【總結(jié)】電子工藝學(xué)復(fù)習(xí)題電阻——1.作用:導(dǎo)體材料對電流通過的阻礙作用2.在電路中的作用:分壓、降壓、分流、限流、濾波(與電容組合)和阻抗匹配3.命名:RYG1代表了功率型金屬氧化膜電阻器4.標(biāo)志:文字符號(hào)直接表示法;色標(biāo)法(四色帶普通電阻和五色帶精密電阻);數(shù)字表示法;文字表示法適用于功率大于2W的電阻;色標(biāo)法適用于功率在2W以下的電阻;數(shù)字表示法適用于貼片電阻,注意,
2025-04-17 07:26
【總結(jié)】一、填空題:1.在計(jì)算機(jī)內(nèi)部,只處理二進(jìn)制數(shù);二制數(shù)的數(shù)碼為1、0兩個(gè);寫出從(000)2依次加1的所有3位二進(jìn)制數(shù):000、001、010、011、100、101、110、111。2.13=(1101)2;(5A)16=(1011010)2;(10001100)2=(8C)16。完成二進(jìn)制加法(1011)2+1=(1100)23.寫出下列公式:=1;
2025-06-22 14:18
【總結(jié)】《電工與電子技術(shù)》復(fù)習(xí)題答案一、單選題(每小題1分)1、(A)2、(D)3.(D)4、(B)5.(C)6.(B)7.(A)8.(A)9.(C)
2024-10-29 06:52
【總結(jié)】《模擬電子技術(shù)》復(fù)習(xí)題綜合(第1、2章)一、選擇題1、在本征半導(dǎo)體中摻入微量的D價(jià)元素,形成N型半導(dǎo)體。2、在N型半導(dǎo)體中摻入濃度更大的C價(jià)元素,變成為P型半導(dǎo)體。3、在本征半導(dǎo)體中,自由電子濃度B空穴濃度。4、在P型半導(dǎo)體中,自由電子濃度C空穴濃
2025-06-24 23:32
【總結(jié)】《模擬電子技術(shù)》復(fù)習(xí)題一一、填空題1、在N型半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子是;在P型半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子是。2、場效應(yīng)管從結(jié)構(gòu)上分為結(jié)型和兩大類,它屬于控制性器件。3、為了使高阻信號(hào)源與低阻負(fù)載能很好地配合,可以在信號(hào)源與負(fù)載之間接入(共射、共集、共基)組態(tài)放大電路。4、在多級(jí)
【總結(jié)】西方經(jīng)濟(jì)學(xué)(宏觀部分)復(fù)習(xí)?題型及分值:?一、選擇題(2*20分)?二、判斷題(1*10分)?三、填空題(1*19分)?四、簡答題(15分,2個(gè))?五、計(jì)算題(10分,1個(gè))?六、論述題(6分,1個(gè))第一章國民收入核算[教材第十二章]?1.國內(nèi)生產(chǎn)總值及最終產(chǎn)品?2.
2025-05-12 20:30
【總結(jié)】第一章電路的基本概念和基本定律,各元件電壓為U1=-5V,U2=2V,U3=U4=-3V,指出哪些元件是電源,哪些元件是負(fù)載?解:元件上電壓和電流為關(guān)聯(lián)參考方向時(shí),P=UI;電壓和電流為非關(guān)聯(lián)參考方向時(shí),P=UI。P0時(shí)元件吸收功率是負(fù)載,P0時(shí),元件釋放功率,是電源。本題中元件1、2、4上電壓和電流為非關(guān)聯(lián)參考方向,元件3上電壓和電流為關(guān)聯(lián)參考方向,
2025-06-18 13:44
【總結(jié)】一、名詞辨析1.國內(nèi)生產(chǎn)總值(GDP):在既定時(shí)期內(nèi),一國生產(chǎn)的所有最終產(chǎn)品和服務(wù)的價(jià)值;國民生產(chǎn)總值(GNP):指一定時(shí)期內(nèi),本國的生產(chǎn)要素所有者所生產(chǎn)的最終產(chǎn)品和勞務(wù)的價(jià)值。4.消費(fèi)價(jià)格指數(shù)(consumerpriceindex,CPI)又稱生活費(fèi)用指數(shù),度量城市消費(fèi)者購買一籃子固定的商品和服務(wù)的費(fèi)用;GDP消脹指數(shù)是指在給定年份中,名義GDP與真實(shí)GDP的比率。CPI與GDP消
2025-06-19 02:29
