高密度封裝基板設(shè)計與技術(shù)介紹(編輯修改稿)
2024-12-13 12:52 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 0 150 130 BLV/Land 75/175 75/160 65/150 60/130 100/230 100/200 75/180 PTH/Land 100/210 72020 SM Reg.177。35 SM Reg.177。30 SM Reg.177。20 SM Reg.177。15 Solder Mask SM Flatness177。7 SM Flatness177。5 SM Flatness177。5 Surface Finish E`lytic Ni/Au 。ENEPIG 。OSP 。AFOP Immersion Tin E`lytic Ni/Ag SAC305/E`lytic SOP SAC305/OSP Ni/Au ENEPIG Discrete Planar Embedded IC Embedded Embedded Embedded 2020 HVM 2020 LVM 2020 18 埋入式器件高密度封裝基 板 埋 入 技術(shù)分 類 平面埋入 分立器件埋入 埋入電阻 埋入分立電容 埋入分立電阻 埋入電容 埋入芯片 埋入電感 19 平面埋入式電容、電阻高 密度封 裝基板 優(yōu)勢 : 傳統(tǒng)設(shè)計 減少表面元件的安裝 面積。 可以實現(xiàn)電子產(chǎn)品的 小型、 薄型化 導(dǎo)線長度縮減 ,提高 電子特 性 (可 對應(yīng)高頻 )。 焊點(diǎn)減少 ,提高焊接 可靠性 。 旁路電容的配置的合 理化 , 提高抗 埋入式設(shè)計 電磁干擾能力。 減少小型元件的安裝 不良 , 提高裝 配效率。 減少管理成本。 Character Value 2 2 2 2 2 Capacitance /area nF/in 10 nF/in 20 nF/in 30 nF/in 40 nF/in Dielectric Constant 1 kHz 16 22 22 22 22 Dissipation Factor 1 kHz Dielectric Thickness 14 μm 12 μm 6 μm 4 μm 3 μm ?CTE ppm/C 32 x,y,z 31 x,y,z 31 x,y,z 31 x,y,z 31 x,y,z Dielectric loss @ 1GHz Resin system Epoxy, ceramic filler Dielectric Strength ~130V/ μm 20 Copper Thickness 35 μ m mil 埋入式分立器件高密度封 裝基板 埋 入 分立器 件的種 類 種類 長 (L1 ) 寬 (W ) 高 (T ) 電極寬 (L2amp。L3 ) 0402 電容 (普通 ) 177。 177。 177。 0402 電阻 (普通 ) 177。 177。 177。 0402 電容 (GRU153 ) 177。 177。 0402 電容 (GRU15Y ) 177。 177。 0201 電容
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