【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 好，分布極為穩(wěn)定，但埋藏深，位于地下水位井下，飽和含水，作為基礎(chǔ)持力層時(shí)施工難度較大。 原材料供應(yīng)及配套條件 原輔料供應(yīng) 所需原材料及主要來(lái)源 本項(xiàng)目所需原材料，其中占總額 54％的硅多晶基、鋁漿、銀漿、平板玻璃、 EVA膜、 IPT 膜等需從國(guó)外進(jìn)口，其余由國(guó)內(nèi)相關(guān)企業(yè)生產(chǎn)提供，占總額的 46％，詳見下表： 原材料供應(yīng)表 序號(hào) 原材料名稱 供貨單位 主要性能及用途 1 硅單晶基片 晶科能源有限公司 河北晶龍實(shí)業(yè)有限公司 上海通用硅材料有限公司 太陽(yáng)電池基片 2． 硅多晶基片 晶科能源有限公司 太陽(yáng)電池基片 3． 鋁漿 美國(guó) 太陽(yáng)電池電極材料 4． 銀漿 美國(guó) 太陽(yáng)電池電極材料 5． 深圳南方玻璃有限公司 透光率 90％ 平板玻璃 法 國(guó)、美國(guó) 太陽(yáng)能低鐵絨面專用玻璃 所需輔助材料 本項(xiàng)目在生產(chǎn)過(guò)程中需消耗化學(xué)試劑、焊錫、焊帶、工業(yè)氣體、包裝材料等輔料，這些材料均來(lái)自市場(chǎng)采購(gòu)。 工序序號(hào) 工序名稱 所用輔材物品 化學(xué)試劑 氣體 防化物品 其他輔材 1 清洗制絨 清洗劑 —— 2 磷擴(kuò)散 3 等離子體 刻蝕 —— —— 4 去磷硅玻璃 （去 PSG) —— —— 5 鍍減反射膜 （ PECVD） —— 1．石英吸筆 6 印刷及燒結(jié) —— —— （正銀、背銀、背鋁） （正銀、背銀、背鋁） 7 測(cè)試包裝 —— —— 動(dòng)力 供電：由市政電網(wǎng)供應(yīng)。 供水：由市政供水網(wǎng)供水，本項(xiàng)目自來(lái)水主要用于設(shè)備冷卻循環(huán)水，可重復(fù)利用。 供氣：公司自建壓縮空氣站。 物料貯存 原輔材料貯存 原料的儲(chǔ)存量為 7～ l5 天，貯存于廠房的原料倉(cāng)庫(kù) 內(nèi)。 成品的貯存 產(chǎn)品成品的貯存為 7~20 天的生產(chǎn)量，貯存于廠區(qū)的成品倉(cāng)庫(kù)內(nèi)。 成品按用戶的要求包裝。 貯存控制 本項(xiàng)目的原料、成品和包裝材料的貯存，均應(yīng)按批號(hào)分存，建立嚴(yán)格的分發(fā)料制度，杜絕混批號(hào)而造成不必要的事故。 生產(chǎn)工藝及設(shè)備選型 太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線工藝流程 清洗制絨工藝流程 2. 擴(kuò)散工藝流程 3. 等離子體刻蝕工藝流程 SHAPE \* MERGEFORMAT 4. 去 PSG工藝流程 SHAPE \* MERGEFORMAT 5. PECVD 工藝流程 不合格 合格 6. 印刷燒結(jié)工藝流程 7. 測(cè)試包裝工藝流程 各工序簡(jiǎn)介如下： (1)、清洗制絨工藝流程 將硅片插入片籃，通過(guò)弱堿腐蝕，表面形成絨面（如果硅片表面不干凈，制絨前先要經(jīng)過(guò)超聲預(yù)清洗）。制絨后先 經(jīng)過(guò)清水漂洗，再通過(guò)氫氟酸和鹽酸酸洗，去除表面殘余的堿溶液，再次漂洗后，通過(guò)甩干的方法，得到干燥和潔凈的硅片表面，然后將硅片送入擴(kuò)散工序。 (2)、擴(kuò)散工藝流程 先將硅片插入石英舟，再將石英舟放在碳化硅槳上，進(jìn)入擴(kuò)散爐進(jìn)行高溫?cái)U(kuò)散（超過(guò) 800℃）。擴(kuò)散過(guò)程中，向爐中通入攜帶三氯氧磷的氮?dú)?，同時(shí)通入氧氣。三氯氧磷在高溫下分解，在硅片表面形成磷硅玻璃，磷原子通過(guò)磷硅玻璃向硅片表面和體內(nèi)擴(kuò)散，形成 PN結(jié)。擴(kuò)散后，將石英舟從槳上取下，待冷卻后，取下硅片，進(jìn)行方塊電阻的抽檢，抽檢合格，則將硅片送入刻蝕工序。 (3)、等離子刻蝕工藝流程： 先將整疊硅片整理對(duì)齊，放入刻蝕專用夾具，送入刻蝕機(jī)，通入 CF4 和 O2，使得硅片邊緣一圈被刻蝕?？涛g結(jié)束后，用冷熱探針測(cè)試硅片邊緣的 PN型，以此確定刻蝕的完整性。檢驗(yàn)合格后，將硅片插入塑料片籃，送入去 PSG工序。 (4)、去 PSG工藝流程 硅片插入片籃后，先經(jīng)過(guò)低濃度氫氟酸的清洗，和多次清水漂洗，再經(jīng)過(guò)甩干，當(dāng)硅片表面達(dá)到干燥和潔凈的要求后，送入 PECVD 工序。 (5)、 PECVD 工藝流程 用吸筆將硅片從片籃中取出，然后放到石墨板上，石墨板進(jìn)入 PECVD 腔體內(nèi)進(jìn)行鍍膜。在450℃下，硅烷和氨氣在等離子體作用下，分解成硅和氮原子，硅和氮原子在硅片表面沉積，形成一層氮化硅膜。鍍膜結(jié)束后，用石英吸筆將冷卻后的硅片從石墨板上取下，插入片盒，送入印刷工序。 (6)、印刷燒結(jié)工藝流程 先在硅片一面印上背銀電極，經(jīng)過(guò)低溫烘干后，再印上背鋁層，經(jīng)過(guò)第二次低溫烘干后，再將硅片翻面印上正銀電極，然后通過(guò)低溫烘干和高溫?zé)Y(jié)，使得電極嵌入表面，形成牢固的力學(xué)接觸和良好的電學(xué)連接。這道工藝后，電池的制造過(guò)程結(jié)束，最后電池被送入測(cè)試分選工序。 (7)、測(cè)試包 裝工藝流程 將電池冷卻至室溫，送入測(cè)試儀測(cè)試，測(cè)試后電池將被按照轉(zhuǎn)換效率或最大工作電流等參數(shù)進(jìn)行分檔歸類。電池經(jīng)過(guò)分選分類后，進(jìn)行包裝，最后送入倉(cāng)庫(kù)。 太陽(yáng)能電池組件生產(chǎn)線工藝流程 各工序簡(jiǎn)介如下： (1)、分檢：由于電池片制作條件的隨機(jī)性，生產(chǎn)出來(lái)的電池性能不盡相同，所以為了有效的將性能一致或相近的電池組合在一起，所以應(yīng)根據(jù)其性能參數(shù)進(jìn)行分類；電池測(cè)試即通過(guò)測(cè)試電池的輸出參數(shù)（電流和電壓）的大小對(duì)其進(jìn)行分類。以提高電池的利用率，做出質(zhì)量合格的電池組件。 (2)、正面焊接：是將匯流帶焊 接到電池正面（負(fù)極）的主柵線上，匯流帶為鍍錫的銅帶，我們使用的焊接機(jī)可以將焊帶以多點(diǎn)的形式點(diǎn)焊在主柵線上。焊接用的熱源為一個(gè)紅外燈（利用紅外線的熱效應(yīng)）。焊帶的長(zhǎng)度約為電池邊長(zhǎng)的 2 倍。多出的焊帶在背面焊接時(shí)與后面的電池片的背面電極相連。 (3)、背面串接：背面焊接是將電池串接在一起形成一個(gè)組件串，項(xiàng)目采用的工藝是手動(dòng)的，電池的定位主要靠一個(gè)膜具板，上面有放置電池片的凹槽，槽的大小和電池的大小相對(duì)應(yīng)，槽的位置已經(jīng)設(shè)計(jì)好，不同規(guī)格的組件使用不同的模板，操作者使用電烙鐵和焊錫絲將“前面電池”的正面電極（ 負(fù)極）焊接到“后面電池”的背面電極（正極）上，這樣依次將串接在一起并在組件串的正負(fù)極焊接出引線。 (4)、層壓敷設(shè)：背面串接好且經(jīng)過(guò)檢驗(yàn)合格后，將組件串、玻璃和切割好的 EVA 、玻璃纖維、背板按照一定的層次敷設(shè)好，準(zhǔn)備層壓。玻璃事先涂一層試劑（ primer）以增加玻璃和 EVA的粘接強(qiáng)度。敷設(shè)時(shí)保證電池串與玻璃等材料的相對(duì)位置，調(diào)整好電池間的距離，為層壓打好基礎(chǔ)。（敷設(shè)層次：由下向上：玻璃、 EVA、電池、 EVA、玻璃纖維、背板）。 (5)、組件層壓：將敷設(shè)好的電池放入層壓機(jī)內(nèi)，通過(guò)抽真空將組 件內(nèi)的空氣抽出，然后加熱使 EVA 熔化將電池、玻璃和背板粘接在一起；最后冷卻取出組件。層壓工藝是組件生產(chǎn)的關(guān)鍵一步，層壓溫度層壓時(shí)間根據(jù) EVA 的性質(zhì)決定。我們使用快速固化 EVA 時(shí)，層壓循環(huán)時(shí)間約為 25 分鐘。固化溫度為 150℃。 (6)、切邊：層壓時(shí) EVA 熔化后由于壓力而向外延伸固化形成毛邊，所以層壓完畢應(yīng)將其切除。 (7)、裝框：類似與給玻璃裝一個(gè)鏡框；給玻璃組件裝鋁框，增加組件的強(qiáng)度，進(jìn)一步的密封電池組件，延長(zhǎng)電池的使用壽命。邊框和玻璃組件的縫隙用硅酮樹脂填充。各邊框間用角鍵連接。 (8)、焊接接線盒：在組件背面引線處焊接一個(gè)盒子，以利于電池與其他設(shè)備或電池間的連接。 (9)、高壓測(cè)試：高壓測(cè)試是指在組件邊框和電極引線間施加一定的電壓，測(cè)試組件的耐壓性和絕緣強(qiáng)度，以保證組件在惡劣的自然條件（雷擊等）下不被損壞。 (10)、組件檢測(cè)：測(cè)試的目的是對(duì)電池的輸出功率進(jìn)行標(biāo)定，測(cè)試其輸出特性，確定組件的質(zhì)量等級(jí)。 設(shè)備選型 設(shè)備選型 接照保障工藝、勵(lì)行節(jié)約的原則進(jìn)行設(shè)備選型。由于我國(guó)在機(jī)電一體化和制造業(yè)等方面的技術(shù)水平低于發(fā)達(dá)國(guó)家，所以在本項(xiàng)目中 PECVD、絲網(wǎng)印刷機(jī)及烘干爐、燒結(jié)爐、單片分 篩儀、自動(dòng)焊接組件機(jī)、測(cè)試儀等主要設(shè)備需從國(guó)外引進(jìn)；國(guó)內(nèi)主要配套硅片化學(xué)腐蝕處理機(jī)、擴(kuò)散爐、等離子刻蝕機(jī)、層壓機(jī)等設(shè)備。 各種設(shè)備的最終選型，還需廠方與各生產(chǎn)商進(jìn)行廣泛的技術(shù)交流和商務(wù)談判，在技術(shù)性能優(yōu)越，滿足產(chǎn)品質(zhì)量要求的前提下，兼顧良好的售后服務(wù)，做到“貨比三家”，以最小的投資，取得最大的效益。 主要工藝設(shè)備一覽表 一、年產(chǎn) 100MW 太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線主要工藝設(shè)備 進(jìn)口設(shè)備清單表 序號(hào) 設(shè)備名稱 國(guó)別 單位 單價(jià)（萬(wàn)元人民幣） 數(shù)量 總價(jià)（萬(wàn)元人民幣） 備注（萬(wàn)美元） 1 PECVD 系統(tǒng) 德國(guó) 套 142６ 2 2852 418 2 紅外干燥燒結(jié)爐 美國(guó) 套 150 4 600 88 3 擴(kuò)散爐 荷蘭 套 4 2701 396 4 絲網(wǎng)印刷機(jī) 意大利 套 4 4830 708 5 PECVD 自動(dòng)上下料設(shè)備 韓國(guó) 套 2 341 50 6 插片機(jī) 韓國(guó) 套 2 55 8 7 奧林巴斯金 相顯微鏡 日本 臺(tái) 1２ 1 12 8 濕刻蝕絕緣機(jī) +硅片收 /放板機(jī) 蘇州保稅區(qū) 套 3 1330 195 9 薄膜測(cè)試儀 德國(guó) 臺(tái) ２ 5 2 50 10 多功能測(cè)試儀 匈牙利 臺(tái) 2 423 62 11 太陽(yáng)電池掃描分析儀 荷蘭等 臺(tái) ４ 273 40 12 少子壽命測(cè)試儀 匈牙利 臺(tái) 104 ４ 416 61 14 合計(jì) 31 13883 2035 國(guó)產(chǎn)設(shè)備清單表 序號(hào) 設(shè)備名稱 國(guó)別 單位 幣種 單價(jià)（萬(wàn)元） 數(shù)量 匯率 人民幣總價(jià) 1 超純水設(shè)備 中國(guó) .國(guó)產(chǎn) 臺(tái) RMB 350 1 1 350 2 自動(dòng)硅片預(yù)清洗設(shè)備 中國(guó) .國(guó)產(chǎn) 套 RMB 25 4 1 100 3 自動(dòng)單晶制絨酸洗綜合設(shè)備 中國(guó) .國(guó)產(chǎn) 套 RMB 145 4 1 580 4 自動(dòng)去磷硅玻璃（ PSG）清洗設(shè)備 中國(guó) .國(guó)產(chǎn) 套 RMB 48 4 1 192 5 手動(dòng)石英管清洗設(shè)備 中國(guó) .國(guó)產(chǎn) 套 RMB 11 1 1 11 6 合計(jì) 14 1233