【總結(jié)】模擬電子學(xué)基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)晶體管放大器的仿真實(shí)驗(yàn)步驟(一)電路原理圖輸入1、啟動(dòng)OrCAD/Capture?選擇“開始”→“程序”→“OrCAD”→“Capture”,以進(jìn)入Capture的工作環(huán)境2、創(chuàng)建新項(xiàng)目?執(zhí)行File/New/Project命令?在Name框中鍵入欲建立項(xiàng)目的名稱(如:Amp
2025-01-05 04:12
【總結(jié)】1、GTO和普通晶閘管同為PNPN結(jié)構(gòu),為什么GTO能夠自關(guān)斷,而普通晶閘管不能?GTO和普通晶閘管同為PNPN結(jié)構(gòu),由P1N1P2和N1P2N2構(gòu)成兩個(gè)晶體管V1、V2分別具有共基極電流增益α1和α2,由普通晶閘管得分析可得,α1+α2=1是器件臨界導(dǎo)通的條件。α1+α21兩個(gè)晶體管飽和導(dǎo)通;α1+α21不能維持飽和導(dǎo)通而關(guān)斷。GTO能關(guān)斷,而普通晶閘管不能是因?yàn)镚T
2025-06-18 13:41
【總結(jié)】緒論與細(xì)胞名詞:組織學(xué):組織學(xué)是研究正常機(jī)體微細(xì)結(jié)構(gòu)及其相關(guān)機(jī)能的科學(xué)。胚胎學(xué):胚胎學(xué)是研究人個(gè)體發(fā)生及生前發(fā)育規(guī)律的科學(xué)。嗜酸性:組織細(xì)胞成分易于被酸性染料著色的物質(zhì)。嗜堿性:組織細(xì)胞成分易于被堿性染料著色的物質(zhì)。電子密度高:組織細(xì)胞中的某些成分易于與金屬鹽親和,被浸染成深黑的部分。電子密度低:組織細(xì)胞中的某些成分不易被金屬鹽親和和被浸染成顏色淺亮的部分。
2025-06-07 21:23
【總結(jié)】第一章:1食品發(fā)酵與釀造的發(fā)展趨勢是什么?隨著生物技術(shù)的高速發(fā)展,食品發(fā)酵與釀造技術(shù)也得到迅速發(fā)展。發(fā)酵工程是生物技術(shù)的必由之路,許許多多通過生物技術(shù)發(fā)展起來的新產(chǎn)品必須用發(fā)酵方法來生產(chǎn)。因此可以說,發(fā)酵工程的潛力幾乎是無窮的,隨著科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步,發(fā)酵工程也必將取得長足的進(jìn)步。①利用基因工程技術(shù),人工選育和改良菌種基因工程創(chuàng)造了新的性狀或新的物種,這是常規(guī)育
2024-11-12 07:27
【總結(jié)】習(xí)題與思考題淬透性:鋼在淬火時(shí)獲得的淬硬層深度稱為鋼的淬透性,其高低用規(guī)定條件下的淬硬層深度來表示淬硬性:指鋼淬火后所能達(dá)到的最高硬度,即硬化能力相:金屬或合金中,凡成分相同、結(jié)構(gòu)相同,并與其它部分有晶只界分開的均勻組成部分稱為相組織:顯微組織實(shí)質(zhì)是指在顯微鏡下觀察到的各相晶粒的形態(tài)、數(shù)量、大小和分布的組合。組織應(yīng)力:由于工件內(nèi)外溫差而引起的奧
2024-10-20 12:48
【總結(jié)】《機(jī)械原理》復(fù)習(xí)題:1設(shè)螺紋的升角為λ,接觸面的當(dāng)量摩擦系數(shù)為,則螺旋副自鎖的條件為3對心曲柄滑塊機(jī)構(gòu)以曲柄為原動(dòng)件時(shí),其最大傳動(dòng)角γ為4為了減小飛輪的質(zhì)量和尺寸,最好將飛輪安裝在機(jī)械的高速軸上。5、機(jī)器中安裝飛輪的目的,一般是為了調(diào)節(jié)周期性速度波動(dòng)而同時(shí)還可達(dá)到減少投資,降低能耗的目的;6、內(nèi)嚙合斜齒圓柱齒輪傳動(dòng)的正確嚙合條件是7
2025-06-24 03:18
【總結(jié)】《電工電子學(xué)》綜合復(fù)習(xí)資料一、單項(xiàng)選擇題1、圖示電路中,對負(fù)載電阻RL而言,點(diǎn)劃線框中的電路可用一個(gè)等效電源代替,該等效電源是()。(a)理想電壓源 (b)理想電流源 (c)不能確定 2、已知圖示電路中的US1.,US2和I均為正值,則供出功率的電源是()。(a)電壓源US1 (b)電壓源US2 (c)電壓源US1和US23、當(dāng)三相交流
2025-03-25 06:17