【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 放不是工作在開(kāi)環(huán)狀態(tài)，就是僅僅引入正反饋。 （ ）功率放大電路的最大輸出功率是指在基本不失真情況下，負(fù)載上可能獲得的最大交流功率。四、分析計(jì)算題電路如圖所示，所有電容對(duì)交流信號(hào)均可視為短路。(1)圖示電路為幾級(jí)放大電路？每一級(jí)各為哪種基本電路？(2)電路引入了哪種組態(tài)的交流負(fù)反饋？在深度負(fù)反饋條件下電壓放大倍數(shù)為多少？（ 12分）功率放大電路如圖所示。設(shè)三極管的飽和壓降VCES為1V，為了使負(fù)載電阻獲得12W的功率。請(qǐng)問(wèn)：(1)該功率放大電路的名稱是什么？理想情況下其效率可達(dá)多少？(2)正負(fù)電源至少應(yīng)為多少伏？(3)三極管的ICM，V(BR)CEO至少應(yīng)為多少？ 圖示電路中，運(yùn)放均為理想器件，求電路輸出電壓VO與輸入電壓Vi的關(guān)系。某晶體管輸出特性和用該晶體管組成的放大電路如下圖所示，設(shè)晶體管的UBEQ＝。電容對(duì)交流信號(hào)可視為短路。(1)在輸出特性曲線上畫出該放大電路的直流負(fù)載線，標(biāo)明靜態(tài)工作點(diǎn)Q。(2)用作圖法求出靜態(tài)時(shí)ICQ和UCEQ的值以及三極管的電流放大倍數(shù)。(3)當(dāng)逐漸增大正弦輸入電壓幅度時(shí)，首先出現(xiàn)飽和失真還是截止失真？(4)為了獲得盡量大的不失真輸出電壓，Rb應(yīng)增大還是減小？多大比較合適？(5)畫出小信號(hào)模型。(6)計(jì)算輸入電阻和輸出電阻。(7)計(jì)算電壓放大倍數(shù)。 《模擬電子技術(shù)》復(fù)習(xí)題四參考答案一、填空題 1．加寬，具有單向?qū)щ?．，3．正向，反向；＜04．變壓器5．共射和共集，共射；共集。6．；7．串聯(lián)負(fù)反饋；直流負(fù)反饋；電流負(fù)反饋8．100二、選擇題C C C B B C B A C C 三、判斷題√ √ √ √ √ √ 四、分析計(jì)算題解：(1)電路為3級(jí)放大電路。第一級(jí)為共源極放大電路，第二級(jí)、第三極均為共射極放大電路。 （2）引入電流串聯(lián)負(fù)反饋。 方法一： 如果 方法二： 解：(1)OCL乙類雙電源互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路%。(2)Pom= VCES=1V RL=6VCC－1=177。12V VCC0 VCC=13V (3) V(BR)CEO ≥2VCC=26V 解： （虛斷） （虛斷）V+=V－ （虛短）解：(1)M點(diǎn)坐標(biāo)，；N點(diǎn)坐標(biāo)。 在圖上正確畫出直流負(fù)載線，標(biāo)明靜態(tài)工作點(diǎn)Q。(2)過(guò)Q點(diǎn)做兩條垂線，分別與坐標(biāo)軸相交于一點(diǎn)。得靜態(tài)工作點(diǎn)的值：ICQ=3mA,UCEQ=3V。首先出現(xiàn)的是飽和失真。(4)應(yīng)減少RB。（2分）。應(yīng)為240K比較合適。(5) 小信號(hào)模型。(6) (7) 《模擬電子技術(shù)》復(fù)習(xí)題五一、填空題1．P型半導(dǎo)體中，以 導(dǎo)電為主。 2．場(chǎng)效應(yīng)管屬于 控制型器件，而晶體管 BJT 則是__ _控制型器件。3．有一差分放大電路，Aud=100，Auc=0，ui1=10mV，ui2=5mV，則uid= ，uic= ，輸出電壓= 。4．已知放大電路加1mV信號(hào)時(shí)輸出電壓為1V，加入負(fù)反饋后，為了達(dá)到相同的輸出需要加10mV輸入信號(hào)。