固體的能帶結構(編輯修改稿)
2024-08-17 20:29 本頁面
【文章內容簡介】 ??????上例中 ,半導體 Cd S激發(fā)電子 , 光波的波長最大多長？ 19 為什么半導體的電阻 隨溫度升高而降低？ 20 二 . 雜質半導體 １ . n型半導體 四價的本征半導體 Si、Ｇｅ等，摻入少量五價的 雜質 （ impurity） 元素（如 P、 As等）形成電子型半導體 ,稱 n 型半導體。 量子力學表明，這種摻雜后多余的電子的 能級在禁帶中緊靠空帶處 , ?ED～ 102eV， 極易形成電子導電。 該能級稱為 施主 （ donor） 能級。 21 n 型半導體 在 n型半導體中 電子 …… 多數(shù)載流子 空 帶 滿 帶 施主能級 ?ED ?Eg Si Si Si Si Si Si Si P 空穴 …… 少數(shù)載流子 22 ２ .ｐ型半導體 四價的本征半導體 Si、Ｇ e等，摻入少量 三價的 雜質 元素（如Ｂ、 Ga、Ｉ n等） 形成空穴型半導體，稱 p 型半導體。 量子力學表明，這種摻雜后多余的空穴的 能級在禁帶中緊靠滿帶處， ?ED～ 102eV， 極易產生空穴導電。 該能級稱 受主 （ acceptor） 能級。 23 空 帶 ?Ea 滿 帶 受主能級 P型半導體 Si Si Si Si Si Si Si + B ?Eg 在 p型半導體中 空穴 …… 多數(shù)載流子 電子 …… 少數(shù)載流子 24 3. n型化合物半導體 例如，化合物 GaAs中摻Ｔｅ，六價的 Te 替代五價的 As可形成施主能級， 成為 n型 GaAs雜質半導體。 例如，化合物 GaAs中摻 Zn，二價的 Zn 替代三價的 Ga可形成受主能級， 成為 p型 GaAs雜質半導體。 25 三 . 雜質補償作用 實際的半導體中既有施主雜質（濃度 nd）， 又有受主雜質（濃度 na）， 兩種雜質有補償作用： 若 nd?na—— 為 n型（施主） 若 nd?na—— 為 p型（受主） 利用雜質的補償作用， 可以制成 PＮ結。 26 167。 4 Ｐ Ｎ結 一 .Ｐ Ｎ結的形成 在一塊 n 型半導體基片的一側摻入 較高
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