高效太陽電池制造原理(編輯修改稿)
2025-05-29 07:19 本頁面
【文章內容簡介】 電極合理化設計。 ? 減少光生少子在體內、表面的復合 ? 表面低溫鈍化工藝； ? 盡量采用全低溫工藝； ? 吸雜技術； ? 晶界懸掛鍵飽和（多晶硅）。 ? 電極接觸 ? 減小自身電阻； ? 減小與硅的接觸電阻。 ? 由于采用薄硅片 ? 碎片產生的原因、相應的解決方法； ? 減少光生少子在背面的復合速度； ? 增加長波長光的背反射； Email: Guo Lihui 晶體硅太陽電池 ? 單晶硅（ monocrystalline Si） ? 多晶硅（ multicrystalline Si） Email: Guo Lihui 獲得高效率 Si太陽電池的原則 1. 需采用長少子壽命（ lifetime 達到 ms）的高品質硅襯底； 2. 良好的正、背面表面鈍化（ surfacepassivation），使表面具有低的復合（ rebination）速度（小于102m/s）； 3. 良好的表面 “ 陷光 ” （ lighttrapping）結構，使正表面具有低的入射光反射率； 4. 合適的發(fā)射區(qū)（ emitter）設計，以獲得全部的光生載流子； 5. 良好的正、負電極歐姆接觸，以獲得低的串聯(lián)電阻。 Email: Guo Lihui 少子壽命 1. 在電阻率相同的情況下， ntype 硅具有比 ptype 硅更長的少子壽命； 2. 但具有相同少子壽命時， ptype 硅比 ntype 硅具有更長的擴散長度； 3. 對超薄、高效、高穩(wěn)定硅太陽電池， ntype 硅更具有優(yōu)勢； 4. Ntype問題：拉單晶摻雜均勻性、擴散工藝、金屬電極。 Email: Guo Lihui 良好
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