半導(dǎo)體二極管、三極管來料檢驗(yàn)規(guī)程-免費(fèi)閱讀
【正文】 如果生產(chǎn)急需，檢驗(yàn)不合格的項(xiàng)目又非器件的主要性能指標(biāo)時(shí)，可安排進(jìn)行100%的篩選測(cè)試，將篩選出來的合格品驗(yàn)收入庫，不合格品退供應(yīng)部門處理。 接收試驗(yàn)接收試驗(yàn)的樣品從常規(guī)檢驗(yàn)合格的樣品中抽取，樣品數(shù)量隨來料批量的大小來定。；浸入深度：與引出腳或焊盤平齊。 測(cè)二極管的反向電流I0按附表1“擊穿電壓測(cè)試”欄、測(cè)二極管的要求，調(diào)整晶體管特性圖示儀各選擇開關(guān)的檔位。只是要按附表1各測(cè)試項(xiàng)目欄中測(cè)NPN晶體管的要求調(diào)整晶體管特性圖示儀各選擇開關(guān)的檔位。 測(cè)小功率晶體管的共射極電流放大系數(shù)β 觀小功率NPN晶體管的共發(fā)射極輸出特性曲線IC=10mA的直線與放大區(qū)某一特性曲線的交點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的IB值，即可粗略地計(jì)算出在該工作點(diǎn)對(duì)應(yīng)的共發(fā)射極電流放大系數(shù)β β=（～）IC/IBβ值在該小功率NPN晶體管的標(biāo)稱電流放大系數(shù)范圍內(nèi)為合格，否則為不合格。注意：操作人員應(yīng)避免直接接觸高壓電極，并且每測(cè)試完一只達(dá)林頓晶體管的反向擊穿電壓，都要將“峰值電壓調(diào)節(jié)”旋鈕調(diào)節(jié)回0，以保障人員和設(shè)備安全。該線簇應(yīng)均勻、平滑、無畸變，為合格（如圖2a所示）。否則為不合格。否則為不合格。每種器件在測(cè)試前都要做外觀檢查：管腳應(yīng)光潔、明亮，管身標(biāo)志清晰、無劃痕，封裝尺寸應(yīng)符合訂貨要求。電子元器件來料檢驗(yàn)規(guī)程（一）半導(dǎo)體晶體管部分1 內(nèi)容本規(guī)程規(guī)定了本公司常用半導(dǎo)體二極管、三極管、達(dá)林頓晶體管、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）來料檢驗(yàn)的抽樣方式、接收標(biāo)準(zhǔn)、檢驗(yàn)測(cè)試方法和所用測(cè)試儀器等具體要求。 絕緣柵N溝道雙極晶體管IGBT主要測(cè)試參數(shù)：IGBT的特性曲線IGBT的飽和壓降VCES IGBT的柵極閾值電壓VGE（th）IGBT的擊穿電壓VCER測(cè)試方法： 現(xiàn)將上述特性參數(shù)的測(cè)試方法分述如下。 測(cè)IGBT的轉(zhuǎn)移特性曲線按附表1“常規(guī)測(cè)試/轉(zhuǎn)移特性曲線”欄、測(cè)IGBT的要求調(diào)整晶體管特性圖示儀各選擇開關(guān)的檔位。 測(cè)IGBT的擊穿電壓VCER按附表1“擊穿電壓測(cè)試”欄、測(cè)IGBT的要求，調(diào)整晶體管特性圖示儀各選擇開關(guān)的檔位。否則為不合格（如圖2b所示）。 小功率晶體管 主要測(cè)試參數(shù)：小功率晶體管的共發(fā)射極輸出特性曲線小功率晶體管的飽和壓降VCES 小功率晶體管的共射極電流放大系數(shù)β小功率晶體管基極開路時(shí)的反向擊穿電壓BVCE0 小功率晶體管基極開路時(shí)的穿透電流ICE0測(cè)試方法：現(xiàn)將上述特性參數(shù)的測(cè)試方法分述如下。 測(cè)小功率晶體管基極開路時(shí)的反向擊穿電壓BVCE0按附表1“擊穿電壓測(cè)試”欄、測(cè)小功率NPN晶體管的要求，調(diào)整晶體管特性圖示儀各選擇開關(guān)的檔位。 二極管主要測(cè)試參數(shù)：二極管的VA特性曲線二極管的正向壓降VF二極管的反向電流I0二極管的反向擊穿電壓BVR 測(cè)試方法：現(xiàn)將上述特性參數(shù)的測(cè)試方法分述如下。接入待測(cè)的二極管，使峰值電壓由0V緩慢增加，觀測(cè)在被測(cè)二極管正常工作電壓范
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