半導體二極管、三極管來料檢驗規(guī)程-免費閱讀
【正文】 如果生產(chǎn)急需，檢驗不合格的項目又非器件的主要性能指標時，可安排進行100%的篩選測試，將篩選出來的合格品驗收入庫，不合格品退供應部門處理。 接收試驗接收試驗的樣品從常規(guī)檢驗合格的樣品中抽取，樣品數(shù)量隨來料批量的大小來定。；浸入深度：與引出腳或焊盤平齊。 測二極管的反向電流I0按附表1“擊穿電壓測試”欄、測二極管的要求，調(diào)整晶體管特性圖示儀各選擇開關的檔位。只是要按附表1各測試項目欄中測NPN晶體管的要求調(diào)整晶體管特性圖示儀各選擇開關的檔位。 測小功率晶體管的共射極電流放大系數(shù)β 觀小功率NPN晶體管的共發(fā)射極輸出特性曲線IC=10mA的直線與放大區(qū)某一特性曲線的交點所對應的IB值，即可粗略地計算出在該工作點對應的共發(fā)射極電流放大系數(shù)β β=（～）IC/IBβ值在該小功率NPN晶體管的標稱電流放大系數(shù)范圍內(nèi)為合格，否則為不合格。注意：操作人員應避免直接接觸高壓電極，并且每測試完一只達林頓晶體管的反向擊穿電壓，都要將“峰值電壓調(diào)節(jié)”旋鈕調(diào)節(jié)回0，以保障人員和設備安全。該線簇應均勻、平滑、無畸變，為合格（如圖2a所示）。否則為不合格。否則為不合格。每種器件在測試前都要做外觀檢查：管腳應光潔、明亮，管身標志清晰、無劃痕，封裝尺寸應符合訂貨要求。電子元器件來料檢驗規(guī)程（一）半導體晶體管部分1 內(nèi)容本規(guī)程規(guī)定了本公司常用半導體二極管、三極管、達林頓晶體管、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）來料檢驗的抽樣方式、接收標準、檢驗測試方法和所用測試儀器等具體要求。 絕緣柵N溝道雙極晶體管IGBT主要測試參數(shù)：IGBT的特性曲線IGBT的飽和壓降VCES IGBT的柵極閾值電壓VGE（th）IGBT的擊穿電壓VCER測試方法： 現(xiàn)將上述特性參數(shù)的測試方法分述如下。 測IGBT的轉(zhuǎn)移特性曲線按附表1“常規(guī)測試/轉(zhuǎn)移特性曲線”欄、測IGBT的要求調(diào)整晶體管特性圖示儀各選擇開關的檔位。 測IGBT的擊穿電壓VCER按附表1“擊穿電壓測試”欄、測IGBT的要求，調(diào)整晶體管特性圖示儀各選擇開關的檔位。否則為不合格（如圖2b所示）。 小功率晶體管 主要測試參數(shù)：小功率晶體管的共發(fā)射極輸出特性曲線小功率晶體管的飽和壓降VCES 小功率晶體管的共射極電流放大系數(shù)β小功率晶體管基極開路時的反向擊穿電壓BVCE0 小功率晶體管基極開路時的穿透電流ICE0測試方法：現(xiàn)將上述特性參數(shù)的測試方法分述如下。 測小功率晶體管基極開路時的反向擊穿電壓BVCE0按附表1“擊穿電壓測試”欄、測小功率NPN晶體管的要求，調(diào)整晶體管特性圖示儀各選擇開關的檔位。 二極管主要測試參數(shù)：二極管的VA特性曲線二極管的正向壓降VF二極管的反向電流I0二極管的反向擊穿電壓BVR 測試方法：現(xiàn)將上述特性參數(shù)的測試方法分述如下。接入待測的二極管，使峰值電壓由0V緩慢增加，觀測在被測二極管正常工作電壓范
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