【文章內(nèi)容簡介】 定適合市場的銷售策略。山東中鼎瑞達(dá)能源科技有限公司初步確定的市場策略如下：做重點(diǎn)領(lǐng)域，做重點(diǎn)市場，由小到大，由點(diǎn)到面。先從生產(chǎn)單晶硅太陽能電池開始，重點(diǎn)開發(fā)生產(chǎn)非晶硅太陽能電池為主。單晶硅太陽能電池和多晶硅太陽能電池是目前市場上的主流產(chǎn)品，但這兩類產(chǎn)品易受硅材料價格的波動影響較大，且加工特性難度較大；隨著科技的進(jìn)步，非晶硅太陽能電池將是未來太陽能發(fā)展的主要方向，從生產(chǎn)成本、加工難易度、轉(zhuǎn)化效率和應(yīng)用范圍等方面都比單晶硅太陽能電池和多晶硅太陽能電池具有較大的優(yōu)勢，是單晶硅太陽能電池和多晶硅太陽能電池的替代產(chǎn)品。公司投產(chǎn)后，在生產(chǎn)單晶硅太陽能電池和多晶硅太陽能電池的同時，將把非晶硅太陽能電池作為研究開發(fā)的重點(diǎn)。預(yù)計(jì)2008／2009年度銷售5MW的系列太陽能電池。第五章 建設(shè)規(guī)模與產(chǎn)品方案 生產(chǎn)規(guī)模的確定根據(jù)本工程的原料條件，項(xiàng)目所需主要原料在國內(nèi)外在多家企業(yè)生產(chǎn)，供應(yīng)充足，質(zhì)量能滿足要求；所需部分次要原料、輔料棗莊市當(dāng)?shù)丶纯蓾M足供應(yīng)。該項(xiàng)目擬在棗莊市市中區(qū)孟莊內(nèi)實(shí)施。項(xiàng)目生產(chǎn)規(guī)模要考慮到場地及配套設(shè)施條件。項(xiàng)目資金來源為一部分自籌，資本金要達(dá)到國家規(guī)定比例，其余擬申請貸款。因此，項(xiàng)目生產(chǎn)規(guī)模也要考慮到資金條件的限制。從國內(nèi)外同類生產(chǎn)廠家的規(guī)模情況來看，國內(nèi)只有少數(shù)幾家生產(chǎn)太陽能電池，以生產(chǎn)成本較高的單晶硅太陽能電池和多晶硅太陽能電池為主，且現(xiàn)有產(chǎn)量遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足市場需求。因此，本項(xiàng)目第一期生產(chǎn)規(guī)模確定為20MW/年，第二期為40MW/年，第三期為60MW/年。 產(chǎn)品方案及產(chǎn)量項(xiàng)目擬生產(chǎn)單晶硅電池、多晶硅電池和非晶硅電池，產(chǎn)品方案及產(chǎn)量見下表51。表51 產(chǎn)品方案及產(chǎn)量表產(chǎn)品名稱單位產(chǎn)量備注單晶硅電池MW/年2多晶硅電池MW/年1非晶硅電池MW/年2家用電源系統(tǒng)臺/年5000 產(chǎn)品質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)太陽能電池的質(zhì)量技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，國內(nèi)統(tǒng)一采用國家質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布的標(biāo)準(zhǔn)法規(guī)。太陽能電池執(zhí)行國標(biāo)HDB/YD0032000。本標(biāo)準(zhǔn)中主要質(zhì)量指標(biāo)見下表5554。