【文章內(nèi)容簡介】 的反應(yīng)速度,每次發(fā)出脈沖后都進行模擬量采集、查表工作。若α未改變,直接進行脈寬控制。若α控制角增大,按照增大角度計算出延時參數(shù),延時發(fā)脈沖。當α變小時,區(qū)別變小量大于等于60176。和小于60176。兩種情況。如果新控制角超前量小于60176。,在當前量中減去超前量,送延時參數(shù),啟動延時。 如新控制角超前量大于等于60176。時,當前值增加60176。后減去超前量,送延時參數(shù),啟動延時。 當α處于不同角度時,同步脈沖到來時第一組脈沖是不相同的。工頻周期內(nèi)α保持一定的情況下,相鄰可控硅脈沖間隔角度為60176。為防止程序執(zhí)行累計誤差和電網(wǎng)頻率波動使α發(fā)生變化,每個周期需校正同步點。當60176。的同步脈沖到來時,上周期脈沖全部發(fā)完,按照轉(zhuǎn)換查表后參數(shù)直接送T0 , 啟動定時器即可。當60176?！堞?120176。同步脈沖到來時,上周期脈沖最后一對脈沖SCR5 、SCR6 未發(fā)出,定時器0 不可能同時啟動2 個定時。計算出新控制角第一對脈沖距離上周期最后脈沖的時間參數(shù)m4 ,上周期最后脈沖繼續(xù)延時發(fā)出,之后按照m4 發(fā)出本周期第一對脈沖。當120176?！堞?180176。同步脈沖到來時,上周期脈沖最后2 對脈沖SCR4 、SCR5 及SCR5 、SCR6 未發(fā)出,計算出新控制角第一對脈沖距離上周期最后脈沖的時間參數(shù)m4 ,上周期脈沖SCR4 、SCR5 繼續(xù)延時發(fā)出,SCR5 、SCR6 按照60176。延時發(fā)出,后按照m4 發(fā)出本周期第一對脈沖。 圖45 A/D 轉(zhuǎn)換電路 第五章 晶閘管保護電路晶閘管的保護電路，大致可以分為兩種：一種是在適當?shù)牡胤桨惭b保護器件，例如，RC阻容吸收回路、限流電感、快速熔斷器、壓敏電阻或硒堆等。另一種是采用電子保護電路，檢測設(shè)備的輸出電壓或輸入電流，當輸出電壓或輸入電流超過允許值時，借助整流觸發(fā)系統(tǒng)使整流橋短時間內(nèi)工作于有源逆變狀態(tài)，從而抑制過電壓或過電流的數(shù)值。 過電流保護晶閘管的過載時間和過載倍數(shù)的關(guān)系表51過載時間5s5min過載倍數(shù)421過流保護的原因，由于晶閘管的熱容量很小，一旦發(fā)生過電流，溫度就會急劇上升，可能把PN結(jié)燒壞，造成元件內(nèi)部短路或者開路。例如一個100A的晶閘管，它的過電流能力下表所列。這就是說， 當100A的晶閘管過電流為400A時，否則將因過熱而損壞。由此可知，晶閘管允許在短時間見內(nèi)承受一定的過電流，所以，過電流保護的作用在于當發(fā)生過電流時，在允許的時間內(nèi)將過電流切斷，以防止元器件損壞。 圖51晶閘管保護電路2. 整流電路過流的分類晶閘管發(fā)生過電流的原因主要有兩類：一類是由于整流電路內(nèi)部的原因、如整流晶閘管損壞。觸發(fā)系統(tǒng)或控制系統(tǒng)出現(xiàn)故障等；一般是由于晶閘管因過電壓而擊穿，造成無正、反向阻斷能力，它相當于整流橋臂發(fā)生永久性短路，使在另外兩對橋臂晶閘管導(dǎo)通時，無法正常換流，因而產(chǎn)生線間短路而引起過流。第二類是整流橋負載外電路發(fā)生短路而引起的過電流，對于第一類過流，即整流橋內(nèi)部引起的過流，可以采用接入快速熔斷器的方式。ⅡⅠ三種類型的熔斷絲的接入方式表52 三種類型的熔斷器接入方式類型特點額定電流備注Ⅰ熔短器與每一個元件串聯(lián)能可靠地保護每一個元件 。