透明導(dǎo)電薄膜tco之原理及其應(yīng)用發(fā)展(編輯修改稿)
2024-08-16 06:02 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 ZnO:Ga(GZO) (104 Ωcm)、 ZnO:Al (AZO) (104 Ωcm)、 ZnO:Ti 特點(diǎn) ： 1. ZnO礦產(chǎn)產(chǎn)能大 。 2. 價(jià)格比 ITO 便宜 ( 200% cost saving) 。 3. 部分 AZO靶材可在 100% Ar環(huán)境下成膜，製程控制容易 。 4. 耐化性比 ITO 差，通常以添加 Cr、 Co 於 ZnO系材料中來 提高其耐化性 。 1. ITO及各種透明導(dǎo)電氧化物材料的介紹 透明導(dǎo)電氧化物 (Transparent Conductive Oxide, TCO) 2. TCO的導(dǎo)電原理 3. TCO的光學(xué)性質(zhì) 4. TCO 薄膜之市場應(yīng)用及未來發(fā)展 TCO薄膜的導(dǎo)電原理 (ntype TCO) ITO ?In2O3為氧化物半導(dǎo)體，加入 SnO2作為雜質(zhì)參雜，可以產(chǎn)生一個(gè)導(dǎo)電電子 ?In2O3晶格中之氧缺陷 (Oxygen vacancy)一個(gè)氧空缺，可以產(chǎn)生兩個(gè)導(dǎo)電電子 Band gap (Eg) Crystallized at T 150 186。C ?材料之導(dǎo)電率 σ σ = neμ 其中 n = 載子濃度 (就 TCO材料包括電子及電洞 ) e：載子的電量 μ：載子的 mobility TCO中導(dǎo)電性最好的 ITO，載子濃度約 1018~1019 cm3 ﹙ 金屬載子濃度約 1022 ~10~23 cm3﹚ TCO薄膜的導(dǎo)電原理 載子由 摻雜物的混入 及 離子的缺陷生成 TCO薄膜的導(dǎo)電原理 ?載子的 mobility (μ) μ = eτ/εom* τ： relaxation time (載子移動(dòng)時(shí)由此次散射到下一次散射的時(shí)間 ) m*：載子的有效質(zhì)量 εo：真空中之介電常數(shù) ?? ?要提昇載子的 mobility ? τ↑：與 TCO 薄膜的結(jié)構(gòu)有關(guān)。 TCO 薄膜的 defect愈少， τ ↑。 (extrinsic effect) ? m*↓：取決於 TCO 材料。 (intrinsic effect) TCO薄膜的導(dǎo)電原理 ?電阻比 (又稱體阻抗 , ρ) 反比於導(dǎo)電率 (conduc
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