表52 單晶硅電池的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)序號項(xiàng)目名稱指標(biāo)備注1基本材料P型單晶硅2厚度（цm）≤3003開路電壓（mV）≥5964短路電流（A）：≥5最佳電壓（mV）：≥4966最佳電流（A）：≥7轉(zhuǎn)換效率：%表53 多晶硅電池的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)序號項(xiàng)目名稱指標(biāo)備注1基本材料P型多晶硅2厚度（цm）≤3003開路電壓（mV）≥5964短路電流（A）：≥5最佳電壓（mV）：≥4966最佳電流（A）：≥7轉(zhuǎn)換效率：%表54 非晶硅電池的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)序號項(xiàng)目名稱指標(biāo)備注1基本材料非晶態(tài)合金2厚度（цm）≤53開路電壓（mV）≥5964短路電流（A）：≥5最佳電壓（mV）：≥4966最佳電流（A）：≥7轉(zhuǎn)換效率：%《單晶硅棒、單晶硅片加工貿(mào)易單耗標(biāo)準(zhǔn)(H1)B／YD003—2000)》范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了以多晶硅（商品編號28046190）為主要原料加工制成4英寸、5英寸；單晶硅棒（商品編號28046110）和單晶硅片（商品編號38180011）的加工貿(mào)易單耗標(biāo)準(zhǔn)。本標(biāo)準(zhǔn)適用于海關(guān)和外經(jīng)貿(mào)部門對用多晶硅（商品編號28046190）加工生產(chǎn)單晶硅棒（商品編號28046110）、單晶硅片（商品編號38180011）的加工貿(mào)易企業(yè)進(jìn)行加工貿(mào)易單耗備案，審批和核銷管理。定義本標(biāo)準(zhǔn)采用以下定義：多晶硅加工單晶硅棒單耗指：在正常生產(chǎn)條件下耗用多晶硅質(zhì)量（kg）。（包括凈耗和工藝損耗）單晶硅棒加工單晶硅片凈耗指：在正常生產(chǎn)條件下，物化在每干片單晶硅片中單晶硅棒的質(zhì)量（kg）。多晶硅加工單晶硅棒損耗率（％）：單晶硅棒在正常加工過程中，因生產(chǎn)工藝所必需但不能物化在成品中的多晶硅耗用量占多晶硅投入量的百分比。單晶硅棒加工單晶硅片損耗率（％）：單晶硅片在正常加工過程中，因生產(chǎn)工藝所必需但不能物化在成品中的單晶硅棒耗用量占單晶硅棒投入量的百分比。單、損耗標(biāo)準(zhǔn)原料品質(zhì)為免洗料，符合相關(guān)國內(nèi)或國際行業(yè)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定及合同對產(chǎn)品質(zhì)級的認(rèn)定。 單晶硅棒品質(zhì)規(guī)格：該單耗標(biāo)準(zhǔn)對原料適用于相關(guān)GB/T12962－1996國家標(biāo)準(zhǔn)及合同對單晶硅棒質(zhì)級的認(rèn)定。單晶硅拋光片品質(zhì)規(guī)格：該單耗標(biāo)準(zhǔn)適用于相關(guān)GB/T12964－1996國家標(biāo)準(zhǔn)及合同對單晶硅拋光片質(zhì)級的認(rèn)定。