基于at89s51單片機的太陽能控制器設(shè)計與制作(編輯修改稿)
2024-08-23 03:32 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 的采樣[2]。TLC548/549的極限參數(shù)如下： ●電源電壓：； ●輸入電壓范圍：～VCC＋； ●輸出電壓范圍：～VCC＋； ●峰值輸入電流(任一輸入端)：177。10mA； 圖13 TLC549管腳圖圖●總峰值輸入電流(所有輸入端)：177。30mA； ●工作溫度：－55℃～125℃ MOSEFT管 MOSEFT管是利用電場效應來控制電流的，由金屬、氧化物和半導體制成，由于場效應管的柵極被絕緣層(例如SiO2)隔離，因此其輸入電阻可達109歐以上。MOSEFT管所需驅(qū)動功率較小。而且MOSFET只有多數(shù)載流子參與導電，不存在少數(shù)載流子的復合時間，因而開關(guān)頻率可以很高，非常適合作控制充放電開關(guān)。本設(shè)計采用IRF9540N P溝道場效應管，以下是IRF9540N的一些參數(shù)： VGS=0V,ID=250uA VGS=10V,ID=11A VDS=VGS,ID=250uA VDS=50V,ID=11A VDS=80V VGS=0V,IDSS=250uA VGS=20V,IGSS=100nA 光耦 光耦合器是以光為媒介傳輸電信號。光耦合器一般由三部分組成：光的發(fā)射、光的接收及信號放大。光耦工作時對輸入、輸出的電信號有很好的隔離作用，因此被廣泛用在各種電路中。光耦的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖14所示，在2極之間加正向電壓，內(nèi)部的發(fā)光二極管（LED）將會發(fā)出一定波長的光，被光探測器接收而產(chǎn)生光電流，4極之間導通。反之，光耦內(nèi)部的發(fā)光二極管的電流近似為零，輸出端兩管腳間的電阻很大，相當于開關(guān)斷開。由于單圖14 光耦合器片機輸出只有5V不足于驅(qū)動MOSFET管，因此驅(qū)動MOSFET管的電壓從U3出接出。 圖15太陽能電池產(chǎn)生光伏效應 如右圖所示，太陽能電池是利用半導體光伏效應制成的，能夠直接將太陽輻射轉(zhuǎn)換成電能的器件。具有很強的光伏效應半導體材料，當吸收一定能量的光子后其內(nèi)部導電的載流子分布和濃度發(fā)生變化。光照在半導體P/N結(jié)上，就會在其兩端產(chǎn)生光生電壓，當外部接通電路時，在該電壓的作用下，將會有電流流過外部電路產(chǎn)生一定的輸出功率。在這個過程中，光電池本身不發(fā)生任何化學反應，也沒有轉(zhuǎn)動磨損，因此使用太陽能電池的過程中沒有噪聲，沒有環(huán)境污染，這是其他方式發(fā)電所不能比擬的。 蓄電池 國內(nèi)目前被廣泛使用的太陽能蓄電池主要是鉛酸蓄電池，它的主要特點：壽命長，免維護安全可靠，具有比較好的循環(huán)充放電能力，具有很好的過充和過放能力。電池的正極活性物質(zhì)是二氧化鉛( PbO2 )，負極活性物質(zhì)是海綿狀金屬鉛( Pb)，電解液是硫酸液(H2 SO4 )。本設(shè)計采用密封型鉛酸電池，設(shè)計的蓄電池電壓值為：12V，充滿斷開電壓為：～；恢復連接電壓為：。4 軟件設(shè)計 程序主要流程圖include //51芯片管腳定義頭文件include //內(nèi)部包含 _nop_()。define uchar unsigned chardefine uint unsigned intsbit CLK = P0^0。 /* AD時鐘信號 */sbit CS = P0^2。 /* AD片選信號 */sbit DOUT = P0^1。 /* 數(shù)據(jù)輸出 */sbit FuZai = P1^1 。 sbit PWM = P1^0 。sbit LED1 =P2^0。sbit LED2 =P2^1。uchar t0,battery_v。void delay(uint n) //延時函數(shù){ while(n) { _nop_()。 }}/*************************************/void init()//初始化函數(shù){ TMOD=0x01。 TH0=(6553650)/256。 TL0=(6553650)%256。 EA=1。 ET0=1。 PWM=0。
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