【總結】.選擇題:1.下列各式中哪個是四變量A、B、C、D的最小項?()a.A′+B′+Cb.AB′Cc.ABC′Dd.ACD2.組合邏輯電路的分析是指()。a.已知邏輯要求,求解邏輯表達式并畫邏輯圖的過程b.已知邏輯要求,列真值表的過程c.已知邏輯圖,求解邏輯功能的過程3.正邏輯是指
2025-05-31 12:19
【總結】《電子技術》復習題一、填空題、正弦量的三要素是指、和。幅值、頻率、初相位、圖示電路中,();()。Ω、Ω()()、額定功率為的電器,額定電壓下,工作小時,消耗的電是度。、已知,則,,,。2、、、30O、差分放大電路輸入端加上大小相等、極性相同的兩個信號,稱為信
2025-04-17 07:29
【總結】《電工與電子技術》復習題答案一、單選題(每小題1分)1、(A)2、(D)3.(D)4、(B)5.(C)6.(B)7.(A)8.(A)9.(C)
2024-10-29 06:52
【總結】模擬電子技術復習題一、判斷題(在正確的論斷前的括號內填入“√”,否則填入“×”。)第二章(×)1.運算電路中一般引入正反饋。(√)2.凡是運算電路都可利用“虛短”和“虛斷”的概念求解運算關系。第三章(×)1.因為N型半導體的多子是自由電子,所以
2024-10-27 08:12
【總結】機電一體化專業(yè)“專接本”模擬、數(shù)字及電力電子技術復習資料大全邏輯代數(shù)基礎例題解析例9.1已知邏輯函數(shù)F的真值表如表所示,試寫出F的邏輯函數(shù)式。解邏輯函數(shù)F的表達式可以寫成最小項之和的形式。將真值表中所有F=1的最小項(變量取值為1的用原變量表示,取值為0的用反變量表示)選出來,最后將這些最小項加起來,得到
2024-11-05 03:02
【總結】數(shù)字電子技術基礎簡明教程復習題 一、填空 1、(238)10=(11101110)2=(EE)16。()2=()16=()10。 2、德?摩根定理表示為=(),=()。 3、數(shù)字信號只有(兩)種取值,分別表示為(0)和(1)。 4、異或門電路的表達式是();同或門的表達式是()。 5、組成邏輯函數(shù)的基本單元是(最小項
2025-07-25 21:28
【總結】數(shù)字電子技術基礎試題一、填空題:(每空1分,共10分)1.()10=()2=()16。2.邏輯函數(shù)L=+A+B+C+D=。3.三態(tài)門輸出的三種狀態(tài)分別為:、和。4.主從型JK觸發(fā)器的特性方程=。5.用4個觸發(fā)器可以存儲位二進制數(shù)。6.存儲容量為4K×8位的RAM存儲器,其地
2025-06-19 22:45
【總結】1數(shù)字電子技術基礎試題(一)一、填空題:(每空1分,共10分)1.()10=()2=()16。2.邏輯函數(shù)L=+A+B+C+D=。3.三態(tài)門輸出的三種狀態(tài)分別為:、和。4.主從型JK觸發(fā)器的特性方程=。5.用4個觸發(fā)器可以存儲位二
2024-10-25 13:00
【總結】一、復習提綱(一)《電工技術基礎與技能》1.安全用電常識1)安全用電基本知識:基本電氣安全操作規(guī)程。2)保護接地保護接零:保護接地的原理:保護接零的方法及其應用。3)觸電急救:觸電現(xiàn)場的處理方法、急救方法。2.直流電路1)電路的組成與電路模型:電路模型、電路圖及識讀電路圖;電路的三種狀態(tài)。2)電路的基本物理量及測量:電壓、電流、電功率、電能、電
2025-05-31 12:20
【總結】《模擬電子技術》復習題一一、填空題1、在N型半導體中,多數(shù)載流子是;在P型半導體中,多數(shù)載流子是。2、場效應管從結構上分為結型和兩大類,它屬于控制性器件。3、為了使高阻信號源與低阻負載能很好地配合,可以在信號源與負載之間接入(共射、共集、共基)組態(tài)放大電路。4、在多級
2025-06-24 23:32
【總結】數(shù)字電子技術基礎習題第一章數(shù)字邏輯基礎一、填空題1.十進制數(shù)128對應的二進制數(shù)是,對應8421BCD碼是,對應的十六進制數(shù)是。100000000001001010001018001二、判斷題
2025-08-05 07:27
【總結】1習題答案第一章數(shù)制和碼制1.數(shù)字信號和模擬信號各有什么特點?答:模擬信號——量值的大小隨時間變化是連續(xù)的。數(shù)字信號——量值的大小隨時間變化是離散的、突變的(存在一個最小數(shù)量單位△)。2.在數(shù)字系統(tǒng)中為什么要采用二進制?它有何優(yōu)點?答:簡單、狀態(tài)數(shù)少,可以用二極管、三極管的開關狀態(tài)來對應二進制的兩
2024-10-29 09:13
【總結】2-1與信息電子電路中的二極管相比,電力二極管具有怎樣的結構特點才使得其具有耐受高壓和大電流的能力?答:,使得硅片中通過電流的有效面積增大,顯著提高了二極管的通流能力。,也稱漂移區(qū)。低摻雜N區(qū)由于摻雜濃度低而接近于無摻雜的純半導體材料即本征半導體,由于摻雜濃度低,低摻雜N區(qū)就可以承受很高的電壓而不被擊穿。2-2.使晶閘管導通的條件是什么?答:使晶閘管導通的條件是:晶閘管承受正
2025-04-17 07:00
【總結】.....電路電子技術復習題一、計算題:1、計算圖1所示各電路,K打開時及閉合時的Ua、Ub及Uab。圖12、求圖2所示電路中的電壓U。3A36Ω36Ω12Ω12Ω12Ω+-U
2025-04-17 07:17
【總結】電子技術復習題一、填空:1.PN結沒有外加電壓時,擴散電流漂移電流。2.半導體有和兩種載流子,對于N型半導體多數(shù)載流子是。 。,則輸出電壓的平均值為,則二極管截止時承受的反向電壓的最大值為5.本證半導體的主要特
2025-08-03 06:17