IRN IT晶閘管通態(tài)平均電流Ⅱ能在交流直流和元件短路時起保護作用其可靠性稍有降低IRN KCIDKC交流側(cè)線電流與ID之比ID整流輸出電流Ⅲ直流負載側(cè)有故障時動作元件內(nèi)部短路時不能起保護作用IRN IDID整流輸出電流 圖52 晶閘管保護電路的三種接入方式注：（2）對于第二類過流，即整流橋負載外電路發(fā)生短路而引起的過電流則應(yīng)當采用電子電路進行保護。（3）過電路繼電器保護：在輸出端（直流側(cè)）裝直流過電流繼電器，或是輸入端（交流側(cè)）經(jīng)電流互感器接入靈敏的過電流繼電器，都可在發(fā)生過電流故障時動作，使輸入端的開關(guān)跳閘。這種保護措施對過載是有效的，但是在發(fā)生短路故障時，由于過電流繼電器的動作及自動開關(guān)的跳閘都需要一定的時間，如果短路電流比較大，這種保護方式不是很有效。所以在此處不采用這種保護方法。（4）電流上升率di/dt的抑制：晶閘管初開通時電流集中在靠近門極的陰極表面較小的區(qū)域。若晶閘管開通時電流上升率di/dt過大會導(dǎo)致PN結(jié)擊穿，必須限制晶閘管的電流上升率使其在合適的范圍內(nèi)。其有效辦法是在晶閘管的陽極回路串聯(lián)入電感，如下圖52。圖53 串聯(lián)電感抑制回路3. 過流保護器件的選擇熔斷器的電流額定應(yīng)該盡量接近實際工作電流的有效值而不是按所保護的元件的電流定額（平均值）選取。在接有電抗器的三相全控橋電路，通過晶閘管電流有效值IT=Id/=37A/=21A故選用RLS50的熔斷器，熔斷電流為50A。抑制電流上升率di/dt除在阻容保護中選擇合適的電阻外，也可采用與限制du/dt相同的措施，其中電感可采用空心電抗器，其中L≧30uH。 晶閘管的過壓保護1. 過壓保護的原因晶閘管耐過電壓的的能力極差，當電路中電壓超多其反相擊穿電壓時，即使時間極短，也容易損壞。如果正向電壓超過其轉(zhuǎn)折電壓，則晶閘管誤導(dǎo)通，這種誤導(dǎo)通次數(shù)頻繁時，導(dǎo)通后通過的電流較大，也可能使元件損壞或使晶閘管的特性下降。因此必須采取措施消除晶閘管上可能出現(xiàn)的過電壓。（1）晶閘管過電壓的保護措施通常采用阻容保護。并接RC阻容吸收回路，利用電容來吸收過電壓，其實質(zhì)就是將造成過電壓的能量變成電場能量儲存到電容器中，然后釋放到電阻中去消耗掉。這是過電壓保護的基本方法。阻容吸收元件可以并聯(lián)在整流裝置的交流側(cè)（輸入端）、直流側(cè)（輸出端）、或則元件側(cè)。（2）電壓上升率du/dt的抑制：加在晶閘管上的正向電壓上升率dv/dt也應(yīng)有所限制,如果dv/dt過大，由于晶閘管結(jié)電容的存在而產(chǎn)生較大的位移電流，使晶閘管正向阻斷能力下降，嚴重時引起晶閘管誤導(dǎo)通。抑制dv/dt可以在晶閘管兩端并聯(lián)RC阻容吸收回路。見下圖43： 圖54 并聯(lián)RC阻容吸收回路3. 晶閘管兩端的過壓保護的器件選擇晶閘管：C2=，R2=40Ω電容耐壓≧=U2=120V=441V選C2JD2型金屬化介電容器，耐壓400V電阻功率：PR2=fcum2106=取R2=43Ω，1W金屬膜電阻第六章protues軟件簡介 protues軟件簡介 Protues組合了高級布圖、混合模式SPICE仿真，PCB設(shè)計以及自動布線來實現(xiàn)一個完整的電子設(shè)計系統(tǒng)。ISIS是protues系統(tǒng)中心，它遠不僅是一個圖標庫，他是具有控制原理圖畫圖的外觀設(shè)計環(huán)境。Protues軟件是一種低投資的電子設(shè)計自動化軟件，提供可仿真數(shù)字和模擬，交流和直流等數(shù)千種元器件可達30多個元件庫。Protues軟件提供了多種顯示存在的虛擬儀器表。此外，protues還提供了圖形顯示功能，可以將線路上變化的信號，以圖形的方式顯示出來。這些虛擬儀器儀表具有理想的參數(shù)指標，例如，極高的輸入阻抗，極低的輸出阻抗，盡可能的減少儀器對測量結(jié)果的影響，protues軟件提供了豐富的測試信號用于電路的測試，這些測試信號包括模擬信號和數(shù)字信號。