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正文內(nèi)容

cmos工藝基礎(chǔ)知識(編輯修改稿)

2025-08-21 17:41 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 N型區(qū),分別叫源極和漏極,同時在源漏之間的氧化層上制作一個金屬電極(或者是導(dǎo)電的多晶硅) 柵極,這樣就得到一個 NMOS管。 CMOS工藝基礎(chǔ)知識 CMOS工藝基礎(chǔ)知識 CMOS反相器基本結(jié)構(gòu)圖: CMOS( Complementary 互補式 mos)簡單來說, CMOS電路就是在同一個基體上建立 pmos和 nmos來達成一個邏輯電路,具有相當高的輸入阻抗,低功率消耗。 CMOS工藝基礎(chǔ)知識 CMOS工藝基礎(chǔ)知識 以一個 Nwell制程的 CMOS反相器為例,看其制造的工藝步驟: ? 制作 Nwell: 氧化:在 P型硅襯底芯片上生長一層 SIO2。 光刻:按照光刻版圖在氧化層上刻出進行 N阱摻雜的窗口。 N阱摻雜 (摻雜 P元素)。 ? 生長場氧 : 淀積氮化硅層: N阱生成后,應(yīng)先除去硅片表面的氧化層。然后從新
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