【總結(jié)】§19-3半導體的導電機構(gòu)本征半導體是指純凈的半導體.本征半導體的導電性能在導體與絕緣體之間.電子導電:導帶中的電子在外磁場中的定向運動.空穴導電:滿帶中存在空穴的情況下,電子在滿帶內(nèi)的遷移,相當于空穴沿相反方向運動.空穴相當于帶正電的粒子.滿帶上的一個電子躍遷到導帶后,滿帶中出
2024-10-09 15:01
【總結(jié)】中國半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展畢克允中國電子科學研究院一、引言二、產(chǎn)業(yè)發(fā)展三、市場需求四、科研開發(fā)五、展望未來六、結(jié)束語主要內(nèi)容摘要摘要主要介紹2021年度中國半導體行業(yè)中的設計、芯片制造、封裝測試、材料與工藝設備(支撐業(yè))的產(chǎn)業(yè)發(fā)展、市場走勢、
2025-05-13 07:01
【總結(jié)】考試時間:18周周五上午10:00(1月4日第二大節(jié))考試地點:望江基C2022022級半導體物理總結(jié)第l章半導體(晶體)中的電子狀態(tài)問題的提出:半導體獨特的物理性質(zhì)半導體中電子的狀態(tài)及其運動特點二者之間關系與結(jié)構(gòu)的關系本章介紹重點半導體單晶材料中的電子狀態(tài)及其運動規(guī)律
2025-01-14 10:18
【總結(jié)】學會用工程觀點分析問題,就是根據(jù)實際情況,對器件的數(shù)學模型和電路的工作條件進行合理的近似,以便用簡便的分析方法獲得具有實際意義的結(jié)果。對電路進行分析計算時,只要能滿足技術(shù)指標,就不要過分追究精確的數(shù)值。器件是非線性的、特性有分散性、RC的值有誤差、工程上允許一定的誤差、采用合理估算的方法。對于元器件,重點放在特性
2025-05-06 12:49
【總結(jié)】半導體基礎知識晶體三極管場效應管單結(jié)晶體管和晶閘管半導體二極管半導體基礎知識一、本征半導體二、雜質(zhì)半導體三、PN結(jié)的形成及其單向?qū)щ娦运?、PN結(jié)的電容效應一、本征半導體根據(jù)物體導電能力(電阻率)的不同,分導體、絕緣體和半導體。導體-鐵、鋁、銅等金屬元素
2025-08-04 09:14
【總結(jié)】主講人:申鳳娟21半導體器件2基本放大電路及其分析設計方法6模擬電子技術(shù)的應用與發(fā)展3放大電路的頻率響應與負反饋技術(shù)4通用集成運放及其應用5波形發(fā)生電路7直流穩(wěn)壓電源CONTENTS內(nèi)容大綱C3第一章4第一章常用半導體器件§半導體基礎知識
2025-01-21 18:23
【總結(jié)】半導體照明照明領域的又一次革命一、人類照明的歷史火—人類的文明燈—延續(xù)歷史幾千年燈—延續(xù)歷史幾千年二、電光源的歷史1879年愛迪生發(fā)明白熾燈熒光燈將電光源帶入新天地三、半導體發(fā)光二極管半導體發(fā)光二極管照明的革命四、第三代半導體材料半導體材料的分代1.以硅Si為代表的
2025-01-04 00:43
【總結(jié)】第十一章半導體材料制備生長技術(shù)?體單晶生長技術(shù)單晶生長通常利用籽晶在熔融高溫爐里拉伸得到的體材料,半導體硅的單晶生長可以獲得電子級(%)的單晶硅?外延生長技術(shù)外延指在單晶襯底上生長一層新單晶的技術(shù)。新生單晶層的晶向取決于襯底,由襯底向外延伸而成,故稱“外延層”。晶體生長問
2024-12-08 07:59
【總結(jié)】第五章半導體器件基礎二極管的單相導電特性特殊二極管三極管的基本結(jié)構(gòu)和電流放大特性場效應管簡介電子技術(shù)是利用半導體器件完成對電信號處理的技術(shù)。它包括模擬電子和數(shù)字電子。處理的電信號為連續(xù)變化的信號時,我們使用的電路為模擬電路。處理的信號為不連續(xù)變化、只有在其高低電
2025-05-06 12:43
【總結(jié)】半導體材料?半導體材料的發(fā)展簡史?半導體材料的發(fā)展趨勢?半導體材料的分類什么是半導體?按照不同的標準,有不同的分類方式。按固體的導電能力區(qū)分,可以區(qū)分為導體、半導體和絕緣體。導體、半導體和絕緣體的電阻率范圍材料導體半導體絕緣體電阻率(歐姆)﹤10-310-3109﹥10
2025-01-14 10:05
【總結(jié)】BESTInternationalIntellectualPropertyCompanyLimited貝斯特國際智權(quán)股份有限公司2022/05/15BringExcellence&ServiceTogether明志科技大學智權(quán)管理課程BESTInternationalIntellectualProp
2025-05-12 22:21
【總結(jié)】內(nèi)容簡介習題解答內(nèi)容簡介1.半導體材料根據(jù)物體導電能力(電阻率)的不同,來劃分導體、絕緣體和半導體。導體:ρ109Ω·cm半導體:導電性能介于導體和絕緣體之間。2.半導體的晶體結(jié)構(gòu)典型
2025-05-06 12:48
【總結(jié)】第二章半導體中的雜質(zhì)和缺陷理想半導體:1、原子嚴格周期性排列,具有完整的晶格結(jié)構(gòu)。2、晶體中無雜質(zhì),無缺陷。3、電子在周期場中作共有化運動,形成允帶和禁帶——電子能量只能處在允帶中的能級上,禁帶中無能級。?本征半導體——晶體具有完整的(完美的)晶格結(jié)構(gòu),無任何雜質(zhì)和缺陷。由本征激發(fā)提供載流子。
2025-05-12 20:52
【總結(jié)】半導體收音機的調(diào)試超外差式調(diào)幅收音機電路方框圖接收天線將由廣播電臺播發(fā)出的高頻調(diào)幅波接收下來,通過變頻級把外來的高頻調(diào)幅波訊號頻率變換成一個較低的、介于低頻與高頻之間的固定頻率——465kHz,稱為中頻。這就說:當接收640kHz的廣播電臺時,變頻級把640kHz的高頻調(diào)幅波訊號變換成465kHz的中頻調(diào)幅
2025-08-01 14:52
【總結(jié)】第八章金屬和半導體的接觸§8.1金屬半導體接觸及能級圖1.金屬和半導體的功函數(shù)金屬中的電子絕大多數(shù)所處的能級都低于體外能級。金屬功函數(shù)的定義:真空中靜止電子的能量E0與金屬的EF能量之差,即0()mFmWEE??上式表示一個起始能量等于費米能級的電子,由金屬內(nèi)部逸出到真空中所
2025-05-10 22:31