lecture27-第六章-等效電路-影響閾值電壓的因素(編輯修改稿)
2025-08-20 12:36 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 DVGDml VIg?????? ??? 2)(2DTHGn0DVVVVLZCID?DVLZCgn0ml ??2THGn0D s a t )(2 VVLZCI ?? ?常數(shù)????DVGDms VIg)( THGn0ms VVLZCg ?? ? Micro Electromechanical System Research Center of Engineering and Technology of Anhui Province (4) 柵極電容 ZLoG CC ?MOSFET的柵極電容為： 柵極電容稱為本征電容 : 柵－源電容 Cgs；柵－漏電容 Cgd 柵極 源極 、 漏極兩個 N+區(qū)的重疊部分；源極－襯底；柵極－襯底；漏極 、 源極兩個 PN結之間的電容 Cds 寄生電容： Micro Electromechanical System Research Center of Engineering and Technology of Anhui Province 串聯(lián)電阻對電導 gd和跨導 gm的影響 ① 對跨導的影響 由于 MOSFET源區(qū)的體電阻、歐姆接觸及電極引線等附加電阻的存在，使源區(qū)和地之間有一個外接串聯(lián)電阻 RS： 如果 RSgm很大： 串聯(lián)電阻（起負反饋作用）不能忽略時： SDSGSGS RIVV ???mSmm 1 gRgg???SmSmmSmm11 RgRggRgg ?????常數(shù)????DVGDml VIgGSV?GSVDSISR Micro Electromechanical System Research Center of Engineering and Technology of Anhui Province ② 對輸出電導的影響 若漏區(qū)的外接串聯(lián)電阻為 RD ，在線性工作區(qū)受 RS 及 RD 影響的有效輸出電導： RS 和 RD會使跨導和輸出電導變??； 在設計和制造 MOSFET時應盡量減少漏極和柵極串聯(lián)電阻。 說明： dDSdd )(1 gRRgg????常數(shù)????GVDDdl VIg Micro Electromechanical System Research Center of Engineering and Technology of Anhui Province 可得： 移項得到： DSSGGSDDSSDDS )(iRvviRRvv?????????GmDD dl vgvgi ??DDSSDDSSGmD )(()( dl iRRvgiRvgi ????? ????SDDSmSSGDSmSmDdldldl)(1)(1 ???? ????????????
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