電學(xué)半導(dǎo)體廠設(shè)備工程師人員安全注意事項(xiàng)1(編輯修改稿)
2025-07-13 14:41 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 人員單位簡(jiǎn)介及安全概述半導(dǎo)體廠設(shè)備單位一般包括Diff、Thinfilm、CMP、Vacuum、Dry Etch、Wet Etch、Photo，各單位之主要性質(zhì)介紹如下：（一）Diff 擴(kuò)散設(shè)備單位（包括KE、TEL、DNS、Applied 等）主要用到有毒、無(wú)毒之Process Gas、water、高電壓、高電流、廢氣，Clean機(jī)臺(tái)則使用強(qiáng)酸堿化學(xué)液、而有廢酸液之生成。（二）Thinfilm 薄膜設(shè)備單位（包括Applied、Novellus 等）主要用到有毒、無(wú)毒之Process Gas、water、高電壓、高電流、高頻、廢氣。（三）CMP 研磨設(shè)備單位（包括Applied、DNS 等）主要用到強(qiáng)堿slurry 化學(xué)液、water、而有廢堿液之生成。（四）Vacuum 真空設(shè)備單位（包括Applied、AG、Varian 等）主要用到有毒、無(wú)毒之Process Gas、water、高電壓、高電流、高頻、廢氣；噴砂機(jī)臺(tái)作為維修之用。（五）Etch 干蝕刻設(shè)備單位（包括Lam、TEL、Applied、PSC、Mattson 機(jī)臺(tái)）干蝕刻機(jī)臺(tái)之制程主要用到有毒特殊氣體(Cl2,Hbr,氟化物…)、無(wú)毒之氣體(N2,Ar….)、water(冷卻循環(huán)水,去離子水….)、高電壓、高頻、高電流在真空中反應(yīng)，且在生產(chǎn)過(guò)程會(huì)有廢氣、輻射、廢水之生成物。（六）Etch 濕蝕刻設(shè)備單位（包括Kaijo 機(jī)臺(tái)）濕蝕刻機(jī)臺(tái)之制程主要用化學(xué)藥品，如強(qiáng)酸( HF ,BOE ,H3PO4 ,H2SO4 ,HNO3…)，強(qiáng)堿(ACT690…)及DIW ,Coolingwater 等，在生產(chǎn)過(guò)程中會(huì)有廢酸液、廢水及反應(yīng)生成物之產(chǎn)生。（七）Photo 黃光設(shè)備單位（包括ASM stepper、TEL track、AGV 及其他相關(guān)量測(cè)或檢視機(jī)臺(tái)）主要用到紫外線光源HMDS、thinner、光阻等有機(jī)溶劑，且有高電流、高電壓
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