1678-7帶電粒子在電場和磁場中運動的應用(編輯修改稿)
2025-08-20 17:11 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 電荷變化還是質(zhì)量變化？ 太原理工大學物理系 二、霍耳效應 霍爾電勢差的經(jīng)驗公式為： dIBRUHH ?RH與材料的性質(zhì)及環(huán)境溫度有關(guān) 經(jīng)典霍耳效應 是 1879年德國物理學家 Hall發(fā)現(xiàn)的 太原理工大學物理系 霍爾效應的原因：是由于磁場對導體（半導體）內(nèi)的運動電荷的洛倫茲力作用所引起的效應。 正、負電荷在導體兩側(cè)的積累形成附加電場，當運動電荷所受到電場力與洛侖茲力相等時 dB?I bHU+ qdv?+ + + + + eF?mF?BqqE dH v? BE dH v? 太原理工大學物理系 得 n q dIBU ?HnqR 1H ?霍耳系數(shù) bdqn dv?SqnI dv?H H dU E B b? b = v霍耳電壓 設帶電粒子的濃度為 n，則電流為： qnbdI?dvdIBRUHH ?與霍爾電勢差的經(jīng)驗公式
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