【文章內(nèi)容簡介】
c t ho le in Si O 2 p+ d iffu s io n m e ta l fi ng e r (p) Fro n t s i d e Rea r s i d e pi tc h A nti refl e c iti v e c oa tin g te x ture 電池結(jié)構(gòu) 商業(yè)化單晶硅電池組件 背接觸電池( Sunpower) 21 n+nps i l i c on th i n oxi d e (~20 0 197。 )ox i derea r c on tactfi n ge r i nv e r t ed p y ra m i d sS i O2an t i refl ec t i onc oa ti ng◆ LFC PERC 電池 (激光打點(diǎn)接觸 - 發(fā)射區(qū)與背面鈍化電池( UNSW)- Fraunhofer 研究所 ?= 23% ?= % 光 刻工藝 激光打點(diǎn)工藝 22 ◆ 新南威爾士大學(xué) PERL電池 ? = % ◆ 北京太陽能研究所 高效電池 ? = % 23 ◆ 一種 n-型襯底高效電池結(jié)構(gòu) 24 ◆ 激光刻槽埋柵電池 新新南威爾士大學(xué) 北京太陽能研究所 ? = % ? = % 25 ◆ Sanyo’ HIT solar cell(aSi/ncSi) (Heterojunction with Intrinsic Thinlayer) aSi 層卓越鈍化性能 + n型襯底優(yōu) 越性 實(shí)驗(yàn)室最好效率: ? = % 商業(yè)化電池效率; ? = % n type cSi (textured) p/i aSi i/n aSi 0 0 1 2 3 4 Current ( A) 5 Output ( W) 0 1 2 3 4 5 , 100mW/cm2, 25℃ Cell size : Measurement in AIST 712 mV A Eff. FF % Isc % Voc 26 Time 7 9 11 13 15 17 Relative Output Temperature (o C) 30 50 70 40 60 %UP Cell Temp. HIT P/N diffusion HIT (%/oC) P/N diffusion (%/oC) Normalized Efficiency 30 40 60 80 Temperature (oC) Smaller temperature coefficient 27 28 ◆ 德國 ISFH 的 OECO 電池- ?= 20% OECO (傾斜蒸發(fā)金屬接觸 ) 電池 特點(diǎn) :機(jī)械織構(gòu)化 +側(cè)面柵線 傾斜蒸發(fā)金屬接觸 R. Hezel, R. Meyer and . Mueller, 19th European PVSEC, Paris, 29 ( 2)多晶硅高效電池 ◆ 多晶硅材料制造成本低于單晶硅 CZ材料, ◆ 能直接制備出適于規(guī)模化生產(chǎn)的大尺寸方 型硅錠, 240kg, 400kg, 800kg ◆ 制造過程簡單、省電、節(jié)約硅材料, 因此具有更大降低成本的潛力。 但是多晶硅材料質(zhì)量比單晶硅差,有許多晶界存在,電池效率比單晶硅低; 晶向不一致,表面織構(gòu)化困難。 30 ◆ 喬治亞 (Geogia)工大- 采用磷吸雜和雙層減 反射膜技術(shù),使電池的效率達(dá)到 % ; ◆ 新南威爾士大學(xué)-采用類似 PERL電池技術(shù), 使電池的效率 % ◆ Fraunhofer研究所 %-世界記錄 ◆ Kysera公司采用了 PECVD/SiN+表面織構(gòu)化 使 15?15cm2大面積多晶硅電池效率達(dá) % . 31 多晶硅高效電池 Fraunhofer ?= %