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正文內(nèi)容

北京交通大學(xué)模擬電子技術(shù)試卷(編輯修改稿)

2025-08-09 22:07 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 計算:三、(12分)放大電路如題三圖a所示,它的幅頻特性曲線如題三圖b所示。設(shè)晶體管VT的hfe=100,hie=200Ω, Rs=1KΩ,RB=100KΩ。(1)確定Rc的值。(2)說明通常放大器為什么會出現(xiàn)低頻效應(yīng)和高頻效應(yīng)。(3)若某級聯(lián)放大電路的電壓增益函數(shù)為,其中頻增益是多少?下限頻率fL和上限頻率fH值是多少?題三圖解答:(1)(2)晶體管有結(jié)電容的存在,因此有高頻效應(yīng),放大電路中如果有耦合電容和旁路電容,因此有低頻效應(yīng)。(3)增益為100dB。下限頻率為1000/2π=,上限頻率為10000000//2π=159KHZ四、(10分)電路如題圖4所示。假設(shè)β1=β2=β3=100,hie1=hie2=5kΩ,hie3= kΩ。1.靜態(tài)時,若要求Uo=0,請估計Io值應(yīng)為多少?2.計算電壓增益Au=Uo/Ui 。題四圖解答:解:(解法一:近似計算)若Uo=0,則采用輸入電阻法計算級聯(lián)放大器
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