【總結(jié)】2-1與信息電子電路中的二極管相比，電力二極管具有怎樣的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)才使得其具有耐受高壓和大電流的能力？答：，使得硅片中通過電流的有效面積增大，顯著提高了二極管的通流能力。，也稱漂移區(qū)。低摻雜N區(qū)由于摻雜濃度低而接近于無摻雜的純半導(dǎo)體材料即本征半導(dǎo)體，由于摻雜濃度低，低摻雜N區(qū)就可以承受很高的電壓而不被擊穿。2-2.使晶閘管導(dǎo)通的條件是什么？答：使晶閘管導(dǎo)通的條件是：晶閘管承受正
2025-04-17 07:00
【總結(jié)】.....電路電子技術(shù)復(fù)習(xí)題一、計(jì)算題：1、計(jì)算圖1所示各電路，K打開時(shí)及閉合時(shí)的Ua、Ub及Uab。圖12、求圖2所示電路中的電壓U。3A36Ω36Ω12Ω12Ω12Ω+-U
2025-04-17 07:17
【總結(jié)】電子技術(shù)復(fù)習(xí)題一、填空：1．PN結(jié)沒有外加電壓時(shí)，擴(kuò)散電流漂移電流。2．半導(dǎo)體有和兩種載流子，對(duì)于N型半導(dǎo)體多數(shù)載流子是。 。，則輸出電壓的平均值為，則二極管截止時(shí)承受的反向電壓的最大值為5.本證半導(dǎo)體的主要特
2024-08-12 06:17
【總結(jié)】《模擬電子技術(shù)》復(fù)習(xí)題綜合（第1、2章）一、選擇題1、在本征半導(dǎo)體中摻入微量的D價(jià)元素，形成N型半導(dǎo)體。2、在N型半導(dǎo)體中摻入濃度更大的C價(jià)元素，變成為P型半導(dǎo)體。3、在本征半導(dǎo)體中，自由電子濃度B空穴濃度。4、在P型半導(dǎo)體中，自由電子濃度C空穴濃
2025-06-07 02:14
【總結(jié)】第一章復(fù)習(xí)題？答：當(dāng)晶閘管承受正向電壓時(shí)，僅在門極有觸發(fā)電流的情況下晶閘管才能導(dǎo)通。2．維持晶閘管導(dǎo)通的條件是什么？怎樣才能使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷？答：（1）維持晶閘管導(dǎo)通的條件是使晶閘管的電流大于能保持晶閘管導(dǎo)通的最小電流，即維持電流。（2）若要使已導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷，只能利用外加電壓和外電路的作用使流過晶閘管的電流降到接近于零的某一數(shù)值以下，即降到維持電流以下，便可使
2025-06-18 13:42
【總結(jié)】《數(shù)字電子技術(shù)》復(fù)習(xí)題參考答案一、選擇題1.在數(shù)字電路中，用“1”表示高電平，用“0”表示低電平，稱為(C)；（A）譯碼（B）編碼（C）正邏輯（D）負(fù)邏輯2.AB（A+BC）化成最簡(jiǎn)式是（D）A、AB、BC、A+BD、
2025-06-22 17:14
【總結(jié)】1、在本征半導(dǎo)體中摻入微量的D價(jià)元素，形成N型半導(dǎo)體。2、在N型半導(dǎo)體中摻入濃度更大的C價(jià)元素，變成為P型半導(dǎo)體。3、在本征半導(dǎo)體中，自由電子濃度B空穴濃度。4、在P型半導(dǎo)體中，自由電子濃度C空穴濃度。5、本征半導(dǎo)體溫度升高以后自
2025-06-24 23:32
【總結(jié)】第1章直流電路及其分析方法-選擇復(fù)習(xí)題1．如圖所示電路中，當(dāng)電阻Ｒ2增加時(shí)，電流Ｉ將______。(A)增加(B)減小(C)不變2．二只白熾燈的額定電壓為220V,額定功率分別為100W和25W，下面結(jié)論正確的是__________。(A)25Ｗ白熾燈的燈絲電阻較大(B)100Ｗ白熾燈的燈絲電阻較大
2024-08-14 10:14
【總結(jié)】數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)簡(jiǎn)明教程復(fù)習(xí)題 一、填空 1、(238)10＝(11101110)2＝(EE)16。()2＝()16＝()10。 2、德?摩根定理表示為＝(),＝()。 3、數(shù)字信號(hào)只有（兩）種取值，分別表示為（0）和（1）。 4、異或門電路的表達(dá)式是()；同或門的表達(dá)式是()。 5、組成邏輯函數(shù)的基本單元是（最小項(xiàng)
