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正文內(nèi)容

平面波導(dǎo)技術(shù)及器件發(fā)展動態(tài)(編輯修改稿)

2025-07-22 06:51 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 種實現(xiàn)方案,其中比較典型的稱為龍骨型的平面波導(dǎo)AWG器件最為普遍,如圖3所示。該類器件通路數(shù)大、緊湊、易于批量生產(chǎn),但帶內(nèi)頻響尚不夠平坦。   AWG是第一個將平面波導(dǎo)技術(shù)應(yīng)用于商品化的元件。其做法為在硅晶圓上沉積二氧化硅膜層,再利用微影制程(Photolithography)及反應(yīng)式離子蝕刻法(RIE)定義出陣列波導(dǎo)及分光元件等,然后在最上層覆以保護層即可完成。AWG的制作材料除SiO2/Si外,InGaAsP/InP和Polymer/Si也常被采用。InGaAsP/InP系的AWG被看好的原因在于它尺寸小并能與InP基有源與無源光子器件及InP基微電子回路集成在同一基片上。   首先提出AWG概念的荷蘭人在兩年前制作出了有別于龍骨型的AWG結(jié)構(gòu)。 4為荷蘭微系統(tǒng)技術(shù)公司(mikro systemtechnik)在TiO2/Al2O3平面波導(dǎo)上采用“自聚焦傳輸光柵(selffocussing Transmission Grating)”制作的垂直錐形波導(dǎo)AWG,由于TiO2和 Al2O3有較高的折射率差,其通道間隔可以作的很窄( nm)。   AWG光波導(dǎo)的通道數(shù)由最初的16通道已發(fā)展到400個通道,最高記錄為NTT利用兩種類型的AWG的串聯(lián)連接法(寬分波帶寬的前級+窄通道間隔的后級)首次實現(xiàn)了1000個通道。目前商用流行的仍以40通道為主流。 (3)Interleaver   圖為荷蘭Twente大學(xué)的研究人員在SiON波導(dǎo)上采用非對稱馬擇(Mach Zehnder)干涉儀和環(huán)行共振腔技術(shù)實現(xiàn)了 Interleaver功能,可將50 GHz間隔的波長交錯分離,信道隔離度可達30dB。(4)大端口數(shù)矩陣光開關(guān)(Switch)   平面波導(dǎo)型開關(guān)主要包含熱光開關(guān)、電光開關(guān)和全內(nèi)反射型開關(guān)。   熱光開關(guān)是利用硅波導(dǎo)的熱感應(yīng)折射率變化制作的,其M-Z腔由二個3dB耦合器和二個波導(dǎo)臂組成的,其中一臂上加有熱光相移薄膜加熱器。通過受熱和非受熱實現(xiàn)開關(guān)功能。   電光開關(guān)與熱光開關(guān)的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)相似,但采用電折變效應(yīng)來實現(xiàn)對波導(dǎo)臂的光程差調(diào)制。由于Si材料為中心反演對稱結(jié)構(gòu),泡克爾效應(yīng)極弱,電光系數(shù)很小,因此難以利用場致折變效應(yīng),只能利用Si材料中的等離子色散效應(yīng),于是Si波導(dǎo)層中需要制備pn結(jié),以實現(xiàn)高濃度載流子的注入。InGaAs
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