提供了schematic drawing SPICE仿真與PCB設(shè)計功能，同時可以仿真單片機和周邊設(shè)備，可以仿真51系列，AVR,PIC等常用的MCU，并提供周邊設(shè)備仿真，例如373,LED,、示波器等。Protues提供了大量的元件庫有RAM、ROM、鍵盤、馬達LCD,AD/DA,部分SPI器件、部分IIC器件，編譯方面支持keil和mplab、韋福等編譯器。 一臺計算機、一套電子仿真軟件，就可以相當于一個實驗室，以虛代實，以軟代硬，就建立了一個完整的虛擬實驗室。在計算機上學(xué)習(xí)電工基礎(chǔ)，模擬電路，數(shù)字電路、單片機應(yīng)用等課程，并進行電路設(shè)計仿真調(diào)試等。 基本操作步驟。 從元件庫中提取相應(yīng)的元件，4在編輯區(qū)畫電路圖，修改元件參數(shù)，鏈接電路圖。，6．點擊“源代碼”—新建 添加相應(yīng)的程序仿總結(jié)本課題設(shè)計是基于MCS—51系列單片機80C51芯片為主的數(shù)字觸發(fā)電路，在一個周期內(nèi)準時發(fā)出六個脈沖分別觸發(fā)六個晶閘管，比原來用模擬電路控制觸發(fā)簡單，穩(wěn)定，抗干擾強。在工業(yè)生產(chǎn)中廣泛采用作為整流、調(diào)壓。很好的克服了傳統(tǒng)的模擬晶閘管觸發(fā)電路的很多缺點。隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，在工業(yè)及民用上有極其廣闊的應(yīng)用，有很好的發(fā)展前景。經(jīng)過這次畢業(yè)綜合實踐進一步加深了專業(yè)知識的綜合運用能力，我學(xué)會了獨立思考和用所學(xué)知識解決實際問題的能力。同時增加了查閱資料的技術(shù)，和解決問題的能力。再設(shè)計中，我懂得了很多也碰到了很多難點，最后經(jīng)過老師輔導(dǎo)，自己查閱資料，是問題慢慢解決，當然在這個過程中也反應(yīng)出了一些不足，如專業(yè)知識應(yīng)用能力的欠缺、對所學(xué)知識的綜合應(yīng)用技巧的不足等。在以后的工作中我會有針對性的去克服這些困難，爭取能有所進步和提高。為自己的工作有很大的幫助，也讓我從中學(xué)到了許多東西。 元件清單元件清單序號元件名稱型號規(guī)格單位數(shù)量1電阻10K歐姆只9滑動電阻20k只12瓷片電容10uf只1只23晶振12MHz只15單片機AT89C51塊1ADC0808塊16集成電路插座40腳塊1728腳塊17接線柱2位只28按鈕獨立式只17致謝在畢業(yè)論文即將完成之際，首先我要感謝我們的指導(dǎo)老師焦老師，在大學(xué)最后學(xué)習(xí)階畢業(yè)設(shè)計階段給自己的指導(dǎo)，從最初的定題，到搜集資料、修改、到論文定稿，她給了我耐心的指導(dǎo)和答疑，在這六周的畢業(yè)設(shè)計期間，焦老師老師對我們嚴格要求，給我們的設(shè)計提出了一些疑問，同時也提供了一些解決辦法。正是因為這些提醒和指導(dǎo)，我們才能完成這個課題。老師以他們深厚的理論知識以及實踐經(jīng)驗，給予了我們很多的幫助。在此我向她表示真誠的謝意。同時，感謝所有任課老師和所有同學(xué)在這三年來給自己的指導(dǎo)和幫助，是他們教會了我專業(yè)知識，教會了我怎么做人。在此對他們表示我由衷的謝意，通過這一段時間的努力，我的畢業(yè)論文《三相整流單片機控制》終于完成了，這除了我自身的努力外，與各位老師、同學(xué)的關(guān)心和支持是分不開的。在課題設(shè)計期間，我的輔導(dǎo)老師焦老師給了我很多幫助，嚴格把關(guān)，指出論文中出現(xiàn)的具體問題，為此，我表示衷心感謝