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正文內(nèi)容

服務(wù)器基礎(chǔ)知識分享(編輯修改稿)

2025-06-08 18:44 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 我特意查了一下, Nehalem其實是美國俄勒岡州波特蘭市的一個小小的衛(wèi)星城。 (比如代號 Tulsa美國土而沙、 Woodcrest美國烏克雷絲特、 Yorkfield英國約克郡、 Kentsfield英國肯特郡等等 ) Manila 這是 AMD 2022年 5月底發(fā)布的第一種 Socket AM2接口 Sempron的核心類型,其名稱來源于菲律賓首都馬尼拉 (Manila)。 AMD于 2022 Q4正式發(fā)布了代號“ 上海 ”的新一代四核心 Opteron服務(wù)器處理器,并宣布已經(jīng)全面上市。 上海與此前的“ 巴塞羅那 ”同樣基于直連架構(gòu)原生四核心設(shè)計,但加入了大量創(chuàng)新設(shè)計,因此擁有更高的性能和每瓦性能比。 AMD表示,上海 ,性能可提升 35%,同時待機(jī)功耗降低 35%、滿載功耗降低 15%,最終性能每瓦特提升 50%之多。 上海與巴塞羅那一樣繼續(xù)采用 Socket F 1207插槽,因此實現(xiàn)了平臺的向下兼容,有利于數(shù)據(jù)中心的平穩(wěn)移植和升級。下一代六核心代號“ 伊斯坦布爾 ”也會沿用同樣的插槽。 參考 外國地名譯名 United Information Technology Co., Ltd. ? 服務(wù)器內(nèi)存 United Information Technology Co., Ltd. 經(jīng)驗分享 服務(wù)器內(nèi)存 常用的服務(wù)器內(nèi)存主要有 SDRAM、 DDR和 DDR2,還有另一種 RAMBUS內(nèi)存,是一種高性能、芯片對芯片接口技術(shù)的新一代存儲產(chǎn)品。 現(xiàn)在用的普遍的是 DDR2內(nèi)存以及剛剛興起的 DDR3內(nèi)存。服務(wù)器內(nèi)存也是內(nèi)存,它與我們平常在電腦城所見的普通內(nèi)存在外觀和結(jié)構(gòu)上沒有什么實質(zhì)性的區(qū)別,它主要是在內(nèi)存上引入了一些新的技術(shù) 。例如 ECC(錯誤檢查和糾正)、 Chipkill、Register(寄存器)、熱插拔技術(shù)、以及 FBDIMM(全緩沖內(nèi)存模組)等 。 SDRAM是 Synchronous Dynamic Random Access Memory(同步動態(tài)隨機(jī)存儲器)的簡稱,是前幾年普遍使用的內(nèi)存形式。 SDRAM采用 ,帶寬 64位, SDRAM將 CPU與 RAM通過一個相同的時鐘鎖在一起,使 RAM和 CPU能夠共享一個時鐘周期,以相同的速度同步工作,與 EDO內(nèi)存相比速度能提高 50%。 SDRAM基于雙存儲體結(jié)構(gòu),內(nèi)含兩個交錯的存儲陣列,當(dāng) CPU從一個存儲體或陣列訪問數(shù)據(jù)時,另一個就已為讀寫數(shù)據(jù)做好了準(zhǔn)備,通過這兩個存儲陣列的緊密切換,讀取效率就能得到成倍的提高。 SDRAM不僅可用作主存,在顯示卡上的顯存方面也有廣泛應(yīng)用。 SDRAM曾經(jīng)是長時間使用的主流內(nèi)存,從 430TX芯片組到 845芯片組都支持 SDRAM。但隨著 DDR SDRAM的普及, SDRAM也正在慢慢退出主流市場。 常見 SDRAM內(nèi)存 SDRAM內(nèi)存插槽示意圖 United Information Technology Co., Ltd. 經(jīng)驗分享 服務(wù)器內(nèi)存 ? DDR是一種繼 SDRAM后產(chǎn)生的內(nèi)存技術(shù), DDR英文原意為“ DoubleDataRate” ,顧名思義,就是雙數(shù)據(jù)傳輸模式。之所以稱其為“雙”,也就意味著有“單”,我們?nèi)粘K褂玫?SDRAM都是“單數(shù)據(jù)傳輸模式”,這種內(nèi)存的特性是在一個內(nèi)存時鐘周期中,在一個方波上升沿時進(jìn)行一次操作(讀或?qū)懀?DDR則引用了一種新的設(shè)計,其在一個內(nèi)存時鐘周期中,在方波上升沿時進(jìn)行一次操作,在方波的下降沿時也做一次操作,之所以在一個時鐘周期中, DDR則可以完成 SDRAM兩個周期才能完成的任務(wù),所以理論上同速率的 DDR內(nèi)存與 SDR內(nèi)存相比,性能要超出一倍,可以簡單理解為 100MHZ DDR=200MHZ SDR。 DDR內(nèi)存采用 184線結(jié)構(gòu), DDR內(nèi)存不向后兼容 SDRAM DDR內(nèi)存 184針 DIMM插槽 United Information Technology Co., Ltd. 經(jīng)驗分享 服務(wù)器內(nèi)存 ? DDR2( Double Data Rate 2) SDRAM是由 JEDEC(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會)進(jìn)行開發(fā)的新生代 內(nèi)存 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),它與上一代 DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是,雖然同是采用了在時鐘的上升 /下降延同時進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?,?DDR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代 DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力(即: 4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)取)。換句話說, DDR2內(nèi)存每個時鐘能夠以 4倍外部總線的速度讀 /寫數(shù)據(jù),并且能夠以內(nèi)部控制總線 4倍的速度運行。 DDR2 內(nèi)存 240針 DDR2 DIMM插槽 United Information Technology Co., Ltd. 經(jīng)驗分享 服務(wù)器內(nèi)存 ? 目前用的較多的服務(wù)器內(nèi)存主要是采用 ECC和 REG ECC技術(shù)的。從外觀來說, ECC內(nèi)存因為要滿足效驗糾錯的需要,加入了一顆 ECC效驗顆粒,由于采用的是 TOSP封裝,使得內(nèi)存看上去每面有9顆內(nèi)存顆粒。 REG ECC內(nèi)存上面的芯片一般比普通主板多出 23個,主要是 PLL (Phase Locked Loop)和 Register IC。 DDR2 ECC 內(nèi)存 DDR2 ECC REG 內(nèi)存 1: SPD芯片 2 : PLL芯片 3: Register IC芯片 4 :內(nèi)存顆粒 SPD( SERIAL PRESENCE DETECT) 模組存在的串行檢測。 SPD是一組關(guān)于內(nèi)存模組的配置信息,如 PBank數(shù)量、電壓、行地址 /列地址數(shù)量、位寬、各種主要操作時序(如 CL、 tRCD、 tRP、 tRAS等。 PLL (Phase Locked Loop) 瑣相環(huán)集成電路芯片,起到調(diào)整時鐘信號,保證內(nèi)存條之間的信號同步的作用。 United Information Technology Co., Ltd. 經(jīng)驗分享 服務(wù)器內(nèi)存
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