2024-08-03 21:28
【總結(jié)】第1頁(yè)共69頁(yè)答案參見我的新浪博客：第一章常用半導(dǎo)體器件自測(cè)題一、判斷下列說法是否正確，用“√”和“×”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。（1）在N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價(jià)元素，可將其改型為P型半導(dǎo)體。（）（2）因?yàn)镹型半導(dǎo)體的多子是自由電子，所以它帶負(fù)電。（）
2024-10-25 11:36
【總結(jié)】數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)試題一、填空題:（每空1分，共10分）1．()10=()2=()16。2.邏輯函數(shù)L=+A+B+C+D=。3.三態(tài)門輸出的三種狀態(tài)分別為：、和。4.主從型JK觸發(fā)器的特性方程=。5.用4個(gè)觸發(fā)器可以存儲(chǔ)位二進(jìn)制數(shù)。6.存儲(chǔ)容量為4K×8位的RAM存儲(chǔ)器，其地
2025-06-19 22:45
【總結(jié)】....第1章檢測(cè)題（共100分，120分鐘）一、填空題：（，共25分）1、N型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的五價(jià)元素組成的。這種半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子為自由電子，少數(shù)載流子為空穴，不能移動(dòng)的雜質(zhì)離子帶正電。P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的三價(jià)元素組
2025-06-23 15:22
【總結(jié)】第1章檢測(cè)題（）一、填空題：（）1、N型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的五價(jià)元素組成的。這種半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子為自由電子.少數(shù)載流子為空穴.不能移動(dòng)的雜質(zhì)離子帶正電。P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的三價(jià)元素組成的。這種半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子為空穴.少數(shù)載流子為自由電子.不能移動(dòng)的雜質(zhì)離子帶負(fù)電。2、三極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)是由發(fā)射區(qū)、基區(qū)
2024-08-14 09:36
【總結(jié)】數(shù)字電子技術(shù)復(fù)習(xí)題（本科）一、簡(jiǎn)答題：1、簡(jiǎn)述組合電路和時(shí)序電路各自的特點(diǎn)是什么？答：組合電路的特點(diǎn)：任何時(shí)刻電路的穩(wěn)定輸出，僅取決于該時(shí)刻各個(gè)輸入變量的取值，組合電路是由門電路組合而成，沒有輸出到輸入的反饋連接，也不含記憶性的元件；時(shí)序電
2025-04-17 01:43
【總結(jié)】1.試述機(jī)械式自動(dòng)變速器（AMT）電子控制系統(tǒng)的工作原理和換擋控制策略答：AMT是在傳統(tǒng)的干式離合器和手動(dòng)齒輪變速器基礎(chǔ)上，加裝微機(jī)控制的自動(dòng)變速系統(tǒng)構(gòu)成。AMT自動(dòng)變速器通過電腦控制的速選器系統(tǒng)，可以根據(jù)車速、轉(zhuǎn)速油門大小等參數(shù)，確定最佳檔位，自動(dòng)完成原來由人工控制的檔位選擇、離合分離與接合等操作過程。（AMT控制的基本思想是：根據(jù)駕駛員的意圖（加速踏板、制
2024-11-04 03:05
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