，其估算公式為： rbe=rb+(β+1)(26毫伏/Ie毫伏） rb為三極管的基區(qū)電阻，對(duì)低頻小功率管，rb約為300歐。 (cut off)狀態(tài):如圖5所示，當(dāng)三極管之基極不加偏壓或 加上反向偏壓使BE極截止時(shí)(BE極之特性和二極管相同，須加 )，基極電流IB=0，因?yàn)镮C=β IB，所以IC=IE=0，此時(shí)CE極之間相當(dāng)于斷路，負(fù)載無電流。圖3(b)和(c)個(gè)別畫出電洞 和電子的電位能分布及載體注入的情形。pnp三極管在正向活性區(qū)時(shí)主要的電流種類可以清楚地 在圖3(a)中看出。當(dāng)沒有被復(fù)合的電洞到達(dá)BC接面的耗盡區(qū)時(shí)， 會(huì)被此區(qū)內(nèi)的電場加速掃入集電極，電洞在集電極中為多數(shù)載體，很快藉由漂移電流 到達(dá)連結(jié)外部的歐姆接點(diǎn)，形成集電極電流IC。 EB接面的空乏 區(qū)由于在正向偏壓會(huì)變窄，載體看到的位障變小，射極的電洞會(huì)注入到基極，基 極的電子也會(huì)注入到射極；而BC接面的耗盡區(qū)則會(huì)變寬，載體看到的位障變大， 故本身是不導(dǎo)通的。在沒接
環(huán)評(píng)公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1