光電子技術(shù)ppt課件(編輯修改稿)
2025-05-30 18:07 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 穴的雜質(zhì)能級(jí) ,則稱為 受主雜質(zhì)u 根據(jù)摻雜類型可對半導(dǎo)體材料進(jìn)行分類 : I型、 P型、 N型半導(dǎo)體的摻雜和導(dǎo)電類型半導(dǎo)體的摻雜和導(dǎo)電類型 注意：施主能級(jí)和受主能級(jí)在禁帶中。施主摻雜及 n型半導(dǎo)體PED施主能級(jí)和施主電離分析| 施主能級(jí)位于禁帶之中；| 施主能級(jí)上的電子很容易被激發(fā)到導(dǎo)帶上去；| 導(dǎo)帶的電子濃度遠(yuǎn)大于價(jià)帶的空穴濃度，導(dǎo)電性主要依賴電子。受主摻雜及 p型半導(dǎo)體EA分析| 受主能級(jí)位于禁帶之中；| 價(jià)帶中的電子很容易被激發(fā)到受主能級(jí)上去；| 價(jià)帶的空穴濃度遠(yuǎn)大于導(dǎo)帶的電子濃度，導(dǎo)電性主要依賴空穴。受主能級(jí)和受主電離I型（本征）半導(dǎo)體 N型半導(dǎo)體 P型半導(dǎo)體216。 I 型半導(dǎo)體（本征型）： 無雜質(zhì)或雜質(zhì)濃度很低的半導(dǎo)體，電子與空穴濃度基本相同。216。N型半導(dǎo)體 ：摻有施主雜質(zhì)的半導(dǎo)體，其電子濃度遠(yuǎn)大于空穴濃度。216。P型半導(dǎo)體 ：摻有受主雜質(zhì)的半導(dǎo)體，其電子濃度遠(yuǎn)小于空穴濃度。三類半導(dǎo)體PN 結(jié)結(jié)主要的半導(dǎo)體材料 (由其化學(xué)元素來區(qū)分 )pⅣ 族材料 ： Si、 Ge及 SiGe合金； 間接帶隙 ；微電子和光電管。pⅢⅤ 族化合物材料 ： GaAlAs/GaAs、 InGaAsP/InP、InAlGaN/GaN、 InAlGaAs/InP等材料系； 直接帶隙 ；微電子和各種光電子器件。pⅡⅥ 族化合物材料 ： ZnSeTe、 HgGdTe等； 直接帶隙 ；可見光和遠(yuǎn)紅外光電子器件。p半導(dǎo)體摻雜材料的選擇原則 : 如果摻入的雜質(zhì)原子代替半導(dǎo)體晶格中的原子后存在多余的價(jià)電子，該雜質(zhì)為施主雜質(zhì)；如果 摻入的雜質(zhì)原子代替半導(dǎo)體晶格中的原子后尚缺乏成鍵所需要的電子，即存在電子空位，該雜質(zhì)為受主雜質(zhì)。 激光基本原理光發(fā)射和光吸收T為熱力學(xué)溫度， k=10 23J/K為玻爾茲曼常數(shù)載流子的統(tǒng)計(jì)分布載流子的統(tǒng)計(jì)分布在熱平衡狀態(tài)下，粒子占據(jù)能量為 E 的狀態(tài)的幾率服從FermiDirac統(tǒng)計(jì)：Ef 為 體系的 Fermi能級(jí)， k
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