四極桿質(zhì)量分析器原理(編輯修改稿)
2024-09-01 03:57 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 . Extrel 4. Hiden 5. Inficon 6. Pfeiffer7. Reliance 5. 離子在四極桿分析器內(nèi)的運(yùn)動(dòng)離子在雙曲面完美四極場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)，可以通過(guò)簡(jiǎn)單的數(shù)學(xué)來(lái)描述：離子在x方向感受到的電場(chǎng)可以表示為： 這樣離子受到的電場(chǎng)力可以表示為： 結(jié)合牛頓第二定律： 將電場(chǎng)和加速度展開后，整理， 這就是描述離子在雙曲面四極桿電場(chǎng)中x方向的運(yùn)動(dòng)公式。Tiny Chemistry is Physics, Tiny Physics is Mathematics.通過(guò)數(shù)值計(jì)算可以得到離子在四極桿中的飛行軌跡： 離子順利通過(guò)四極桿質(zhì)量分析器離子沒有通過(guò)四極桿質(zhì)量分析器，撞死在電極表面6. 四極桿與離子阱的精度差異由于不能通過(guò)四極桿的離子消耗在四極桿的表面上，也就是四極桿的表面參與了選擇離子的過(guò)程，與離子有直接的接觸，導(dǎo)致電極表面需要的制造加工水平相當(dāng)?shù)母?。一方面四極桿的表面需要盡可能高的近似于雙曲線，即幾何精度很高；另一方面四極桿的表面處理要考慮到與離子的直接接觸，二次離子效應(yīng)要低，耐污染，即微觀結(jié)構(gòu)優(yōu)化。兩片式PCB平板線型離子阱的電場(chǎng)中心有很好的雙曲線性質(zhì)相比之下，離子阱由于先將離子冷卻在中心，再選擇性的從小孔激發(fā)出所需離子，所以離子理論上并不需要與電極表面接觸。由于離子處于分析器的中心，而電場(chǎng)具有自動(dòng)平滑過(guò)渡的性質(zhì)，這樣離子阱的集合形狀并不十分嚴(yán)格：雙曲線、圓、圓柱甚至平面以及各種形狀的混合電極都有報(bào)道實(shí)現(xiàn)離子阱的功能。同時(shí)，也正是由于理論上離子與電極不直接接觸，對(duì)電極表面的性質(zhì)并不十分嚴(yán)格的要求。實(shí)踐中，離子阱的加工精度比四極桿的低一個(gè)數(shù)量級(jí)即可（即5～15微米）7. 古老的Mathieu方程，現(xiàn)代的解182。早在1860年代，數(shù)學(xué)家201。mile L233。onard Mathieu就研究過(guò)這種類型的微分方程，并且給出了非常完備的解。后來(lái)為了紀(jì)念此人，這類方程就稱為馬修方程。馬修方程的形式可以表示
環(huán)評(píng)公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1