高速pcb設(shè)計(jì)準(zhǔn)則(編輯修改稿)
2025-07-27 10:31 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 EMI性能要比第一種方案好?！ ?小結(jié)：對(duì)于六層板的方案,電源層與地層之間的間距應(yīng)盡量減小，以獲得好的電源、地耦合。但62mil的板厚,層間距雖然得到減小,還是不容易把主電源與地層之間的間距控制得很小。對(duì)比第一種方案與第二種方案，第二種方案成本要大大增加。因此，我們疊層時(shí)通常選擇第一種方案。設(shè)計(jì)時(shí)，遵循20H規(guī)則和鏡像層規(guī)則設(shè)計(jì) 八層板的疊層； 八層板通常使用下面三種疊層方式 SIG－SIG－GND－SIG－SIG－PWR－SIG－SIG； 由于差的電磁吸收能力和大的電源阻抗導(dǎo)致這種不是一種好的疊層方式。它的結(jié)構(gòu)如下：1 Signal 1 元件面、微帶走線層 2 Signal 2 內(nèi)部微帶走線層，較好的走線層（X方向） 3 Ground 4 Signal 3 帶狀線走線層，較好的走線層（Y方向） 5 Signal 4 帶狀線走線層 6 Pow er 7 Signal 5 內(nèi)部微帶走線層 8 Signal 6 微帶走線層 SIG－GND－SIG－PWR－GND－SIG－PWR－SIG； 是第三種疊層方式的變種，由于增加了參考層，具有較好的EMI性能，各信號(hào)層的特性阻抗可以很好的控制1 Signal 1 元件面、微帶走線層，好的走線層 2 Ground 地層，較好的電磁波吸收能力 3 Signal 2 帶狀線走線層，好的走線層 4 Power 電源層，與下面的地層構(gòu)成優(yōu)秀的電磁吸收 5 Ground 地層 6 Signal 3 帶狀線走線層，好的走線層 7 Power 地層，具有較大的電源阻抗 8 Signal 4 微帶走線層，好的走線層 SIG－GND－SIG－PWR－GND－SIG－GND－SIG； 最佳疊層方式，由于多層地參考平面的使用具有非常好的地磁吸收能力。1 Signal 1 元件面、微帶走線層，好的走線層 2 Ground 地層，較好的電磁波吸收能力 3 Signal 2 帶狀線走線層，好的走線層 4 Power 電源層，與下面的地層構(gòu)成優(yōu)秀的電磁吸收 5 Ground 地層 6 Signal 3 帶狀線走線層，好的走線層 7 Ground 地層，較好的電磁波吸收能力 8 Signal 4 微帶走線層，好的走線層 小結(jié) 對(duì)于如何選擇設(shè)計(jì)用幾層板和用什么方式的疊層，要根據(jù)板上信號(hào)網(wǎng)絡(luò)的數(shù)量，器件密度，PIN密度，信號(hào)的頻率，板的大小等許多因素。對(duì)于這些因素我們要綜合考慮。對(duì)于信號(hào)網(wǎng)絡(luò)的數(shù)量越多，器件密度越大，PIN密度越大，信號(hào)的頻率越高的設(shè)計(jì)應(yīng)盡量采用多層板設(shè)計(jì)。為得到好的EMI性能最好保證每個(gè)信號(hào)層都有自己的參考層。DDR2和DDR3的區(qū)別 DDR3內(nèi)存相對(duì)于DDR2內(nèi)存，其實(shí)只是規(guī)格上的提高，并沒(méi)有真正的全面換代的新架構(gòu)。DDR3接觸針腳數(shù)目同DDR2皆為240pin。但是防呆的缺口位置不同。DDR3在大容量?jī)?nèi)存的支持較好，而大容量?jī)?nèi)存的分水嶺是4GB這個(gè)容量，4GB是32位操作系統(tǒng)的執(zhí)行上限（不考慮PAE等等的內(nèi)存映像模式，因這些32位元元延伸模式只是過(guò)渡方式，會(huì)降低效能，不會(huì)在零售市場(chǎng)成為技術(shù)主流）當(dāng)市場(chǎng)需求超過(guò)4GB的時(shí)候，64位CPU與操作系統(tǒng)就是唯一的解決方案，此時(shí)也就是DDR3內(nèi)存的普及時(shí)期。DDR3 UB DIMM 2007進(jìn)入市場(chǎng)，成為主流時(shí)間點(diǎn)多數(shù)廠商預(yù)計(jì)會(huì)是到2010年。 F+ h5 ?amp。 h( m4 O3 IEDA365論壇網(wǎng) 一、DDR2與DDR3內(nèi)存的特性區(qū)別：: V6 v。 k) E8 C5 ~。 y. EEDA設(shè)計(jì)師論壇 i! p7 B4 ] s! s。 Namp。 C7 j DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設(shè)計(jì)，目的就是為了應(yīng)對(duì)未來(lái)大容量芯片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步，因此起始的邏輯Bank就是8個(gè)，另外還為未來(lái)的16個(gè)邏輯Bank做好了準(zhǔn)備。3 P! B39。 damp。 X0 n6 H/ W1 E5 ZEDA設(shè)計(jì)師論壇 封裝（Packag
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