基于at89s51單片機的太陽能控制器設(shè)計與制作-文庫吧資料
2025-08-02 03:32本頁面
【正文】 。//關(guān)閉負載 } }}void timer0() interrupt 1 //定時器0，用來產(chǎn)生PWM{ TH0=(6553650000)/256。 LED2=1。 LED2=1。 } } else { TR0=0。 } if(t0==12) { t0=0。 if(224battery_v204) { TR0=1。//打開負載 if(battery_v186)//蓄電池電壓大于10V { LED1=1。 while(1) { battery_v=adc_549()。 /* 延時21us以上 */ return(data_out)。 CS = 1。 _nop_()。 data_out = (data_out1)|DOUT。 i8。 CS = 0。 CS = 1。 }/***********************************/uchar adc_549(void) //AD轉(zhuǎn)換{ uint data_out=0。 LED1=1。 ET0=1。 TL0=(6553650)%256。 }}/*************************************/void init()//初始化函數(shù){ TMOD=0x01。uchar t0,battery_v。sbit LED1 =P2^0。 /* 數(shù)據(jù)輸出 */sbit FuZai = P1^1 。 /* AD時鐘信號 */sbit CS = P0^2。4 軟件設(shè)計 程序主要流程圖include //51芯片管腳定義頭文件include //內(nèi)部包含 _nop_()。電池的正極活性物質(zhì)是二氧化鉛( PbO2 )，負極活性物質(zhì)是海綿狀金屬鉛( Pb)，電解液是硫酸液(H2 SO4 )。在這個過程中，光電池本身不發(fā)生任何化學反應(yīng)，也沒有轉(zhuǎn)動磨損，因此使用太陽能電池的過程中沒有噪聲，沒有環(huán)境污染，這是其他方式發(fā)電所不能比擬的。具有很強的光伏效應(yīng)半導體材料，當吸收一定能量的光子后其內(nèi)部導電的載流子分布和濃度發(fā)生變化。由于單圖14 光耦合器片機輸出只有5V不足于驅(qū)動MOSFET管，因此驅(qū)動MOSFET管的電壓從U3出接出。光耦的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖14所示，在2極之間加正向電壓，內(nèi)部的發(fā)光二極管（LED）將會發(fā)出一定波長的光，被光探測器接收而產(chǎn)生光電流，4極之間導通。光耦合器一般由三部分組成：光的發(fā)射、光的接收及信號放大。而且MOSFET只有多數(shù)載流子參與導電，不存在少數(shù)載流子的復合時間，因而開關(guān)頻率可以很高，非常適合作控制充放電開關(guān)。30mA； ●工作溫度：－55℃～125℃ MOSEFT管 MOSEFT管是利用電場效應(yīng)來控制電流的，由金屬、氧化物和半導體制成，由于場效應(yīng)管的柵極被絕緣層(例如SiO2)隔離，因此其輸入電阻可達109歐以上。TLC548/549的極限參數(shù)如下： ●電源電壓：； ●輸入電壓范圍：～VCC＋； ●輸出電壓范圍：～VCC＋； ●峰值輸入電流(任一輸入端)：177。典型功耗值為6mW。具有4MHz片內(nèi)系統(tǒng)時鐘和軟、硬件控制電路，轉(zhuǎn)換時間最長17μs，TLC548允許的最高轉(zhuǎn)換速率為45 500次/s，TLC549為40 000次/s。AT89S51具有以下特點：40個引腳，4k Bytes Flash片內(nèi)程序存儲器，128 bytes的隨機存取數(shù)據(jù)存儲器（RAM），32個外部雙向輸入/輸出（I/O）口，5個中斷優(yōu)先級2層中斷嵌套中斷，2個16位可編程定時計數(shù)器,2個全雙工串通信口，看門狗（WDT）電路，片內(nèi)時鐘振蕩器。圖8單片機電源電路開始畫PCB圖是使用自動布線加手工修改，但是設(shè)成以單層板的形式自動布線，生成的PCB圖走線彎彎區(qū)區(qū)太不規(guī)則，后來使用以雙層面
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