cvd的原理與工藝ppt課件(編輯修改稿)
2025-06-01 12:06 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 l Vapor Deposition， PVD） 化學(xué)氣相淀積 CVD：在反應(yīng)室內(nèi)，氣態(tài)反應(yīng)物經(jīng)化學(xué)反應(yīng)生成固態(tài)物質(zhì)并淀積在硅片表面的薄膜淀積技術(shù)； PVD：通過蒸發(fā)、電離或濺射等過程，產(chǎn)生固態(tài)粒子沉積在硅片表面或繼續(xù)與氣體反應(yīng)得到所需薄膜。 CVD的基本特征： 產(chǎn)生化學(xué)變化（化學(xué)反應(yīng)或熱分解）； 膜中所有材料都來源于外部的源； CVD工藝中反應(yīng)物必須以氣相形式參與反應(yīng)； CVD化學(xué)過程 CVD包括的五種基本化學(xué)反應(yīng)過程： 高溫分解： 無氧條件下加熱分解化合物（化學(xué)鍵斷裂）； 光分解： 利用輻射能使化合物化學(xué)鍵斷裂； 還原反應(yīng)： 化合物分子與氫氣發(fā)生的反應(yīng)； 氧化反應(yīng)： 反應(yīng)物與氧發(fā)生的反應(yīng)； 氧化還原反應(yīng)： 氧化與還原反應(yīng)的組合，生成兩種新化合物 選擇依據(jù)： 淀積溫度、膜特性和加工設(shè)備要求 等因素。
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