、損耗標(biāo)準(zhǔn)序號成品名稱成品單位商品編號成品規(guī)格原料名稱原料單位商品編號單耗標(biāo)準(zhǔn)（kg）損耗率（％）1單晶硅棒Kg280461104英寸多晶硅Kg280461902單晶硅棒Kg280461105英寸多晶硅Kg28046190序號成品名稱成品單位商品編號成品規(guī)格原料名稱原料單位商品編號單耗標(biāo)準(zhǔn)（kg）損耗率（％）1IC級單晶硅拋光片千片381800114英寸525um單晶硅棒Kg280461102IC級單晶硅拋光片千片381800115英寸625um單晶硅棒Kg28046110注：可利用制成低檔次硅產(chǎn)品的摻堝底料、頭尾料，應(yīng)按邊角科征稅。用線切割機(jī)，損耗較小。單晶硅棒、單晶硅片加工貿(mào)易單耗標(biāo)準(zhǔn)編制說明任務(wù)來源為加強(qiáng)加工貿(mào)易單耗管理，規(guī)范和完善海關(guān)和外經(jīng)貿(mào)管理部門對單耗審批、備案、核銷，落實(shí)國務(wù)院關(guān)于加強(qiáng)對加工貿(mào)易管理的政策措施，打擊偽報單耗的不法行為，促進(jìn)加工貿(mào)易的健康發(fā)展，根據(jù)加工貿(mào)易單耗標(biāo)準(zhǔn)制定工作聯(lián)絡(luò)小組工作計(jì)劃，制定單晶硅棒、單晶硅片加工貿(mào)易單耗標(biāo)準(zhǔn)。本標(biāo)準(zhǔn)由海關(guān)總署關(guān)稅征管司委托上海海關(guān)負(fù)責(zé)起草制定。由海關(guān)總署關(guān)稅征管司、國家經(jīng)貿(mào)委外經(jīng)司和國家信息產(chǎn)業(yè)部組織相關(guān)工業(yè)協(xié)會及企業(yè)的工藝、技術(shù)專家和有關(guān)海關(guān)加工貿(mào)易保稅專業(yè)技術(shù)人員進(jìn)行審定。 2 制定單耗標(biāo)準(zhǔn)的原則單耗標(biāo)準(zhǔn)的制定原則是以國家標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)或該類加工企業(yè)平均水平為基礎(chǔ)，貫徹國家有關(guān)產(chǎn)業(yè)和外貿(mào)政策，符合我國加工貿(mào)易生產(chǎn)實(shí)際，有利于加工貿(mào)易企業(yè)技術(shù)進(jìn)步和公平競爭，便于海關(guān)有效監(jiān)管和相關(guān)單耗數(shù)據(jù)信息的使用和維護(hù)。3 編制過程根據(jù)現(xiàn)階段生產(chǎn)單晶硅棒、單晶硅片加工工藝和主要加工企業(yè)的生產(chǎn)技術(shù)水平，結(jié)合國內(nèi)外同行業(yè)加工貿(mào)易生產(chǎn)實(shí)際，制定本單耗標(biāo)準(zhǔn)。 （1） 成品和主要原料的商品知識單質(zhì)硅有無定形及晶體兩種。無定形硅為灰黑色或栗色粉末，更常見的是無定形塊狀，它們是熱和電的不良導(dǎo)體、質(zhì)硬，主要用于冶金工業(yè)（例如鐵合金及鋁合金的生產(chǎn)）及制造硅化物。晶體硅是銀灰色，有金屬光澤的晶體，能導(dǎo)電（但導(dǎo)電率不及金屬）故又稱為金屬硅。高純度的金屬硅（≥％）是生產(chǎn)半導(dǎo)體的材料，也是電子工業(yè)的基礎(chǔ)材料。摻雜有微量硼、磷等元素的單晶硅可用于制造二極管、晶體管及其他半導(dǎo)體器件。由于半導(dǎo)體技術(shù)不斷向高集成度，高性能，低成本和系統(tǒng)化方向發(fā)展，半導(dǎo)體在國民經(jīng)濟(jì)各領(lǐng)域中的應(yīng)用更加廣泛。單晶硅片按使用性質(zhì)可分為兩大類：生產(chǎn)用硅片；測試用硅片。