計(jì)算機(jī)控制實(shí)例ppt課件(編輯修改稿)
2025-05-31 12:10 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 電極 ⑷ MOCVD設(shè)備 國(guó)際上主要有美國(guó)和德國(guó)兩家 MOCVD設(shè)備生產(chǎn)商，本課以美國(guó) EMCORE公司生產(chǎn)的 D180型 MOCVD設(shè)備為例 。 ⑴ 反應(yīng)室結(jié)構(gòu) 10 ⑵ 反應(yīng)原理 MOVCD是一種以熱分解反應(yīng)為基礎(chǔ)的氣相外延法，其前驅(qū)物為有機(jī)化合物。 ⑴ 整體結(jié)構(gòu) 采用兩級(jí)計(jì)算機(jī)的分級(jí)式控制系統(tǒng)，主控計(jì)算機(jī)管理人機(jī)界面、輸入?yún)?shù)和顯示系統(tǒng)工作狀態(tài)，根據(jù)工作參數(shù)協(xié)調(diào)指揮下層各控制部分的工作。 主 控制計(jì)算機(jī) MOVCD反應(yīng)室 配氣控制 加熱控制 檢測(cè)系統(tǒng) 裝載控制 排氣控制 基片裝載室 ⑵ 控制功能 下層控制由五個(gè)部分組成： ? 配氣控制 通過(guò)對(duì)氣路閥門(mén)的開(kāi)關(guān)和流量計(jì)的反饋控制，按照主機(jī)指令選取氣源的種類(lèi)進(jìn)行混合或單獨(dú)按設(shè)定的流量向反應(yīng)室供氣。 ? 裝載控制 控制機(jī)械手完成基片裝載過(guò)程。 ? 排氣控制 控制真空泵完成：排出反應(yīng)室和裝載室原有氣體，建立真空進(jìn)行反應(yīng)前凈化處理；配合反應(yīng)室的進(jìn)氣量，調(diào)節(jié)反應(yīng)室達(dá)到合適的壓力差；排出反應(yīng)室下部已參加反應(yīng)完的廢氣，避免廢氣對(duì)外延生長(zhǎng)可能的污染和影響。 ? 加熱控制 通過(guò)外延基片正對(duì)的反應(yīng)室上方的紅外溫度傳感器，不斷測(cè)量基片表面溫度，通過(guò)控制調(diào)節(jié)托盤(pán)下部的三個(gè)獨(dú)立加熱的環(huán)形帶狀加熱元件的加電時(shí)間和通電電流實(shí)現(xiàn)基片區(qū)域均勻的溫度控制。溫度控制的精度在 ℃ 內(nèi)。 ? 檢測(cè)系統(tǒng) D180系統(tǒng)配置了在線光干涉測(cè)厚儀。探測(cè)光源采用碘鎢燈發(fā)出 450— 2022nm波長(zhǎng)光源，經(jīng)過(guò)集束光導(dǎo)纖維傳送到反應(yīng)器頂部的會(huì)聚透鏡。檢測(cè)光照射到多層結(jié)構(gòu)的外延片表面時(shí)形成的光干涉波信號(hào)，由光干涉波頻率與層間距離的關(guān)系，得到外延生長(zhǎng)層的厚度和生長(zhǎng)速率。檢測(cè)部分使用了專門(mén)的一套計(jì)算機(jī)和 CRT顯示器，用于厚度檢測(cè)的數(shù)據(jù)處理和圖形顯示。它可以記錄各生長(zhǎng)層厚度與時(shí)間的關(guān)系變化曲線和每一基片外延層的均勻程度。 D180型 MOVCD設(shè)備大量應(yīng)用在高亮度藍(lán) 綠發(fā)光二極管外延芯片的生產(chǎn)線上。以藍(lán)色 GaN發(fā)光二極管外延片為例，單臺(tái)設(shè)備生長(zhǎng) 5層總厚度約 5微米的 GaN介質(zhì)層，只需 4個(gè)小時(shí)，一周可生產(chǎn) 250片 2吋外延片，提供約 350萬(wàn)個(gè)藍(lán)色發(fā)光二極管管芯。 r MOCVD 設(shè)備更廣泛的應(yīng)用 Red, Orange, Yellow, Blue, Green, UV, White HBTs, pHEMTs, FETs (Electronic Devices) CD/DVD, Fiber Optics, Laser Diodes Convert Light into Power on Satellites Wafers that can be fabricated into diverse semiconductor devices LEDs Transistors Lasers Solar Cells . . . . 浮法玻璃生產(chǎn)工藝： 原料熔化 攤平成形 退火消應(yīng) 玻璃液 玻璃板 錫液 加入原料
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