從沙子到芯片：且看處理器是怎樣煉成的驅(qū)動之家作者：上方文qbb(編輯修改稿)
2024-12-09 03:50 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 出來的晶圓部分，而剩下的光刻膠保護(hù)著不應(yīng)該蝕刻的部分。 清除光刻膠 ：蝕刻完成后，光刻膠的使命 宣告完成，全部清除后就可以看到設(shè)計好的電路圖案。 第四階段合影 光刻膠 ：再次澆上光刻膠 (藍(lán)色部分 )，然后光刻，并洗掉曝光的部分，剩下的光刻膠還是用來保護(hù)不會離子注入的那部分材料。 離子注入 (Ion Implantation)：在真空系統(tǒng)中，用經(jīng)過加速的、要摻雜的原子的離子照射 (注入 )固體材料，從而在被注入的區(qū)域形成特殊的注入層，并改變這些區(qū)域的硅的導(dǎo)電性。經(jīng)過電場加速后，注入的離子流的速度可以 超過 30 萬千米每小時 。 清除光刻膠 ：離子注入完成后，光刻膠也被清除，而注入?yún)^(qū)域 (綠色部分 )也已摻雜，注入了不同的原子。注意這時候的綠色和之前已經(jīng)有所不同。 第五階段合影 晶體管就緒 ：至此，晶體管已經(jīng)基本完成。在絕緣材 (品紅色 )上蝕刻出 三個孔洞 ，并填充銅，以便和其它晶體管互連。 電鍍 ：在晶圓上電鍍一層硫酸銅，將銅離子沉淀到晶體管上。銅離子會從正極 (陽極 )走向負(fù)極 (陰極 )。 銅層 ：電鍍完成后 ，銅離子沉積在晶圓表面，形成一個薄薄的銅層。 第六階段合影 拋光 ：將多余的銅拋光掉，也就是磨光晶圓表面。 金屬層 ：晶體管級別，六個晶體管的組合，大約 500納米。在不同晶體管之間形成復(fù)合互連金屬層
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