半導(dǎo)體元件所使用的單晶硅片系采用多晶硅原料再經(jīng)由單晶生長技術(shù)所生產(chǎn)出來的。多晶硅所使用的原材料來自硅砂（二氧化硅）。目前商業(yè)化的多晶硅依外觀可分為塊狀多晶與粒狀多晶。多晶硅的品質(zhì)規(guī)格：多晶硅按外形可分為塊狀多晶硅和棒狀多晶硅；等級分為一、二、三級免洗料。多晶硅的檢測：主要檢測參數(shù)為電阻率、碳濃度、N型少數(shù)載流子壽命；外型主要是塊狀的大小程度；結(jié)構(gòu)方面要求無氧化夾層；表面需要經(jīng)過酸腐蝕，結(jié)構(gòu)需致密、平整，多晶硅的外觀應(yīng)無色斑、變色，無可見的污染物。對于特殊要求的，還需要進(jìn)行體內(nèi)金屬雜質(zhì)含量的檢測。單晶硅棒品質(zhì)規(guī)格：單晶硅棒的主要技術(shù)參數(shù)型號P型或N型晶向111100電阻率電阻率均勻性25%位錯密度無位錯OISF密度500cm2氧含量根據(jù)客戶要求碳含量1ppma主參考面取向?qū)挾雀鶕?jù)客戶要求其中電阻率、OISF密度、以及碳含 量是衡量單晶硅棒等級的關(guān)鍵參數(shù)，這些參數(shù)在單晶成型后即定型，無法在此后的加工中進(jìn)行改變。測試方法：電阻率：用四探針法。OISF密度：利用氧化誘生法在高溫、高潔凈的爐管中氧化，再經(jīng)過腐蝕后觀察其密度進(jìn)行報數(shù)。碳含量：利用紅外分光光度計(jì)進(jìn)行檢測。單晶硅拋光片品質(zhì)規(guī)格：單晶硅拋光片的物理性能參數(shù)同硅單晶技術(shù)參數(shù)厚度（T）200－1200um總厚度變化（TTV）＜10um彎曲度（BOW）＜35um翹曲度（WARP）＜35um單晶硅拋光片的表面質(zhì)量：正面要求無劃道、無蝕坑、無霧、無區(qū)域沾污、無崩邊、無裂縫、無凹坑、無溝、無小丘、無刀痕等。背面要求無區(qū)域沾污、無崩邊、無裂縫、無刀痕。（2）加工工藝多晶硅加工成單晶硅棒：多晶硅長晶法即長成單晶硅棒法有二種：CZ（Czochralski）法FZ（FloatZone Technique）法目前超過98%的電子元件材料全部使用單晶硅。其中用CZ法占了約85%，其他部分則是由浮融法FZ生長法。CZ法生長出的單晶硅，用在生產(chǎn)低功率的集成電路元件。而FZ法生長出的單晶硅則主要用在高功率的電子元件。CZ法所以比FZ法更普遍被半導(dǎo)體工業(yè)采用，主要在于它的高氧含量提供了晶片強(qiáng)化的優(yōu)點(diǎn)。另外一個原因是CZ法比FZ法更容易生產(chǎn)出大尺寸的單晶硅棒。目前國內(nèi)主要采用CZ法CZ法主要設(shè)備：CZ生長爐CZ法生長爐的組成元件可分成四部分①爐體：包括石英坩堝，石墨坩堝，加熱及絕熱元件，爐壁②晶棒及坩堝拉升旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)：包括籽晶夾頭，吊線及拉升旋轉(zhuǎn)元件③氣氛壓力控制：包括氣體流量控制，真空系統(tǒng)及壓力控制閥④控制系統(tǒng)：包括偵測感應(yīng)器及電腦控制系統(tǒng)A．多晶硅——單晶硅棒多晶硅加工成單晶硅棒過程中：如產(chǎn)生損耗是重?fù)綀宓琢稀㈩^尾料則無法再利用，只能當(dāng)成冶金行業(yè)如煉鐵、煉鋁等用作添加劑；如產(chǎn)生損耗是非重?fù)綀宓琢?、頭尾料可利用制成低檔次的硅產(chǎn)品，此部分應(yīng)按邊角料征稅。重?fù)搅鲜侵笇⒍嗑Ч柙霞敖咏柡土康碾s質(zhì)（種類有硼，磷，銻，砷。