則反饋深度為 ，反饋系數(shù)為 。 5．放大器級(jí)間耦合方式主要有阻容（RC）耦合、直接耦合和 耦合三大類。6．交流放大電路和三極管的輸出特性、交、直流負(fù)載線如下圖所示，負(fù)載上獲得的最大不失真輸出電壓的峰峰值是 V。二、選擇題1．測(cè)得某硅晶體三極管的電位如圖1所示，判斷管子的工作狀態(tài)是（ ）。 A．放大狀態(tài) B．截止?fàn)顟B(tài) C．飽和狀態(tài) D．擊穿狀態(tài)2．本征半導(dǎo)體在溫度升高后，（ ）。 ，空穴數(shù)目基本不變； ，自由電子數(shù)目基本不變； ，且增量相同； 。3．某場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性如圖2所示，該管為（ ）。 溝道增強(qiáng)型MOS 管 溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 溝道增強(qiáng)型MOS 管 溝道耗盡型MOS 管4．如圖3所示為放大電路及輸出電壓波形，若要使輸出電壓u0 波形不失真，則應(yīng)（ ）。A．RC 增大 B．RB 增大 C．RB 減小 D．β增大 圖1 圖2 圖35．放大電路在負(fù)載開(kāi)路時(shí)的輸出電壓為4V，接入3k? 的負(fù)載電阻后輸出電壓降為3V，這說(shuō)明放大電路的輸出電阻為（ ）。 k? k? k?6．電壓放大倍數(shù)最高的電路是（ ）。 7．三極管的電流放大系數(shù)由三極管的（ ）決定。 8．放大電路需減小輸入電阻，穩(wěn)定輸出電流，則引入（ ）。； ； ； 。9．集成放大電路采用直接耦合方式的原因是（ ）。 10．在變壓器副邊電壓和負(fù)載電阻相同的情況下，橋式整流電路的輸出電壓是半波整流電路輸出電壓的（ ）倍。A．1 三、分析題三極管 BJT 放大電路中，測(cè)得一只 BJT 的三個(gè)電極的電位如下圖4所示。試判斷該 BJT 是 NPN 型還是 PNP 型？答： 。是硅材料還是鍺材料？答： 。并判別出三個(gè)電極的名稱。答：—— ，—— ，—— 。圖4 圖5 圖6電路如圖5所示，ui=5sinwt(V)，uDC=10V,二極管可視為理想二極管。畫出uo的波形。如圖 6 所示的電路是一個(gè)實(shí)驗(yàn)電路，試回答下列問(wèn)題： 1）、電路的名稱是什么？答： 。2）、如果輸出端看不到波形，調(diào)整RW ，便可看到輸出波形，試說(shuō)明原因。答： 。 3）、 若輸出波形失真嚴(yán)重，調(diào)整哪個(gè)電阻可以改善輸出波形，為什么？答： 。4）、DW起到什么作用？答： 。5）、振蕩頻率fo= 。對(duì)圖7的OCL電路，解答下列問(wèn)題： 1）VDVD2兩個(gè)二極管可否反接于電路中？答： 。2）VV2兩晶體管工作在哪種組態(tài)？答： 。3）若VV2的飽和壓降UCES1 =UCES2 =2V，RL =8Ω，求該電路的最大不失真功率Pom。答： 。4）若電源提供的總功率PE=，求每管的最大管耗PV1 ，PV2。答： 。 圖7 圖8電路如圖8所示，試回答下列問(wèn)題： 1）、圖示電路中的交流反饋由哪些電阻構(gòu)成？并判斷其組態(tài)。答： 。2）、反饋對(duì)輸入、輸出電阻Ri、Ro的影響，能穩(wěn)定什么增益？答： 。3）、若滿足深度負(fù)反饋條件，試近似求它的閉環(huán)增益。答： 。（6分）串聯(lián)型穩(wěn)壓電路如圖9所示，T2和T3管特性完全相同，T2管基極電流可忽略不計(jì)，穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓為UZ。