雙面板鍍通孔知識(編輯修改稿)
2025-07-22 16:21 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 bon Dioxide NaOCI Sodium Hydrochloride MnO2 Manganese Dioxide Process: 見表 . Pocket Void的解釋: :Sweller殘留在Glass fiber中，在Thermal cycle時爆開。 : a．壓板過程不良Stress積存，上鍚過程中力量釋出所致 b．在膨漲中如果銅結合力強，而Resin釋出Stress方向呈Z軸方向，當Curing 不良而Stress過大時則易形成a之斷裂，如果孔銅結合力弱則易形成B 之Resin recession，結合力好而內(nèi)部樹脂不夠強軔則出現(xiàn)c之Pocket void C﹒如果爆開而形成銅凸出者稱為Pull away 化學銅(PTH) PTH系統(tǒng)概分為酸性及鹼性系統(tǒng)，特性依基本觀念而有不同。 酸性系統(tǒng)： ： Conditioner → Microetch→ Catalpretreatment→ Cataldeposit→ Accelerator→ Electroless Deposit ?。? a. 整孔 Conditioner： 1. Desmear後孔內(nèi)呈現(xiàn)Bipolar現(xiàn)象，其中Cu呈現(xiàn)高電位正電，Glass fiber、Epoxy呈負電 2. 為使孔內(nèi)呈現(xiàn)適當狀態(tài)，Conditioner具有兩種基本功能 (1)Cleaner： 清潔表面 (2)Conditioner： 使孔壁呈正電性，以利Pd/Sn Colloid負電離子團吸附 3. 一般而言粒子間作用力大小如表 因而此類藥液系統(tǒng)會有吸附過多或Colloid過多的吸附是否可洗去之顧慮 4. Conditioner若Drag In 至 Activator槽，會使Pd+離子團降低 b. 微蝕 Microetch 1. Microetching旨在清除表面之Conditioner所形成的Film 2. 此同時亦可清洗銅面殘留的氧化物 c. 預活化 Catalpretreatment 1. 為避免Microetch形成的銅離子帶入Pd/Sn槽，預浸以減少帶入 2. 降低孔壁的Surface Tension d. 活化 Cataldeposit 1. 一般Pd膠體皆以以下結構存在： 2. Pd2+：Sn2+：Cl = 1：6：12較安定 3. 一般膠體的架構方式是以以下方式結合： 當吸附時由於Cl會產(chǎn)生架橋作用，且其半徑較大使其吸附不易良好，尤其如果孔內(nèi)的Roughness不適當更可能造成問題。 4. 孔壁吸附了負離子團，即中和形成中和電性 e. 速化 Accelerator 1. Pd膠體吸附後必須去除Sn，使Pd2+曝露，如此才能在未來無電解銅中產(chǎn)生催化作用形成化學銅 2. 基本化學反應為： Pd+2/Sn+2 (HF)→Pd+2(ad) + Sn+2 (aq) Pd+2(ad) (HCHO)→Pd(s) 3. 一般而言Sn與Pd特性不同，Pd為貴金屬而Sn則不然，因此其主反應可如下： Sn+2a Sn+4 + 6F → SnF62 or Sn+2 + 4F →SnF42 而Pd則有兩種情形： PH=4 Pd+2 + 2(OH) → Pd(OH)2 PH4 Pd+2 + 6F → PdF64 4. Pd吸附在本系統(tǒng)中本身就不易均勻，故速化所能發(fā)揮的效果就極受限制。.，而過長時則可能因為過份去除產(chǎn)生破洞，這也是何以Back_light觀察時會有缺點的原因 5. 活化後水洗不足或浸泡太久會形成Sn
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