半導體光電子ppt課件(編輯修改稿)
2025-02-10 10:03 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 ?TkEENn BcFc /e x p ??2/3222 ????????? ???TkmN Bec3/m? ?? ?TkEENp BFvv /e x p ??導帶底 有效狀態(tài)密度 ，單位為： 同理有 2/3222 ????????? ???TkmN Bhv【 例題 】 計算 300K時， GaAs導帶底的有效狀態(tài)密度。 在有載流子注入時，半導體中的電子將不是前面提到的平衡系統(tǒng)。 在這種非平衡態(tài)時，電子的分布用電子準費米能級來表述。 電子在導帶處于平衡態(tài)，空穴在價帶處于平衡態(tài)，電子 空穴相互之間，以及與晶格之間不發(fā)生能量交換。 非平衡系統(tǒng) ? ? ? ?dEEfENncEee??? ? ? ? ?dEEfENpcEhh???? ????????? ???TkEEEfBFnee x p11? ? ? ????????? ??????????? ??????TkEETkEEEfEfBFpBFpvhe x p11e x p1111非平衡電子在導帶的費米分布 非平衡空穴在價帶的費米分布 準費米能級 ? ?? ?? ?? ?TkEENTkEENBFpvvBcFnc/e xpp/e xpnvc????【 例題 】 溫度為 300K時，注入 1017cm3的電子與空穴到硅中，計算此時的電子空穴準費米能級。 量子力學的知識告訴我們在光子的作用下，電子發(fā)生散射，由初始狀態(tài) 吸收與輻射 i f? ? ? ???? ?
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