電子電工綜合實驗(編輯修改稿)
2025-07-14 14:21 本頁面
【文章內容簡介】 214AB 制造廠商：generic電路圖2： 直流電流表 AMMETER_H 內阻1e009Ω二極管D1，D2，D3，D4，D5，D6 值（模型）：DIODE_VIRTUAL實驗過程A 了解凹、凸電阻的概念如右圖，當直流電壓源、理想二極管與一個電阻串聯時，電路對外等效為一個凹電阻（伏安特性曲線如附錄圖3），它是由VDR1三個元件的伏安關系特性在i相等的情況下相加而得。圖3a圖3中，iu曲線的斜率為電阻R1的倒數，則iu函數表達式為.圖3b如右圖，當直流電流源、理想二極管與一個電阻并聯時，電路對外等效為一個凸電阻（伏安特性曲線如附錄圖4），它是由IDR2三個元件的伏安關系特性在u相等的情況下相加而得。圖4中，iu曲線的斜率仍然為電阻R1的倒數，則iu函數表達式為.B 串聯分解法設計電路圖1串聯分解法在伏安特性圖中以電流I軸為界來分解曲線。如附錄圖5，原圖1可分為第一象限和第三象限兩個部分。在電流不變的基礎上將電壓相加，第一象限內可得到以下分段函數表達式：。該函數可用兩個凸電阻（Is=0，R=；Is=2mA,R=）串聯實現。= 圖4a + 圖4c圖4b由觀察可知，原圖線中第三象限部分是第一象限部分旋轉180176。所得。化簡后的電路如圖5所示。右下角綠線虛線所畫出的部分即為所求的非線性電路。 圖5C 并聯分解法設計電路圖2并聯分解法在伏安特性圖中以電壓U軸為界來分解曲線。如附錄圖6，原圖2
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