emi常見(jiàn)問(wèn)題匯總ppt課件(編輯修改稿)
2025-06-01 12:11 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 波器 無(wú)屏蔽的場(chǎng)合 濾波器靠近被濾波導(dǎo)線的靠近器件或線路板一端。 有屏蔽的場(chǎng)合：在屏蔽界面上 開(kāi)關(guān)電源 EMI 探討 插入 Filter前后 Noise對(duì)比 藍(lán)色為插入 Filter前的 Noise 紫色為插入 Filter后的 Noise 開(kāi)關(guān)電源 EMI 探討 共模電感的繞制 磁珠阻抗 共模扼流圈中的負(fù)載電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)相互抵銷(xiāo)，因此磁芯不會(huì)飽和。 Z = j?L + R ? R Z L 1MHz 10MHz 100MHz 1000MHz Common choke , Bead 需要測(cè)量溫升 !! 拓?fù)?EMI 分析舉例 控制芯片 +12V Flyback 架構(gòu) EMI 分析 Cds： MOSFET的寄生等效電容 ， Cj： 二極管的節(jié)電容 Cj， Cm： Mosfet D極對(duì)散熱片雜散電容 ， Cd： 輸出二極管負(fù)極對(duì)散熱片的雜散電容 Les： 變壓器副邊對(duì)其他繞組的漏感 ， Lep： 變壓器原邊對(duì)其他繞組的漏感 Ctx： 變壓器原邊與副邊之間的雜散電容 ， Ce： 散熱片對(duì)地的電容 Flyback架構(gòu)的高頻等效模型 Flyback 架構(gòu) EMI 分析 Noise 源：大的 di/dt和 dv/dt 產(chǎn)生的地方，對(duì)Flyback架構(gòu) 來(lái)說(shuō)，會(huì)產(chǎn)生這些變化的主要有： 變壓器 TX1； MOSFET Q1 ； 輸出二極管 D1； 芯片的 RC振蕩； 驅(qū)動(dòng)信號(hào)線； Flyback 架構(gòu) EMI 分析 此處發(fā)生振蕩 2 此處發(fā)生振蕩 1 Q1 上 Vds 的波形 MOSFET 動(dòng)作時(shí)產(chǎn)生的 Noise ： 如 上圖所示 ， 主要來(lái)自三個(gè)方面： ① Mosfet開(kāi)通 、 關(guān)斷時(shí) ， 具有很寬的頻譜含量 ， 開(kāi)關(guān)頻率的諧波本身 就是較強(qiáng)的干擾源 。 ② 關(guān)斷時(shí)的振蕩 1產(chǎn)生較強(qiáng)的干擾 。 ③關(guān)斷時(shí)的振蕩 2產(chǎn)生較強(qiáng)的干擾。 Flyback 架構(gòu) EMI 分析 開(kāi)關(guān)管 Q1關(guān)斷，副邊二極管 D1導(dǎo)通時(shí)（帶載），原邊的勵(lì)磁電感被鉗制， 原邊漏感 Lep的能量通過(guò) Q1的寄生電容 Cds進(jìn)行放電，主放電回路為 Lep— Cds— Rs— C1— Lep， 此時(shí)產(chǎn)生振蕩振蕩的頻率為： Lep C d sf m o s ?2 1?在 Lep上的振蕩電壓 Vlep迭加在 2Vc1上，致使 Vds=2Vc1+Vlep 。 振蕩的強(qiáng)弱，將決定我們選取的管子的耐壓值、電路的穩(wěn)定性。 量測(cè) Lep=, Q1為 2611查規(guī)格書(shū)可得Coss=190pF（ Coss近似等于 Cds） ,而此充電板為兩個(gè)管子并聯(lián)，所以 Cds=380pF 。 由上式可求得 f = MHz， 和右圖中的振蕩頻率吻合。 從圖中可看出 此振蕩是一衰減的振蕩波，其初始的振蕩峰值決定于振蕩電路的 Q值：Q值越大，峰值就越大。 Q值小，則峰值小。為了減小峰值，可減小變壓器的漏感 Lep,加大 Cds和電路的阻抗 R。 而加入 Snubber電路是 極有效之方法。 RCLQ?Flyback 架構(gòu) EMI 分析 振蕩 2發(fā)生在 Mosfet Q1關(guān)斷 ， 副邊二極管由通轉(zhuǎn)向關(guān)斷 ， 原邊勵(lì)磁電感被釋放 (這時(shí) Cd
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