sem二次電子成像和背散射電子成像(編輯修改稿)
2025-07-23 15:32 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 凹坑等細(xì)節(jié)組成，這些細(xì)節(jié)的不同部位發(fā)射的二次電子數(shù)不同，從而產(chǎn)生襯度。二次電子像分辨率高、無(wú)明顯陰影效應(yīng)、場(chǎng)深大、立體感強(qiáng)，是掃描電鏡的主要成像方式，特別適用于粗糙樣品表面的形貌觀(guān)察，在材料及生命科學(xué)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。2. 背散射電子(BSE)像—原子序數(shù)襯度背散射電子是由樣品反射出來(lái)的初次電子，其主要特點(diǎn)是：(1)能量高，從50eV到接近入射電子的能量，穿透能力比二次電子強(qiáng)得多，可從樣品中較深的區(qū)域逸出(微米級(jí))，在這樣的深度范圍，入射電子已有相當(dāng)寬的側(cè)向擴(kuò)展，因此在樣品中產(chǎn)生的范圍大；(2) 被散射電子發(fā)射系數(shù)η隨原子序數(shù)Z的增大而增加，如下圖所示。由以上特點(diǎn)可以看出，
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