單晶硅太陽(yáng)電池工藝(編輯修改稿)
2025-06-17 11:34 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 860 18 6 second diffusion 10 860 18 1 7 cool down 至 810 25 8 unload 15 joe 9 擴(kuò)散結(jié)的在線檢測(cè)手段主要有兩種，四探針測(cè)方塊電阻和測(cè)少子壽命。不同生產(chǎn)商對(duì)方塊電阻的要求不同，看重短路電流的生產(chǎn)商要求方塊電阻在4550之間，而看重開(kāi)路電壓的生產(chǎn)商會(huì)要求方塊電阻在 3540之間。 diffusion 左圖為四探針測(cè)方阻，右圖為少子壽命測(cè)試儀 joe 10 Edge isolation and remove PSG ? 擴(kuò)散后，我們只希望硅片上面存在 PN結(jié)，可是擴(kuò)散后的硅片在側(cè)面也存在 PN結(jié)，側(cè)面的 N型區(qū)是不需要的，因?yàn)樗菍?dǎo)致成品電池反向漏電的一個(gè)原因，所以要去掉側(cè)邊的 N型區(qū)。過(guò)去采用的辦法是等離子刻蝕，將硅片上下表面用夾具擋住，只留出側(cè)邊放入等離子刻蝕機(jī)進(jìn)行干刻，刻蝕氣體為CF4和 O2,比例 10:1即可?？涛g后，用冷熱探針接觸硅片邊緣，顯示“ P”即可，或用萬(wàn)用表的觸筆測(cè)試邊緣，電阻大于 5000歐亦可?，F(xiàn)今一些大公司引進(jìn)了德國(guó)的 RENA濕法刻蝕設(shè)備，使硅片在滾輪上漂浮通過(guò)硝酸、硫酸、氫氟酸的混合溶液，利用“虹吸原理”使硅片邊緣吸入酸液腐蝕掉 N型區(qū)，同時(shí)硅片背面的絨面結(jié)構(gòu)被腐蝕平整。大規(guī)模生產(chǎn)后證明，濕法刻蝕相對(duì)于干法刻蝕，將電池效率提高了 %。 ? 等離子刻蝕后會(huì)進(jìn)行去“磷硅玻璃”清洗，因?yàn)閿U(kuò)散后，硅片表面會(huì)生長(zhǎng)一層含磷的二氧化硅層，稱為“磷硅玻璃”。清洗溶液為 HF溶液，濃度在5%左右。 RENA設(shè)備整合了去磷硅玻璃這一步，邊緣腐蝕后，硅片會(huì)漂到 HF溶液中。 ? 這里順便提一下，國(guó)外的公司進(jìn)行邊緣刻蝕采用了激光刻蝕，用激光將硅片邊緣切除達(dá)到去 N型區(qū)的目的，這一步在做成成品電池后進(jìn)行，激光器加在了燒結(jié)爐和 Berger測(cè)
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