41-mos場效應晶體管的結構工作原理和輸出特性(編輯修改稿)
2025-08-22 05:31 本頁面
【文章內容簡介】 漏極電流的控制作用。 gm稱為 跨導 。這是場效應三極管的一個重要參數(shù)。 c o n s tGSDm DS ????UUIg 單位 mS（ mA/V） 2． 漏極輸出特性曲線 當 UGS＞ UGS(th)，且固定為某一值時，反映 UDS對 ID的影響，即ID=f(UDS)?UGS=const這一關系曲線稱為 漏極輸出特性曲線 。 場效應三極管作為放大元件使用時，是工作在漏極輸出特性曲線水平段的恒流區(qū)，從曲線上可以看出 UDS對 ID的影響很小。但是改變UGS可以明顯改變漏極電流 ID，這就意味著輸入電壓對輸出電流的控制作用。 OV2GS?UV3??V4?DI mA/15105DSU /V恒流區(qū).曲線分五個區(qū)域： （ 1）可變電阻區(qū) （ 2）恒流區(qū)（放大區(qū)） （ 3）截止區(qū) （ 4）擊穿區(qū) （ 5）過損耗區(qū) 可變電阻區(qū) 截止區(qū) 擊穿區(qū) 過損耗區(qū) OV2GS?UV3??V4?DI mA/15105DSU /V恒流區(qū).從漏極輸出特性曲線可以得到轉移特性曲線，過程如下： O GSU4321/VDI mA/4321UGS (th )10 VDS ?U MOSFET S DGPN + N +S iO 2型襯底DGSBB+++ +++ +++04? 3? 2? 1?654321/ m A/VDGSIUID S SUG S(o f f) N溝道耗盡型 MOSFET的結構和符號如下圖所示，它是在柵極下方的SiO2絕緣層中摻入了一定量的正離子。所以當 UGS=0時，這些正離子已經感生出電子形成導電溝道。于是，只要有漏源電壓，就有漏極電流存在。 當 UGS=0時，對應的漏極電流用 IDSS表示。當 UGS＞ 0時，將使 ID進一步增加。 UGS＜ 0時，隨著 UGS的減小漏極電流逐漸減小，直至 ID=0。對應 ID=0的 UGS稱為 夾斷電壓 ，用符號 UGS(off)表示，有時也用 UP表示。 N溝道耗盡型 MOSFET的轉移特性曲線如右上圖所示。 夾斷電壓 IDSS MOSFET的分類 N型襯底制成的管子，其漏－源區(qū)是 P型的，稱為 P溝 MOS場效應管 ； P型材料制成的管子，其漏－源區(qū)是 N型的，稱為 N溝 MOS場效應管 。 MOSFET的四種類型 P溝耗盡型 ：柵壓為零時，溝道已存在，加上一個正的柵壓可以使 P型溝道消失。 P溝增強型 ：柵壓為零時，溝道不存在，加上一個負的柵壓才能形成 P型溝道。 N溝增強型 ：柵壓為零時，溝道不存在，加上一個正的柵壓才能形成 N型溝道。 N溝耗盡型 ：柵壓為零時，溝道已存在，加上一個負的柵壓才能使 N型溝道消失。 關于場效應管符號的說明： DGSBDGSBDGSBSGDN溝道增強型 MOSFET管，襯底箭頭向里。漏、襯底和源、分開，表示零柵壓時溝道不通。 表示襯底在內部沒有與源極連接。 N溝道耗盡型MOSFET管。漏、襯底和源不斷開表示零柵壓
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