則調(diào)整管為 ，輸出電壓采樣電阻由 組成，基準(zhǔn)電壓電路由 組成，比較放大電路由 組成；輸出電壓調(diào)節(jié)范圍的表達(dá)式為 。圖9四、計(jì)算題如圖所示電路中，β＝100，試計(jì)算：1)．畫出直流通路，并求放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)； 2)．畫出放大電路的微變等效電路； 3)．求電壓放大倍數(shù)Au、輸入電阻Ri和輸出電阻Ro。 電路如圖所示，設(shè)運(yùn)放是理想器件，試求vo1,vo2和vo 。差分電路中，已知，=200歐。試求： 1）T1管的靜態(tài)值IC1和UCE1；2）Avd1，Avc1，KCMR，Rid，Ro；3)若ui=10mV，則uo=?《模擬電子技術(shù)》復(fù)習(xí)題五參考答案一、填空題1．空穴 2．電壓 ，電流 3．5 mV(5 mV) ， mV， 4．10 ， () 5．變壓器 6． 3二、選擇題C C D B C A D B C B 三、分析題1．PNP 型； 硅材料； 管腳：1―C，2―B，3―E 2．3． 1）. RC橋式振蕩器 2）. 起振時(shí)，要求AV =1+Rf /R13，調(diào)整RW即調(diào)整R f 3）. 減小RW ，使AV 起振時(shí)略大于3 4）. 起穩(wěn)幅作用。 5） 4．1）.不可以，否則V1和 V2 間直流開(kāi)路，電路不能工作。2）.V1和 V2 共集電極組態(tài)。 3）.Pom 4). PV1 = PV2 = 5. 1).R3，R4組成電壓串聯(lián)負(fù)反饋 2). Ri增大，Ro減小，穩(wěn)定閉環(huán)增益 3).1+R3/R4 6.T1 ； RRR3； R、DZ； TTRE、RC； 四、計(jì)算題1）直流通路為 2）小信號(hào)模型 3)．rbe=100+(1+100)26/≈ 《模擬電子技術(shù)》復(fù)習(xí)題六一、 填空題1．對(duì)于共射、共集和共基三種基本組態(tài)放大電路，若希望電路的電壓放大倍數(shù)大，可選用 組態(tài)；若希望帶負(fù)載能力強(qiáng)，應(yīng)選用 組態(tài)；若希望從信號(hào)源索取的電流小，應(yīng)選用 組態(tài)；若希望高頻性能好，應(yīng)選用 組態(tài)。2．一個(gè)放大電路，空載輸出電壓為6V，負(fù)載電阻為4Ω時(shí)輸出電壓為4V，則其輸出電阻為 。3．集成運(yùn)算放大器是多級(jí) 放大電路，其第一級(jí)通常采用 ，因?yàn)檫@種電路能有效抑制 現(xiàn)象。 4．一個(gè)放大電路，為穩(wěn)定輸出電流和減小輸入電阻，應(yīng)引入 負(fù)反饋。5．乙類互補(bǔ)推挽功率放大電路會(huì)產(chǎn)生 失真。二、選擇題1.（ ）藕合放大電路具有良好的低頻特性。 A、阻容 B、直接 C、變壓器，該管為（ ）。 A、P 溝道增強(qiáng)型MOS 管 B、P 溝道耗盡型MOS 管 C、N 溝道增強(qiáng)型MOS 管 D、N 溝道耗盡型MOS 管 圖1 圖2 3．在如圖2所示電路中，電阻RE的主要作用是（ ）。A、提高放大倍數(shù) B、穩(wěn)定直流靜態(tài)工作點(diǎn) C、穩(wěn)定交流輸出 D、提高輸入電阻，信號(hào)源的內(nèi)阻（ ），負(fù)反饋的效果越好。 A、越大， B、越小， C、越恒定， D、越適當(dāng)5．用直流電壓表測(cè)得放大電路中某三極管各管腳電位分別是2V、6V、則三個(gè)電極分別是（ ）。A、（B、C 、E） B、（C 、B、E） C 、（E、C 、B），空間電荷區(qū)將（ ）。A、變窄 B、基本不變 C、變寬 D、不定（ ）。A、正向?qū)? B、反向截止 C、反向擊穿 D、熱擊穿（ ）。A、輸出功率與晶體管所消耗