esd基礎(chǔ)知識(shí)ppt課件(編輯修改稿)
2025-06-03 12:14 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 內(nèi)可蓄積超過(guò) 20， 000V的靜電電壓。當(dāng)人體給電子流動(dòng)提供一條導(dǎo)電路徑時(shí)，蓄積在體內(nèi)的電荷就會(huì)沖出體外，向離用戶最近的金屬物體流去，結(jié)果發(fā)生短促而刺痛的放電，但這一般對(duì)人體沒(méi)有危害。然而，對(duì)于從事電子方面的專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，問(wèn)題可就不一般了。電子方面的人員在處理或替換電路板、集成電路塊，需頻繁地接觸各種元器件，而半導(dǎo)體設(shè)備對(duì)于來(lái)自靜電的刺激極其敏感，元器件的損壞只是在一瞬間。 對(duì)于靜電釋放最為敏感的元件是以金屬氧化物半導(dǎo)體 (MOS)為主的集成電路。PC中的門(mén)陣 CMOS芯片能夠承受靜電沖擊電壓為 200V， DRAM、 EPROM芯片為 300V，TTL芯片為 1000V。對(duì)靜電敏感的產(chǎn)品，如 半導(dǎo)體分立器件、集成電路、厚薄膜電路 及電阻器、電容器、壓電晶體管等，尤其是前三種電子敏感器件，它們可謂是 電子設(shè)備的“心臟” 。 9/19 靜電損害的實(shí)例圖： 芯片內(nèi)部被靜電擊穿 靜電高壓擊穿芯片 靜電對(duì)人體的傷害 靜電 ESD電流導(dǎo)致電路熔斷 嚴(yán)重后果 靜電擊穿 在不經(jīng)意間將昂貴電子器件擊穿，造成電子工業(yè)年損失達(dá)上百億美元 對(duì) P/N結(jié)造成軟擊穿 芯片內(nèi)單晶硅金屬鍍模擊穿 芯片內(nèi)引線擊穿 10/19 靜電放電損害： 靜電放電產(chǎn)生電磁脈沖， 可使 智能電子設(shè)備產(chǎn)生誤動(dòng)作；當(dāng)具有強(qiáng)能量脈沖時(shí) ,可使 靜電 敏感器件 直接被 破 壞，下面就以此對(duì)計(jì)算機(jī)信號(hào)的影響做簡(jiǎn)單解釋。 靜電放電時(shí)產(chǎn)生的電磁脈沖信號(hào)： 1 1 0 0 計(jì)算機(jī)正常工作是電平信號(hào)： 受干擾后計(jì)算機(jī)產(chǎn)生反轉(zhuǎn)信號(hào)： 尖脈沖 11/19 為了解電子相關(guān)產(chǎn)品生產(chǎn)或檢驗(yàn)過(guò)程中靜電起電情況，判別生產(chǎn)及檢驗(yàn)過(guò)程中靜電的影響程度以及檢驗(yàn)靜電防護(hù)用品 ﹑ 裝備質(zhì)量就需要測(cè)量靜電及有關(guān)參數(shù)。靜電的測(cè)量，主要是對(duì)靜電電壓 ﹑ 材料電阻 ﹑ 接地電阻 ﹑ 靜電衰期 ﹑ 靜電電量 ﹑ 靜電消除器消電性能的測(cè)量。 四 靜電測(cè)量 測(cè)試條件 應(yīng)符合 EPA所規(guī)定的條件：環(huán)境溫度為 20～ 25℃ ，濕度 40～ 60%RH。對(duì)于產(chǎn)品有明確測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的，應(yīng)優(yōu)先考慮其相應(yīng)測(cè)試條件。 SJ/T 106942022 測(cè)試儀器 測(cè)試儀器包括：非接觸式和接觸式靜電電壓表、接地電阻測(cè)試儀、兆歐表及標(biāo)準(zhǔn)電極、靜電電量表、腕帶測(cè)試儀、人體綜合電阻測(cè)試儀、離子平衡分析儀、摩擦起電機(jī)、法拉第筒、靜電屏蔽測(cè)試儀、直流電壓（電流）表、直流電壓源。所用儀器精度不低于 5%，量程大于實(shí)際測(cè)試范圍 20%。 測(cè)試方法 詳細(xì)的測(cè)試方法請(qǐng)參考附件（ SJ/T 106942022 電子產(chǎn)品制造與應(yīng)用系統(tǒng)防靜電檢測(cè)通用規(guī)范）。 12/19
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