單結晶體管的識別與檢測(編輯修改稿)
2025-09-01 03:27 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 系。圖721(a)是測量伏安特性的實驗電路，在BBl間加上固定電源EB，獲得正向電壓VBB并將可調(diào)直流電源EE通過限流電阻RE接在E和Bl之間。（a）測試電路 (b)伏安特性圖722 單結晶體管伏安特性當外加電壓VEηVBB+VD時(VD為PN結正向壓降)，PN結承受反向電壓而截止，故發(fā)射極回路只有微安級的反向電流，單結晶體管子處于截止區(qū)，如圖722(b)的aP段所示。 在VE =ηVBB+VD時，對應于圖722(b)中的P點，該點的電壓和電流分別稱為峰點電壓VP和峰點電流IP。由于PN結承受了正向電壓而導通，此后RB1 急劇減小，VE隨之下降，IE迅速增大，單結晶體管呈現(xiàn)負阻特性，負阻區(qū)如圖722 (b)中的PV段所示。V點的電壓和電流分別稱為谷點電壓VV和谷點電流IV。過了谷點以后，IE繼續(xù)增大，VE略有上升，但變化不大，此時單結晶體管進入飽狀態(tài)，圖中對應于谷點V以右的特性，稱為飽和區(qū)。當發(fā)射極電壓減小到VEVV時，單結晶體管由導通恢復到截止狀態(tài)。綜上所述，峰點電壓VP是單結晶體管由截止轉向導通的臨界點。 （722）所以，VP由分壓比η和電源電壓決定VBB。谷點電壓VV是單結晶體管由導通轉向截止的臨界點。一般VV = 2～5V（VBB = 20V）
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