雜質(zhì)的種類依電阻的N或P型）放入石英坩堝內(nèi)溶化而成的料。重?fù)搅现饕糜谏a(chǎn)低電阻率（電阻率0．011歐姆／厘米）的硅片。損耗：單晶拉制完畢后的堝底料約15％。單晶硅棒整形過程中的頭尾料約20％。單晶整形過程中（外徑磨削工序）由于單晶硅棒的外徑表面并不平整且直徑也比最終拋光晶片所規(guī)定的直徑規(guī)格大，通過外徑磨削可以獲得較為精確的直徑。損耗約10％—13％。例：項(xiàng)目4英寸5英寸標(biāo)稱直徑100mm125mm拉晶直徑106mm131mm磨削損耗%%拉制參考損耗%%合計(jì)損耗%%此外，由于單晶硅的電阻率范圍、電阻率均勻性、雜質(zhì)種類、缺陷狀態(tài)等參數(shù)在不同客戶的要求下，都會對成品的實(shí)收率有影響，即使是同一規(guī)格的產(chǎn)品，不同廠家生產(chǎn)該產(chǎn)品的合格率也會不同。一般來講，%。從多晶硅單昌硅棒總損耗率：% %B、單晶硅棒—單晶硅拋光片單晶硅棒加工成單晶硅拋光片過程中損耗主要在切片工序，如采用內(nèi)園切割機(jī)在切割過程中由于刀片的研磨及切片過程中刀片的擺動造成，此間的損耗約34%－35%，如采用線切割機(jī)則損耗較小。例：項(xiàng)目4英寸5英寸切片刀厚310＋25380＋25硅片厚度650750損耗率34%35%其他工序的凈損耗從切片到最終拋光，%－%。例：項(xiàng)目4英寸5英寸切片刀厚650750硅片厚度525625損耗率%%從單晶硅棒到拋光片的損耗還包括切片過程中的崩邊、裂縫,磨片過程中的碎片和缺口，堿腐蝕過程中的沾污、花斑、拋光等過程中的碎片劃傷造成的損耗，具體如下：切片5%、倒角1%、磨片5%、腐蝕2%、退火2%、拋光5%、清洗2%，此間損耗率約為20%。從單晶硅棒——單晶硅拋光片的總損耗率：% %第六章 工藝技術(shù)方案 工藝技術(shù)方案的選擇工廠擬對國外先進(jìn)技術(shù)加以改造成為適合國情的生產(chǎn)技術(shù)。具體的操作方法為以選用國產(chǎn)設(shè)備為主，關(guān)鍵的進(jìn)口設(shè)備為輔的方式來建設(shè)生產(chǎn)線。 晶體（單、多）硅太陽能電池（SINGLECRYSTAL、POLYCRYSTAL）晶體硅太陽電池組件，能夠高效的將太陽能轉(zhuǎn)換為電能。工作無噪音、無污染、不需要使用燃料，長期使用可靠性高。單（多）晶硅太陽電池系列組件給予輸出功率十年有效保證期。單（多）晶硅太陽電池系列組件全部采用國外著名公司生產(chǎn)的單體電池片與TPT背板。從而保證了組件的質(zhì)量，大大提高了組件的使用壽命和在各種條件下運(yùn)行的可能性。它特有的加工工藝能夠顯著提高太陽電池吸收光的能力，并高效的轉(zhuǎn)換成電能，提高了轉(zhuǎn)換效率。性能參見下表。公司嚴(yán)格按照質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)加工太陽電池組件，控制產(chǎn)品的每一個生產(chǎn)流程及環(huán)節(jié)，以確保優(yōu)良的產(chǎn)品性能。無污染及陽力口危害的能源、優(yōu)良的性能、高可靠的質(zhì)量、簡易的安裝，使得單（多）晶硅太陽電池系列組件成為眾多用戶的理想選擇。表6－1 單（多）晶硅太陽電池組件表測試條件（STC）:,100mw/cm2，25℃型號電池材料Pm（W）Vmpp(V)尺寸(mm)15P()343358多晶硅15W34335820P()343473多晶硅20W34347328P()34368